专利名称：电极体的制作方法
技术领域：
本发明涉及电极体，该电极体使用了电化学測量用传感器芯片，该电极体包括用于测量PH或各种离子种类、电导率、氧化还原电位的測量电极等；作为计算电极电位的标准或作为电化学测量标准的标准电极；以及复合有所述测量电极的复合电极。
背景技术：
在pH传感器中，有一种通过不使用以往的玻璃电极而是使用作为电化学測量用传感器芯片之一的ISFET (Ion Sensitive Field Effect Transistor,离子敏感场效应晶体管)芯片从而小型化了的pH传感器。例如专利文献I所记载的pH传感器，在大体为长、方体形的主体宽的侧面上形成有贯通孔，使ISFET芯片的感应部从该贯通孔露出。所述的PH传感器是通过把pH传感器横放在桌子等上，并用滴管等把微量的试样液体滴入所述贯通孔内来測量PH，或者使贯通孔和ISFET芯片浸溃在液体的测量对象内使用。此外，可以例举的有在专利文献2中记载的pH传感器200A，与上述的pH传感器相同，通过把pH传感器200A放在桌子等上，使测量对象与ISFET芯片3A的感应部接触。为了使皮肤等固体容易与ISFET芯片3A的感应部接触，并且使pH传感器200A厚度减�。缤�8的局部剖视图所示，把所述ISFET芯片3A安装成使薄基板2A的正面一侧为与测量对象物M接触的面，并且感应部在该薄基板2A的背面从贯通孔露出。在所述薄基板2A的背面，通过表面安装安装有用于获得来自所述ISFET芯片3A的输出信号的布线。在专利文献I记载的PH传感器200A中也表示了这样的结构。即，可以明确在存在想把PH传感器200A的厚度减薄或者想容易与测量对象物M接触这样的技术问题的情况下，特别是在构成平板型PH传感器200A的情况下，使用把ISFET芯片3A安装在基板2A背面的结构。可是，有时在探头型pH传感器200A中也使用ISFET芯片3A，所述探头型pH传感器200A的意图不是放置所述的pH传感器200A并使测量对象物M向pH传感器200A —侧移动来进行測量，其主要意图是测量者使PH传感器200A移动，并将pH传感器200A浸溃到测量对象M中或与测量对象M接触。此外，在非专利文献I中表示了一种通过与前述相同的方法形成的pH传感器200A，该pH传感器200A的意图是在把pH传感器200A浸溃在液体的测量对象部中时防止因所述ISFET芯片3A的感应部被气泡覆盖而不能进行测量。如图9所示，该pH传感器200A的形成在棒状主体IA的前端部上的前端面S倾斜地形成，使得与该主体IA的轴向垂直的假想平面V与前端面S成45度角，在该前端面S的中央部配置有ISFET芯片3A。更具体地说，用第一密封材料61A把与所述ISFET芯片3A连接的导线L密封在所述主体IA的中心轴附近的空间中，为了使从放置在所述前端面S上的ISFET芯片3A上部引出的导线L完全绝缘，在该ISFET芯片3A周围堆满第二密封材料62A，从而形成所述前端面S。此外，在其周围的空间收容有液体16A，在所述主体IA的侧面部形成有液接部4A，该液接部4A使内部液体16A和测量对象物M电连接。由于探头型pH传感器200A无须如前所述的平板型pH传感器200A那样采用薄的结构，所以通过导线L获得来自ISFET芯片3A的输出，通过填满环氧树脂等密封材料对该导线L进行绝缘。可是，即使是前述的pH传感器200A，也难以防止浸溃在液体中时在位于所述前端面S的ISFET芯片3A的感应部积存气泡。本发明人对为什么会产生这样的现象进行了专心研究，首先发现了下述事实为了使与所述ISFET芯片3A连接的导线L与测量对象绝缘而堆满了密封材料，所以如图9所示，从前端面S到所述ISFET芯片3A的感应部露出的部分的孔变深了，有时应该沿着前端面S的倾斜跑掉的气泡积存在该孔中，导致不能进行测量。专利文献专利文献I :日本实用新型公开公报实开平7-36054号专利文献2 :日本专利公开公报特开2010-101864号非专利文献
