专利名称：无接触硅片测量装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及ー种硅片測量装置，具体说，涉及ー种无接触硅片测量装置。
背景技术：
目前，太阳能光伏行业在硅片的品质控制上需要对硅片厚度、电阻率进行测量。由于硅片的电阻率的測量需要其厚度值作为參数进行计算，所以传统的测试方法是先测试硅片厚度，再根据测量出的厚度值作为參数去测量计算其电阻率值。现有技术是先通过接触式或非接触式測量仪器测量出硅片的厚度，再利用该厚度值作为參数，用接触式(四探针原理)或非接触式电阻率测试仪器进行电阻率的測量。现有技术主要存在以下缺陷分步骤测试，效率低下、耗时、成本高，増加了对硅片的损伤几率。 发明内容本实用新型所解决的技术问题是提供ー种无接触硅片测量装置，该装置实现了硅片厚度与电阻率的同时测量，大大缩短了測量时间，減少了设备的使用，同时降低了硅片的损伤率。技术方案如下ー种无接触硅片测量装置，包括检测平台，还包括设于所述检测平台上下两方的厚度测试�？�、设于所述检测平台上下两方的电阻率测试模块以及分别与所述厚度测试�？楹偷缱杪什馐阅？榈缌拥闹斩�。进ー步所述厚度测试�？榘ㄉ栌诩觳馄教ㄉ戏降暮穸葴y量上探头以及设于检测平台下方的厚度測量下探头，还包括分别与厚度測量上探头和厚度測量下探头电连接的厚度测量控制器；所述电阻率测试�？榘ㄉ栌诩觳馄教ㄉ戏降牡缱杪蕼y量上探头以及设于检测平台下方的电阻率測量下探头，还包括分别与电阻率測量上探头和电阻率測量下探头电连接的电阻率测量控制器。进ー步所述厚度測量上探头和电阻率測量上探头并排设置在所述检测平台上方；所述厚度測量下探头和电阻率測量下探头并排设置在所述检测平台下方。进ー步所述厚度測量上探头与所述厚度測量下探头位置上下对应；所述电阻率測量上探头与所述电阻率測量下探头位置上下对应。进ー步所述厚度测试模块通过所述厚度测量控制器与所述终端电连接；所述电阻率测试模块通过所述电阻率测量控制器与所述终端电连接。进一歩所述厚度測量上探头和厚度測量下探头为ー对电容原理位移測量探头。进ー步所述电阻率測量上探头和电阻率測量下探头为ー对电涡流原理电阻率测量探头。本实用新型优点和有益效果，具体体现在以下几个方面I、本实用新型实现了硅片厚度与电阻率的同时测量，大大缩短了測量时间，提高了生产效率；[0015]2、本实用新型減少了硅片测量过程中对硅片的移动，极大的降低了硅片损伤率；3、本实用新型优化了厚度与电阻率的測量，使二者完美结合，減少了传统测量中设备的使用，降低了生产成本。
图I为本实用新型中无接触硅片测量装置结构示意图。
具体实施方式
如图I所示，本实用新型中无接触硅片测量装置结构示意图。无接触硅片测量装置包括检测平台I、厚度测试�？�、电阻率测试�？楹椭斩�4。厚度测试�？榘ê穸葴y量上探头201、厚度測量下探头202和厚度测量控制器203，电阻率测试�？榘ǖ缱杪蕼y量上探头301、电阻率測量下探头302、电阻率测量控制器303。厚度測量上探头201和电阻率測量上探头301并排设置在检测平台I上面，厚度測量下探头202和电阻率測量下探头302并排设置在检测平台I下面，厚度測量上探头201与厚度測量下探头202对应，电阻率測量上探头301与电阻率測量下探头302对应；厚度測量上探头201、厚度測量下探头202分别与厚度测量控制器203电连接，电阻率測量上探头301、电阻率測量下探头302分别与电阻率测量控制器303电连接；厚度测量控制器203、电阻率测量控制器303分别与终端4电连接。其中，厚度測量上探头201和厚度測量下探头202为ー对电容原理位移測量探头，电阻率測量上探头301和电阻率測量下探头302为ー对电涡流原理电阻率測量探头 ’终端4接收厚度测量控制器203和电阻率测量控制器303采集的硅片数据信息并进行处理，获得硅片厚度与电阻率。无接触硅片测量装置工作时，厚度测量控制器203控制厚度測量上探头201和厚度測量下探头202获取放置在检测平台I上的硅片数据后，将相关数据传输给终端4，終端4计算出硅片厚度后将厚度作为參数，电阻率测量控制器303控制电阻率測量上探头301和电阻率測量下探头302获取放置在检测平台I上的硅片数据后，将相关数据传输给终端4，終端4计算出硅片电阻率。
权利要求1.ー种无接触硅片测量装置，包括检测平台，其特征在于还包括设于所述检测平台上下两方的厚度测试�？�、设于所述检测平台上下两方的电阻率测试模块以及分别与所述厚度测试�？楹偷缱杪什馐阅？榈缌拥慕K端。
2.如权利要求I所述的无接触硅片测量装置，其特征在于所述厚度测试�？榘ㄉ栌诩觳馄教ㄉ戏降暮穸葴y量上探头以及设于检测平台下方的厚度測量下探头，还包括分别与厚度測量上探头和厚度測量下探头电连接的厚度测量控制器；所述电阻率测试�？榘ㄉ栌诩觳馄教ㄉ戏降牡缱杪蕼y量上探头以及设于检测平台下方的电阻率測量下探头，还包括分别与电阻率測量上探头和电阻率測量下探头电连接的电阻率测量控制器。
3.如权利要求2所述的无接触硅片测量装置，其特征在于所述厚度測量上探头和电阻率測量上探头并排设置在所述检测平台上方；所述厚度測量下探头和电阻率測量下探头并排设置在所述检测平台下方。
4.如权利要求2或3所述的无接触硅片测量装置，其特征在于所述厚度測量上探头与所述厚度測量下探头位置上下对应；所述电阻率測量上探头与所述电阻率測量下探头位置上下对应。
5.如权利要求2所述的无接触硅片测量装置，其特征在于所述厚度测试�？橥ü龊穸炔饬靠刂破饔胨鲋斩说缌樱凰龅缱杪什馐阅？橥ü龅缱杪什饬靠刂破饔胨鲋斩说缌印�
6.如权利要求2所述的无接触硅片测量装置，其特征在于所述厚度測量上探头和厚度測量下探头为ー对电容原理位移測量探头。
7.如权利要求2所述的无接触硅片测量装置，其特征在于所述电阻率測量上探头和电阻率測量下探头为ー对电涡流原理电阻率測量探头。
专利摘要本实用新型公开了一种无接触硅片测量装置，包括检测平台，还包括设于所述检测平台上下两方的厚度测试�？�、设于所述检测平台上下两方的电阻率测试模块以及分别与所述厚度测试�？楹偷缱杪什馐阅？榈缌拥闹斩�。本实用新型公开的测量装置实现了硅片厚度与电阻率的同时测量，大大缩短了测量时间，减少了设备的使用，同时降低了硅片的损伤率。
文档编号G01B7/06GK202599330SQ20122030335
公开日2012年12月12日 申请日期2012年6月25日 优先权日2012年6月25日
发明者陈才旷, 肖宗杰, 白德海, 赵长存, 罗世铤 申请人:北京合能阳光新能源技术有限公司
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