专利名称：半导体压力传感器以及半导体压力传感器的制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体压力传感器以及半导体压力传感器的制造方法，特别涉及具有应变计电阻(gauge resistance)的半导体压力传感器以及半导体压力传感器的制造方法。
背景技术：
以往，提出了具备使平板状的硅基板和形成有凹部的硅基板贴合而形成的隔板(diaphragm)以及基准压カ室的半导体压カ传感器。例如，在日本特开2000-124466号公报中提出了具备隔板和基准压カ室的半导体压カ传感器。在该公报所记载的半导体压力传感器中，平板状的第一硅基板和形成有凹部的第二硅基板经由在第一硅基板的表面形成的氧化膜而贴合。凹部被第一硅基板密封，由此形成基准压カ室。接着，研磨第二硅基板，由此，在覆盖第二硅基板的凹部的部分形成隔板。之后，在隔板的预定的位置形成应变计电阻。在上述公报所记载的半导体压力传感器的一个制造方法中，在与第一娃基板贴合的第二娃基板的第一面，与凹部同时地形成有对准标记(alignment mark)(第一对准标记)。利用IR (红外线)对准器相对于第一对准标记进行对位，在第二硅基板的与第一面相反侧的第二面形成有对准标记用凹部(第二对准标记)。利用光刻机(st印per)相对于该第ニ对准标记进行对位，在隔板的预定的位置形成应变计电阻。此外，在上述公报所记载的其它制造方法中，以贯通第二硅基板的方式形成有第ー对准标记。利用光刻机相对于第一对准标记进行对位，在第二娃基板的第二面形成有第ニ对准标记。之后，与上述的一个制造方法同样地形成应变计电阻。在上述公报所记载 的半导体压力传感器的一个制造方法中，凹部被第一以及第二硅基板遮挡，所以，不能够辨认凹部。因此，也不能够辨认覆盖凹部的隔板的准确的位置。因此，使用对准标记在隔板的预定的位置形成应变计电阻。因为不能够辨认第一对准标记，所以，为了识别第一对准标记而使用IR对准器。作为IR对准器，使用具有IR对准功能的光亥IJ机。但是，具有IR对准功能的光刻机非常稀少。例如即使在能够使用具有IR对准功能的光刻机的环境中，通常IR对准功能的使用频率也非常低，因此存在设备投资效率差、エ序单价变高的课题。由此，存在制造成本变高的问题。此外，为了使隔板的厚度与所希望的厚度一致，需要ー边利用光干涉测定法等测定隔板或第二硅基板的膜厚一边研磨第二硅基板。但是，第二硅基板的研磨量存在偏差。此夕卜，虽然在第二基板上形成有多个凹部，但是，各个凹部的深度也存在偏差。因此，隔板的厚度存在相当的偏差。因此，也存在难以按照所希望的那样成品率较好地加工隔板的厚度这样的其它课题。由此，存在压カ測定精度降低的问题。此外，在上述公报所记载的半导体压力传感器的另ー个制造方法中，形成有贯通包含凹部以及隔板的第二硅基板那样的第一对准标记。第二硅基板至少具有10 以上的厚度。因此，为了形成第一对准标记，需要从作为贴合界面的第一面起将第二硅基板至少刻蚀IOiim以上，因此存在需要时间、成本的课题。由此，存在制造成本变高的问题。
此外，对于第一对准标记来说，需要以从第二硅基板的第一面贯通硅基板的方式较深地进行刻蚀，因此难以确保在第二硅基板的第二面的对准标记的图案精度。因此，也存在对准精度降低这样的其它课题。由此，存在压カ測定精度降低的问题。此外，在上述公报所记载的半导体装置的一个以及另ー个制造方法中，都以基于第一对准标记进行对位的第二对准标记为基准形成应变计电阻。因此，与不经由第二对准标记而基于第一对准标记形成应变计电阻的情况相比，存在应变计电阻的对位精度降低的课题。由此，存在压カ測定精度降低的问题。但是，作为刻蚀硅基板形成凹部等的方法，大致分类有干法刻蚀和湿法刻蚀。