非专利文献I :W. OelBner et el. , Sensors and Actuators B CHEM (2004),Encapsulation of ISFET sensor chips
发明内容
鉴于所述的问题，以本发明人首先发现的见解为基�。痉⒚鞯哪康氖翘峁┮恢值缂澹词乖诎迅玫缂褰谝禾宓牟饬慷韵笾械淖刺拢胍酝啾雀玫缂逡材芄缓芎玫胤乐挂蚱莼嬖诘缁Р饬坑么衅餍酒谋砻娑贾虏荒芙胁饬康奈侍�。S卩，本发明提供一种电极体，其特征在于包括棒状的主体，沿规定的轴延伸；基板，在该基板上形成有贯通表面和背面之间的贯通孔，该基板安装在所述主体的前端部上；以及电化学测量用传感器芯片，设置在所述主体和所述基板之间，以使感应部从所述贯通孔向外部露出的方式安装在所述基板的背面，在所述基板的背面的表面上形成有用于获得来自所述传感器芯片的输出信号的布线，并且所述传感器芯片挨着所述布线安装或者靠近所述布线安装，通过以相对于所述主体的所述规定的轴倾斜的方式安装所述基板，该基板的表面形成相对于所述规定的轴倾斜的前端面的至少一部分。在此，所谓“电极体”的概念包括用于测量pH或各种离子种类的测量电极等、作为计算电极电位的标准或作为电化学测量标准的标准电极以及复合了所述测量电极的复合电极等。此外，所述标准电极例如被称为参比电极、比较电极等，所述标准电极是包括这些电极的概念。此外，所谓“所述传感器芯片挨着所述布线安装或者靠近所述布线安装”的概念包括所述布线与所述传感器芯片直接接触的状态；以及例如在所述布线和所述传感器芯片之间形成非常小的间隙靠近设置，通过焊料等电连接所述布线和所述传感器芯片之间的状态。此外，所谓的所述电化学测量用传感器芯片的概念包括离子浓度测量用、电解质浓度(电导率)测量用、ORP (氧化还原电位)测量用等各种电化学测量用传感器芯片。按照所述的电极体，由于通过把所述基板安装成相对于所述主体的规定的轴倾斜，所述基板表面形成相对于所述规定的轴倾斜的前端面，所以即使将所述基板表面朝下浸溃在液体的测量对象中，也可以使产生的气泡沿所述前端面的倾斜跑掉。此外，由于在所述基板的背面的表面形成有用于获得来自所述传感器芯片的输出信号的布线，并且所述传感器芯片挨着所述布线安装或者靠近所述布线安装，所以可以使从所述前端面到所述传感器芯片的距离与所述贯通孔的深度亦即基板的厚度大体相等。即，由于可以使所述贯通孔成为非常浅的孔，所以可以把所述前端面和所述传感器芯片配置成大体在同一个平面上，可以在测量时使气泡难以积存在所述贯通孔中。从另外的观点说明的话，在本发明中利用所述的结构，无须设置用于从所述传感器芯片获得输出信号的导线，因此无须如以往那样为了保持导线的绝缘而填满密封材料，所以可以使用于使所述传感器芯片露出的贯通孔的深度形成得非常浅。这样，除了可以使气泡沿所述前端面的倾斜跑掉以外，还使用于使所述传感器芯片露出的贯通孔的深度形成得非常浅，因此假设沿前端面逃跑的气泡进入到贯通孔内，也非常难以留在贯通孔内。因此，在所述传感器芯片的表面上几乎没有气泡积存，与以往相t匕，可以很好地防止因气泡造成测量中断的情况。作为用于即使气泡进入所述贯通孔内也可以使气泡立即通过并到达贯通孔外的恰当的结构，优选的是，通过连接所述基板的背面和所述传感器芯片之间的填充材料，形成从所述贯通孔的背面一侧的周围边缘朝向中心部一侧倾斜的倾斜面。按照该结构，与形成贯通所述基板的表面和背面的简单的贯通孔的情况相比，可以使台阶变小，从而可以容易地使进入到贯通孔内的气泡沿所述倾斜面跑掉。
