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专利名称：陶瓷电阻式压力传感器的制作方法
技术领域：
陶瓷电阻式压力传感器技术领域[0001]本实用新型涉及一种压力传感器，特别是涉及一种陶瓷电阻式压力传感器。
背景技术：
[0002]压力传感器是工业实践中最为常用的一种传感器，而我们通常使用的压力传感器主要是利用压电效应制造而成的，这样的传感器也称为压电传感器。[0003]晶体是各向异性的，非晶体是各向同性的。某些晶体介质，当沿着一定方向受到机械力作用发生变形时，就产生了极化效应；当机械力撤掉之后，又会重新回到不带电的状态，也就是受到压力的时候，某些晶体可能产生出电的效应，这就是所谓的极化效应。通过以上原理研制出了压力传感器。[0004]压力传感器中主要使用的压电材料包括有石英，石英(二氧化硅)是一种天然晶体，压电效应就是在这种晶体中发现的，在一定的温度范围之内，压电性质一直存在，但温度超过这个范围之后，压电性质完全消失，由于硅材料本身的限制，使其无法用于高温或腐蚀等环境中。发明内容[0005]本实用新型的目的是为了解决上述问题而提供一种具有抗腐蚀、耐高温、过载负荷大、制作简单的陶瓷电阻式压力传感器。[0006]本实用新型是通过以下技术方案实现的[0007]一种陶瓷电阻式压力传感器，包括壳体、弹性盖、感应片、引出导线、陶瓷膜片和陶瓷基座，所述陶瓷基座分别设置于所述壳体底部的两端，所述陶瓷膜片的两端分别固定于所述陶瓷基座上，所述陶瓷膜片的两端分别设置有绝缘套，所述感应片位于所述陶瓷膜片的上表面。[0008]作为本实用新型的优选是，所述感应片采用电阻片，所述电阻片的个数为4个。[0009]作为本实用新型的优选是，所述感应片分别位于所述陶瓷膜片的四个顶角，所述感应片与所述陶瓷膜片的长边之间 的夹角为45°[0010]作为本实用新型的优选是,所述绝缘套为玻璃绝缘套。[0011]本实用新型的有益效果是[0012]传感器的膜片采用陶瓷膜片，陶瓷膜片在受力发生小挠度变形时，电阻与压力近似成线性函数关系，当被测压力超过量程一定值后，两电极发生接触，有效地保护了弹性膜片免受损坏。此外，陶瓷膜片具有抗腐蚀、耐高温等优点，弥补了硅压力传感器的上述缺点， 可用于高温、腐蚀等特殊环境下。


[0013]图I是本实用新型陶瓷电阻式压力传感器的结构示意图。[0014]图2是本实用新型陶瓷电阻式压力传感器感应片的安装示意图。[0015]图中1-壳体，2-弹性盖，3-陶瓷膜片，4-陶瓷基座，5-绝缘套，6-引出导线， 7-感应片。
具体实施方式
[0016]
以下结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明[0017]如图I所示，本实用新型陶瓷电阻式压力传感器，包括壳体I、弹性盖2、感应片7、 引出导线6、陶瓷膜片4和陶瓷基座4，陶瓷基座4分别设置于壳体I底部的两端，陶瓷膜片 3的两端分别固定于陶瓷基座4上，陶瓷膜片3的两端分别设置有绝缘套5，感应片7位于陶瓷膜片3的上表面。[0018]如图2所示，感应片7采用电阻片，感应片7的个数为4个。感应片7分别位于陶瓷膜片3的四个顶角，感应片7与陶瓷膜片3的长边之间的夹角为45°。在实施例中，绝缘套5为玻璃绝缘套。陶瓷电阻式压力传感器采用陶瓷膜片3，在陶瓷膜片3的两端烧结了陶瓷基座4， 以消除温度对输出信号的影响。同时，在陶瓷膜片3上再烧结绝缘套防止电极接触时漏电。 当被测压力作用在传感器的陶瓷膜片上时，陶瓷膜片3发生变形，使极板的间距发生变化， 导致传感器的电阻发生变化，通过测量电路的电阻变化即可计算出传感器所受压力的改变，进而测量出压力，再通过处理电路，将电阻的变化转化为O. 5V 5V输出电压信号。
权利要求1.一种陶瓷电阻式压力传感器，包括壳体、弹性盖、感应片和引出导线，其特征在于 还包括陶瓷膜片和陶瓷基座，所述陶瓷基座分别设置于所述壳体底部的两端，所述陶瓷膜片的两端分别固定于所述陶瓷基座上，所述陶瓷膜片的两端分别设置有绝缘套，所述感应片位于所述陶瓷膜片的上表面。
2.根据权利要求I所述的陶瓷电阻式压力传感器，其特征在于所述感应片采用电阻片，所述电阻片的个数为4个。
3.根据权利要求I所述的陶瓷电阻式压力传感器，其特征在于所述感应片分别位于所述陶瓷膜片的四个顶角，所述感应片与所述陶瓷膜片的长边之间的夹角为45°。
4.根据权利要求I所述的陶瓷电阻式压力传感器，其特征在于所述绝缘套为玻璃绝缘套。
专利摘要本实用新型公开了一种陶瓷电阻式压力传感器，包括壳体、弹性盖、感应片、引出导线、陶瓷膜片和陶瓷基座，所述陶瓷基座分别设置于所述壳体底部的两端，所述陶瓷膜片的两端分别固定于所述陶瓷基座上，所述陶瓷膜片的两端分别设置有绝缘套，所述感应片位于所述陶瓷膜片的上表面。传感器的膜片采用陶瓷膜片，陶瓷膜片在受力发生小挠度变形时，电阻与压力近似成线性函数关系，当被测压力超过量程一定值后，两电极发生接触，有效地保护了弹性膜片免受损坏。此外，陶瓷膜片具有抗腐蚀、耐高温等优点，弥补了硅压力传感器的上述缺点，可用于高温、腐蚀等特殊环境下。
文档编号G01L19/06GK202793657SQ20122038792
公开日2013年3月13日 申请日期2012年8月7日 优先权日2012年8月7日
发明者谢淑颖 申请人:成都达瑞斯科技有限公司