在哪种方法中都存在如下情况:在刻蚀时或刻蚀后的清洗时等，硅基板被微量的金属元素等污染。在半导体压力传感器中，利用离子注入等在硅基板中导入杂质，由此，形成应变计电阻。存在上述的金属污染与应变计电阻的特性偏差以及可靠性降低相关的危险。S卩，假设在凹部形成エ序中上述的金属元素被无意地导入到硅基板中的情况下，在以后的热处通エ序中以1000 C以上的闻温处通娃基板时，金属兀素在娃基板中移动。因此，如上述公报所记载的半导体压カ传感器那样，在形成有应变计电阻的第二硅基板形成有凹部的结构中，在贴合第二硅基板和第一硅基板后所实施的热处理工序中，发生上述的金属元素的移动，因此金属元素侵入到应变计电阻的内部。由此，存在应变计电阻的特性发生偏差或可靠性降低的课题。由此，存在压カ測定精度降低的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而提出的，其目的在于提供一种能够抑制制造成本并且能够提高压カ測定精度的半导体压力传感器及其制造方法。本发明的半导体压カ传感器具备:第一基板，在主表面具有凹部和对准标记；第ニ基板，形成在第一基板的主表面上，具有以覆盖第一基板的凹部内的空间上的方式设置的隔板以及在隔板上设置的应变计电阻。对准标记以从第二基板露出的方式设置。根据本发明的半导体压カ传感器，第一基板具有凹部和对准标记，第二基板具有应变计电阻。即，与具有凹部和对准标记的第一基板不同的第二基板具有应变计电阻。因此，能够抑制在形成凹部和对准标记时的第一基板中的金属污染扩散到第二基板的应变计电阻。因此，能够防止应变计电阻的特性偏差以及可靠性的降低。由此，能够提高压カ測定精度。此外，由于第一基板具有凹部，第二基板具有隔板，所以，能够不被凹部的深度偏差影响地研磨第二基板来设置隔板。因此，能够提高隔板的厚度的精度。由此，能够提高压力測定精度。此外，由于对准标记从第二基板露出，所以能够辨认对准标记。因此，不需要IR对准器。由此，能够抑制制造成本。此外，由于第一基板在主表面具有对准标记，所以能够确保对准的图案精度，因此对准精度不降低。因此，能够提高应变计电阻的对位精度。由此，能够提高压カ測定精度。此外，由于第一基板在主表面具有对准标记，所以，与以贯通第二基板的方式形成对准标记的情况比较，能够抑制对准标记的形成所需要的成本以及时间。由此，能够抑制制造成本。
此外，由于第一基板在主表面具有对准标记，所以，通过将对准标记用于应变计电阻的对位基准，从而能够提高应变计电阻的对位精度。由此，能够提高压力测定精度。本发明的上述以及其它目的、特征、方面以及优点根据与附图关联理解的涉及本发明的如下的详细说明变得清楚。
图1是本发明的一个实施方式的半导体压力传感器的概略剖面图。图2是本发明的一个实施方式的第一基板为晶片状态的半导体压力传感器的概略平面图。图3是表示图2的Pl部的半导体压力传感器的放大图。图4是表示图2的P2部的半导体压力传感器的概略剖面图。图5 图12是按照工序顺序示出本发明的一个实施方式的半导体压力传感器的制造方法的概略剖面图。图13是本发明的一个实施方式的比较例I的半导体压力传感器的概略剖面图。图14是本发明的一个实施方式的比较例2的半导体压力传感器的概略剖面图。图15是本发明的一个实施方式的比较例3的半导体压力传感器的概略剖面图。
具体实施例方式以下，基于附图对本发明的一个实施方式进行说明。首先，对本发明的一个实施方式的半导体压力传感器的结构进行说明。参照图1，本发明的一个实施方式的半导体压力传感器主要具有第一基板1、第二基板2、氧化膜7、金属布线8。第二基板2与第一基板I接合。第一基板I和第二基板2例如是娃基板。第一基板I具有基板主体11和氧化膜12。氧化膜12形成在基板主体11的周围。SP，在第一基板I的表面形成有氧化膜12。第一基板I在主表面Ia具有凹部3和对准标记