作为用于使所述基板的厚度减�。沟盟龉嵬ǹ椎纳疃染】赡芮常⑶沂乖谒鲋魈搴退龌逯湮藜湎兜陌沧氨涞萌菀椎木咛宓慕峁梗叛〉氖牵鲋魈宓那岸瞬烤哂醒厮龉娑ǖ闹岢弥魈宓那岸艘徊嗤怀龅耐庵懿浚龌宓谋趁嫱獗咴挡堪沧霸谒鐾庵懿可希龅缂寤拱ㄖ屑滩枷撸弥屑滩枷呤杖菰谒鲋魈迥诓浚痈弥魈宓幕艘徊嘞蚯岸艘徊嘌由欤⑶矣胨龌宓谋趁媪�。按照该结构，即使不将所述基板和中继布线作为柔性印刷线路板一体成形，而是把另外设置的中继布线与所述基板的背面连接，防止中继布线与主体的外周部互相干扰，所以可以通过基板没有间隙地盖住所述主体的前端部。作为用于在所述前端面使气泡更容易跑掉的具体的实施方式，可以例举的是与所述规定的轴垂直交叉的假想平面和所述前端面所成的角在30度以下。为了不仅对液体的测量对象，例如对固体的测量对象，也可以简单地获得标准电位而容易进行测量，优选的是，在所述主体内部形成有收容部，该收容部收容有内部电极和内部液体，所述电极体还包括液接部，该液接部是通过从所述收容部贯通所述基板的背面和表面形成的。例如，即使是固体的测量对象，即使是琼脂和明胶等软的东西，以往也会在传感器芯片的感应部积存气泡，但是按照本发明，这样的问题也和液体一样可以得到解决。按照本发明的电极体，由基板表面形成的前端面相对于所述主体的轴向倾斜形成，并且不使用导线而利用形成在基板背面的布线获得来自传感器芯片的输出信号，可以使用于使传感器芯片在前端面露出的贯通孔的深度尽可能浅，所以即使在浸溃在液体的测量对象中的情况下，与以往相比，也能够可靠地防止因在传感器芯片的露出部分积存气泡而造成不能测量的情况。
图I是示意表示本发明一个实施方式的pH传感器的整体立体图。图2是表示与图I为相同实施方式的pH传感器使用状态的示意图。图3是把与图I为相同实施方式的探头部分放大的示意图。图4是示意表示与图I为相同实施方式的探头部分的剖视放大图。
图5是示意表示与图I为相同实施方式的探头前端部分的放大图。图6是示意表示与图I为相同实施方式的探头前端部分的分解立体图。图7是表示有关与图I为相同实施方式的主体和基板之间的连接的特征的示意图。图8是表示以往的平板型pH传感器例子的示意图。图9是表示以往的探头型pH传感器其他例子的示意图。
附图标记说明100…探头(电极体)I…主体16…第二收容部19…外周部2…基板21…表面22…背面23…布线24…第一贯通孔3…ISFET 芯片4…液接部5…中继布线62…第二填充材料621…倾斜面C…中心轴(规定的轴)S…前端面V…假想平面
具体实施例方式参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。如图I的立体图所示，本实施方式的电极体是作为复合电极形成的探头100，通过与主体部101连接构成pH传感器200。在使用时，由使用者握住主体部101，如图2所示，将探头100的前端朝下，并把作为测量部的前端面S浸溃在例如液体的测量对象M中使用。在下面的说明中仅关注探头100进行说明。所述探头100是复合电极，同时具有作为电极电位检测标准的标准电极以及用于测量氢离子浓度的测量电极。所述探头100使用了作为电化学测量用传感器芯片的一种的ISFET芯片3，用于构成所述测量电极。对用于构成该测量电极而使用的ISFET芯片3进行简单说明，在栅极绝缘膜上形成五氧化二钽等离子感应膜，从而形成该ISFET芯片3的感应部。对所述探头100的外观形状进行说明，如图3所示，基端一侧为大体粗圆筒形状，从中央部到前端一侧是直径比基端一侧细的大体细圆筒形状，并且把其前端的一部分在探头100延伸的方向上切掉，使前端面S变成椭圆形。