4。凹部3配置在主表面Ia的中央部。对准标记4以从第二基板2露出的方式设置。对准标记4配置在主表面Ia的两端部。再有，对准标记4配置在主表面Ia的两端部中的任意一个端部即可。第二基板2形成在第一基板I的主表面Ia上。第二基板2具有隔板5。隔板5以覆盖第一基板I的凹部3内的空间IS上的方式设置。第二基板2的覆盖凹部3内的空间IS上的部分构成隔板5。隔板5和凹部3构成基准压力室。再有，未在第二基板2上形成凹部和对准标记。第二基板2具有应变计电阻6。应变计电阻6设置在隔板5上。从第一基板I和第二基板2重叠的方向观察,应变计电阻6配置在与凹部3的外缘3a重叠的位置。应变计电阻6以能够检测第二基板2的变形的方式形成。半导体压力传感器以如下方式构成:应变计电阻6检测第二基板2的变形，由此，对压力进行检测。例如，在第二基板2是η型硅基板的情况下，作为应变计电阻6，使用在η型硅基板上形成的ρη 二极管的P层。在第二基板2上形成有氧化膜7。在氧化膜7上以使应变计电阻6的一部分露出的方式形成有应变计电阻用接触孔。在氧化膜7上以填充应变计电阻用接触孔的方式形成有金属布线8。金属布线8以与应变计电阻6相接触的方式形成。金属布线8与应变计电阻6电连接。金属布线8以能够将隔板5的变形所引起的应变计电阻6的电阻变化作为电信号取出到外部的方式构成。接着，对第一基板为晶片状态的半导体压力传感器进行说明。参照图2以及图3，在晶片状态的第一基板I上形成有很多半导体传感器。切出图2中Pl部所示的半导体压力传感器，形成图3所示的半导体压力传感器。图3所示的半导体压力传感器与图1所示的半导体压力传感器对应。在晶片状态的第一基板I的外周缘部Ib设置有对准标记4。例如在彼此各离开90度的位置设置有四个对准标记4。参照图4，图2中P2部所示的半导体压力传感器具有在第一基板I的外周缘部Ib设置的一个对准标记4。此外，对准标记4也可以仅设置在晶片状态的第一基板I的外周缘部lb。通常，在贴合两个娃基板而制造的SOI (Silicon On Insulator)基板中，娃基板的外周缘部的贴合的可靠性低。因此，除去研磨得较薄的一侧的硅基板的外周缘部。外周缘部Ib构成平台(terrace)部。平台部的宽度为Imm以上且5mm以下左右。通常，从硅基板的外周端起5_左右的区域不能够在半导体晶片工艺中形成有效的电路，所以不被使用。即，从硅基板的外周端起5_左右的区域不构成配置有效芯片的有效区域。仅在不是有效区域的平台部形成对准标记，由此，能够最大限度地确保有效芯片数较多。因此，对准标记4仅设置在晶片状态的第一基板I的外周缘部lb，由此，与在第一基板I的主表面Ia的整个面以固定间隔配置对准标记4的情况相比，能够确保有效芯片数较多。接着，对本发明的一个实施方式的半导体压力传感器的制造方法进行说明。以下，为了便于说明，以一个半导体压力传感器为例进行说明，但是，在晶片上同时制造很多半导体压力传感器。参照图5，准备在主表面Ia形成有凹部3和对准标记4的第一基板I。首先，在第一基板I的主表面Ia形成对准标记4。对准标记4可以形成晶片状态的第一基板I的外周缘部Ib (图1)。外周缘部Ib的宽度可以是从晶片状态的第一基板I的外周缘部Ib的外周端起5_以下。在以后形成应变计电阻6等时的对位中使用对准标记4。作为对准标记4的形状，采用以能够使用光刻机的方式由光刻机决定的形状。作为形成方法，优选使用等离子体刻蚀装置等对第一基板I进行刻蚀而形成。对于对准标记4来说，由于只要能被光刻机辨认即可，所以，不需要刻蚀得较深，若具有Iym左右的深度则是充分的。以对准标记4为基准，利用光刻机等进行对位，在主表面Ia上形成有凹部3。由于该凹部3在之后成为作为压力传感器的基准压力室，所以，优选其深度为5 100 μ m左右，能够在该范围内比较任意地设定。凹部3的深度越浅加工负荷越�。牵捎诨佳沽κ业娜莼湫。裕⑿〉穆┬�(leak)所引起的压力变动即输出变动增大。考虑其折衷的关系来选定凹部3的深度。在该凹部3的形成中，与对准标记4相同地也能使用等离子体亥_装置，但是，深度稍深，为5μπι以上，因此也可以使用博世工艺(BOSCH process)的深RIE (Reactive 1n Etching:反应离子刻蚀)装置。或者也能够不使用应用了等离子体刻蚀装置以及深RIE装置等的干法刻蚀而使用应用了 TMAH (四甲基氢氧化铵)等的碱性刻蚀液的湿法刻蚀。
此外，也可以同时形成凹部3和对准标记4。在同时形成凹部3和对准标记4的情况下，能够使用相同的光掩模同时对凹部3和对准标记4进行照相制版，所以，能够使凹部3的对准精度(位置精度)非常高。之后，在第一基板I的表面形成氧化膜12。在形成了凹部3和对准标记4之后，对第一基板I进行热氧化，在晶片表面整体形成氧化膜12。优选氧化膜12的厚度为0.2 Ium左右。接着，参照图6 图10，以具有覆盖凹部3内的空间IS上的隔板5并且使对准标记4露出的方式在第一基板I的主表面Ia上形成第二基板2。参照图6，首先，以密封凹部3的方式在第一基板I的主表面Ia贴合第二基板2。第一基板I和第二基板2重合并进行真空排气，并且置于约1100°C的环境下进行热氧化，由此彼此接合。由此，基准压力室被气密密封。在形成凹部3和对准标记4时无意地将金属元素导入至第一基板I的情况下，即使在第一基板I和第二基板2接合时在高温下金属元素移动，金属元素也被俘获到氧化膜12内而留在第一基板I内，不侵入到第二基板2内。参照图7，之后利用研磨机研磨第二基板2的外周缘部lb。对第二基板2来说，不研磨全部的厚度而是以残留少许厚度的方式进行研磨。由此，能够防止研磨第二基板2进而研磨了第一基板I导致对准标记4消失。参照图8，在第二基板2的外周缘部Ib被研磨之后，利用刻蚀完全地除去在外周缘部Ib残留的第二基板2。在该刻蚀中，优选使用仅刻蚀硅而不刻蚀氧化膜的TMAH等的碱性刻蚀液。由此，对准标记4被氧化膜12包覆，所以不被刻蚀。利用本工序，作为平台部的外周缘部Ib完成，对准标记4成为露出并能够辨认的状态。参照图9，之后利用研磨机等研磨第二基板2使其薄壁化。并且，为了进一步将表面加工为镜面状态，进行利用CMP (Chemical Mechanical Polishing)等进行的研磨。由此，隔板5完成。隔板5的尺寸以及厚度依赖于进行测定的压力，但是，例如，如果测定I 5气压的压力，则能够将尺寸设定为从100到500 μ m、将厚度设定为5 20 μ m。此外，在上述中在形成了作为平台部的外周缘部Ib之后，将第二基板2研磨到所希望的厚度而形成隔板5，但是，在第二基板2被研磨到所希望的厚度而形成隔板5之后，形成作为平台部的外周缘部Ib也可以。参照图10，之后使用露出的对准标记4，在隔板5上形成应变计电阻6。使用光刻机相对于所露出的对准标记4进行对位，由此，在隔板5的预定的位置形成应变计电阻6。之后，在第二基板2上形成氧化膜7。参照图11，之后使用光刻机相对于所露出的对准标记4进行对位，由此，在氧化膜7的预定的位置形成应变计电阻用接触孔。接着，使用所露出的对准标记4，形成与应变计电阻6电连接的金属布线8。使用光刻机以所露出的对准标记4为基准进行对位，以填充应变计电阻用接触孔的方式在预定的位置形成金属布线8。参照图12，之后研磨与第一基板I的主表面Ia相反侧的背面侧，除去不需要的氧化膜。由此，压力传感器晶片完成。进而，第一基板I的侧面的不需要的氧化膜被除去，由此，制造出图1所示的半导体压力传感器。在本发明的一个实施方式中，如上述那样，均能够使用光刻机相对于对准标记4形成凹部3、应变计电阻6，所以，能够在以覆盖凹部3的方式设置的隔板5的预定的位置高精度地形成应变计电阻6。接着，关于本发明的一个实施方式的作用效果，与比较例进行比较说明。参照图13，在本发明的一个实施方式的比较例I的半导体压力传感器中，在第二基板2的第一面2a形成有第一对准标记4a。第一对准标记4a形成在第二基板2的第一面2a，所以，不能够从第二面2b侧进行辨认。因此，为了识别第一对准标记4a，使用IR对准器。因此，由于使用IR对准器，所以制造成本变高。参照图14，在本发明的一个实施方式的比较例2的半导体压力传感器中，第一对准标记4a以贯通第二基板2的方式形成。在第二基板2上形成有凹部3和隔板5，所以，第二基板2具有比象比较例I那样在第二基板2的表面设置的第一对准标记4a的厚度大的厚度。因此，与如比较例I的半导体压力传感器那样在第二基板2的表面形成第一对准标记4a的情况相比，在比较例2的半导体压力传感器中，为了形成第一对准标记4a而需要很多时间、成本，所以，制造成本变高。此外，第一对准标记4a以从第一面2a朝向第二面2b贯通第二基板2的方式形成，所以，需要将第二基板2刻蚀得较深。在该刻蚀时，以前端从第一面2a朝向第二面2b变细的方式在第二基板2上形成贯通孔。由于在该贯通孔中形成有第一对准标记4a，所以，对于第一对准标记4a的形状来说，与第一面2a相比，在第二面2b恶化。因此，对准精度降低。由此，压力测定精度降低。此外，在比较例I以及2中，均由于第二基板2的研磨量的偏差以及凹部3的深度的偏差导致隔板5的厚度存在相当的偏差。因此，难以按照所希望的那样成品率良好地加工隔板5的厚度。由此，压力测定精度降低。此外，在比较例I以及2中，均在第二基板2上形成有凹部3和应变计电阻6，因此，在第二基板2上形成凹部3时的金属污染导致应变计电阻6的特性发生偏差或者可靠性降低。参照图15，在本发明的一个实施方式的比较例3的半导体压力传感器中，在第一基板I的不成为贴合界面的面Id形成有第一对准标记4a。相对于该第一对准标记4a使用双面对准器在主表面Ia形成凹部3。接着，使第一基板I和第二基板2以密封凹部3的方式进行贴合。之后，通过研磨第二基板2，从而形成隔板5。而且，使用双面对准器相对于第一对准标记4a在第二基板2的第二面2b形成第二对准标记4b。以该第二对准标记4b为基准形成应变计电阻6。在比较例3的半导体压力传感器的制造方法中，不是如比较例I那样需要IR对准器，也不是如比较例2那样需要贯通第二基板2那样的第一对准标记4a。但是，使用两次对位精度比光刻机低的双面对准器。因此，对于应变计电阻6的对位精度来说，仅得到重复了两次本来对位精度低的双面对准器的对位的精度。由此，压力测定精度降低。此外，在比较例I 3的任意一个中，都以基于第一对准标记4a进行了对位的第二对准标记4b为基准形成应变计电阻6。因此，与不经由第二对准标记4b而基于第一对准标记4a形成应变计电阻6的情况相比，应变计电阻6的位置精度降低。根据本发明的一个实施方式的半导体压力传感器，第一基板I具有凹部3和对准标记4，第二基板2具有应变计电阻6。即，与具有凹部3以及对准标记4的第一基板I不同的第二基板2具有应变计电阻6。因此，能够抑制在形成凹部3以及对准标记4时的在第一基板I中的金属污染扩散到第二基板2的应变计电阻6。因此，能够防止应变计电阻6的特性偏差以及可靠性的降低。由此，能够提高压力测定精度。此外，第一基板I具有凹部3，第二基板2具有隔板5，所以，能够不受凹部3的深度的偏差影响地研磨第二基板2来设置隔板5。因此，能够提高隔板5的厚度的精度。由此，能够提高压力测定精度。此外，由于对准标记4从第二基板2露出，所以，能够辨认对准标记4。因此，不需要IR对准器。由此，能够抑制制造成本。此外，第一基板I在王表面Ia具有对准标记4,所以，能够确保对准标记4的图案精度，因此校准精度不降低。因此，能够提高应变计电阻6的对位精度。由此，能够提高压力测定精度。此外，第一基板I在主表面Ia具有对准标记4，所以，与以贯通第二基板2的方式形成对准标记4的情况相比较，能够抑制对准标记4的形成所需要的成本以及时间。由此，能够抑制制造成本。此外，第一基板I在主表面Ia具有对准标记4，所以，通过将对准标记4用于应变计电阻6的对位基准，从而能够提高应变计电阻6的对位精度。由此，能够提高压力测定精度。特别是，通过提高应变计电阻6相对于隔板5的位置精度，从而能够使压力为零时的传感器输出(所谓的偏移输出)的偏差变小。此外，根据本发明的一个实施方式的半导体压力传感器，在晶片状态的第一基板I的外周缘部Ib设置有对准标记4。因此，在不是有效区域的外用缘部Ib设置有对准标记4，由此，能够确保有效芯片数较多。此外，根据本发明的一个实施方式的半导体压力传感器，在从第一基板I和第二基板2重叠的方向观察,在与凹部3的外缘3a重叠的位置配置有应变计电阻6。因此,在应力变大的区域配置有应变计电阻6，从而能够使应变计电阻6的电阻变化变大。由此，能够提高压力测定精度。根据本发明的一个实施方式的半导体压力传感器的制造方法，在第一基板I上形成有凹部3和对准标记4，在第二基板2上形成有应变计电阻6，所以，能够防止在形成凹部3以及对准标记4时的金属污染引起的应变计电阻6的特性偏差以及可靠性的降低。由此，能够提高压力测定精度。此外，在第一基板I上形成有凹部3，在第二基板2上形成有隔板5，所以，能不被凹部3的深度的偏差影响地研磨第二基板2来形成隔板5。因此，能够提高隔板5的厚度的精度。由此，能够提高压力测定精度。此外，由于以露出对准标记4的方式设置第二基板2，所以，能够辨认对准标记4。因此，不需要IR对准器。由此，能够抑制制造成本。此外，由于在第一基板I的主表面Ia形成有对准标记4，所以，能够确保对准的图案精度，因此对准精度不降低。因此，能够提高应变计电阻6的对位精度。由此，能够提高压力测定精度。此外，由于在第一基板I的主表面Ia形成有对准标记4，所以，与以贯通第二基板2的方式形成有对准标记4的情况相比，能够抑制对准标记4的形成所需要的成本以及时间。由此，能够抑制制造成本。此外，由于第一基板I在主表面Ia形成有对准标记4，所以，通过将对准标记4用于应变计电阻6的对位基准，从而能够使应变计电阻6的对位精度提高。由此，能够提高压力测定精度。特别是，提高应变计电阻6相对于隔板5的位置精度，从而能够使压力为零时的传感器输出(所谓的偏移输出)的偏差变小。此外，根据本发明的一个实施方式的半导体压力传感器的制造方法，还具备使用所露出的对准标记形成与应变计电阻电连接的金属布线的工序。由此，能够提高金属布线的对位精度。通过提高金属布线的对位精度，从而能够抑制金属布线的位置偏离引起的压力测定误差。由此，能够提高压力测定精度。此外，根据本发明的一个实施方式的半导体压力传感器的制造方法，对准标记4形成在晶片状态的第一基板I的外周缘部lb。在不是有效区域的外周缘部Ib设置对准标记4，从而能够确保有效芯片数较多。此外，根据本发明的一个实施方式的半导体压力传感器的制造方法，外周缘部Ib的宽度为从晶片状态的第一基板I的外周端IC起5mm以下。由此，得到能够兼顾利用光刻机进行的对准标记4的识别性和有效芯片区域的最大化的效果。这是根据以下理由。首先，对于对准标记4的利用光刻机的辨认性来说，越使对准标记4向第一基板I的内周侧配置越能够没有问题地进行识别。另一方面，为了使对准标记露出而除去位于其上的第二基板2，因此，越是将对准标记4向第一基板I的内周侧配置，有效芯片区域越减少。而且，除去了第二基板2的部分成为陡峭并且大的阶梯差，所以，可能导致以后形成的应变计电阻6、氧化膜7、金属布线8等的可达范围(coverage)形状降低或剥离的问题。发明人们潜心实验的结果发现，如果对准标记4配置在所谓平台部并且外周缘部Ib的宽度的尺寸为从第一基板I的外周端起5mm以内的范围，则能够兼顾利用光刻机进行的对准标记4的识别性和有效芯片区域的最大化。此外，根据本发明的一个实施方式的半导体压力传感器的制造方法，在研磨了第二基板2之后，对第二基板2进行刻蚀，从而使对准标记4露出。由此，能够防止研磨第二基板2而进一步第一基板I也被研磨从而导致对准标记4消失。此外，不仅是处理时间长的刻蚀，利用使用了磨具的研磨机等进行切削而缩短处理时间，由此，能够提高制造效率。虽然详细地说明并示出了本发明，但是，这仅用于例示而不是限定，应清楚地理解为发明的范围由所附的技术方案解释。
权利要求
1.一种半导体压カ传感器，其特征在于，具备: 第一基板，在主表面具有凹部以及对准标记；以及 第二基板，形成在所述第一基板的所述主表面上，具有以覆盖所述第一基板的所述凹部内的空间上的方式设置的隔板以及在所述隔板上设置的应变计电阻， 所述对准标记以从所述第二基板露出的方式设置。
2.根据权利要求1所述的半导体压カ传感器，其特征在干， 所述第一基板为晶片状态， 在所述晶片状态的所述第一基板的外周缘部设置有所述对准标记。
3.根据权利要求1所述的半导体压カ传感器，其特征在干， 在从所述第一基板和所述第二基板重叠的方向观察而与所述凹部的外缘重叠的位置配置有所述应变计电阻。
4.一种半导体压カ传感器的制造方法，其特征在于，具备如下エ序: 准备在主表面形成有凹部以及对准标记的第一基板； 以具有覆盖所述凹部内的空间上的隔板并且使所述对准标记露出的方式在所述第一基板的所述主表面上形成第二基板； 使用所述露出的所述对准标记，在所述隔板上形成应变计电阻。
5.根据权利要求4所述的半导体压力传感器的制造方法，其特征在干，还具备如下エ序: 使用所述露出的所述对准标记，形成与所述应变计电阻电连接的金属布线。
6.根据权利要求4所述的半导体压力传感器的制造方法，其特征在干， 所述对准标记形成在晶片状态的所述第一基板的外周缘部。
7.根据权利要求6所述的半导体压力传感器的制造方法，其特征在干， 所述外周缘部的宽度为从所述晶片状态的所述第一基板的外周端起5mm以下。
8.根据权利要求4所述的半导体压力传感器的制造方法，其特征在干， 形成所述第二基板的エ序包括如下エ序: 研磨所述第二基板； 在研磨了所述第二基板之后，刻蚀所述第二基板，由此，使所述对准标记露出。
全文摘要
本发明涉及半导体压力传感器以及半导体压力传感器的制造方法。半导体压力传感器具备第一基板(1)，在主表面(1a)具有凹部(3)以及对准标记(4)；第二基板(2)，形成在第一基板(1)的主表面(1a)上，具有以覆盖第一基板(1)的凹部(3)内的空间(IS)上的方式设置的隔板(5)以及在隔板(5)上设置的应变计电阻(6)。对准标记(4)以从第二基板(2)露出的方式设置。由此，能够得到能够抑制制造成本并且能够使压力测定精度提高的半导体压力传感器及其制造方法。
文档编号G01L1/22GK103091007SQ20121020707
公开日2013年5月8日 申请日期2012年6月21日 优先权日2011年10月28日
发明者吉川英治, 出尾晋一 申请人:三菱电机株式会社
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