更详细地说，在图3的(a)的主视图中，探头100的前端从长方形变成切掉直角三角形的形状，在图3的(b)的右视图中，前端面S形成椭圆形。在该前端面S上，通过使在标准电极中作为与测量对象M接触的部分的液接部4和构成测量电极的ISFET芯片3露出，在所述前端面S上形成测量部。下面对探头100的各个部件的结构进行说明。图4表示与图3对应的剖视图，图5表示探头100前端部的剖视放大图，图6表示探头100前端部的分解立体图。所述探头100至少包括棒状的主体1，沿规定的轴延伸；基板2，背面22安装在所述主体I的前端部上；ISFET芯片3，在所述主体I的前端部和所述基板2之间，安装在所述基板2的背面22上。S卩，所述基板2以盖盖的方式贴在所述主体I的前端。所述主体I由不透水性的树脂成形，如图3的外观图所示，所述主体I是沿作为规定的轴的中心轴C延伸的、前端一侧比基端一侧细的大体为两节的圆筒形状，把所述主体I的前端部分切断成大体为椭圆形。如图4的(a)的A-A线剖视图所示，该主体I在内部形成两个空洞，从而形成第一收容部12和第二收容部13，并且如图5所示，在前端部的中央部位形成有用于收容所述ISFET芯片3等的凹部14。此外，在所述主体I的基端一侧设置有 与所述主体部101连接的连接端子11，把来自所述ISFET芯片3的信号传递给所述主体部101。所述第一收容部12是沿图4的(a)右侧所示的轴向延伸的空洞，如图4的(a)和图6所示，在第一收容部12内部收容有中继部件FPC5(柔性印刷电路5)，该中继部件FPC5连接所述基板2的背面22和所述连接端子11。此外，中继部件FPC5相当于中继布线。所述第二收容部13是沿图4的(a)左侧的轴向延伸的空洞，从图4的(a)的A-A线剖视图也可以明确，第二收容部13的容积比所述第一收容部12的容积稍大，稍超过主体I的中心轴C，沿半径方向鼓出。该第二收容部13用于收容构成标准电极的、把KCl溶液凝胶化的内部液体16以及浸溃在该内部液体16中的银/氯化银电极15，在前端部形成有由陶瓷等多孔质材料构成的液接部4。如图5的(b)和图6所示，该液接部4从所述基板2的背面22向表面21 —侧贯通，形成与所述基板2的表面21大体相同的面。此外，在所述内部液体16的基端一侧用硅凝胶17盖�。以诨艘徊嗟闹魈錓侧面形成有注入口 18，该注入口 18用于在制造时向第二收容部13注入内部液体16等。该注入口 18在完成的产品中是由树脂完全封住的。所述基板2形成为大体薄板椭圆形，如图5的(a)、图5的(b)的放大图所示，在所述主体I的以倾斜的方式形成的前端部上以盖住所述凹部14的方式安装基板2，通过基板2的表面21形成探头100的前端面S。此外，如图I、图5的(b)、图6所示，在该基板2的中央部以贯通厚度方向的方式形成有第一贯通孔24和第二贯通孔25，第一贯通孔24用于使ISFET芯片3的感应部向外部露出，第二贯通孔25用于使所述液接部4的一端向外部露出。如图5的(b)所示，该基板2的背面周围边缘部与作为在所述主体I的前端部沿所述中心轴方向突出部分的外周部19气密性粘接，并且用由环氧树脂等制成的第一填充材料61密封所述凹部14和所述基板2的背面22之间，使得在即使浸溃在液体的测量对象M中的情况下，液体也不会进入主体I内部。该粘接方法例如不仅仅使用粘接剂，也可以使用超声波粘接，在该情况下，可以对主体I和基板2进行更好的粘接。此外，在所述基板2和所述主体I之间配置有所述ISFET芯片3，用第二填充材料62粘接所述基板2的背面22的中央部与所述ISFET芯片3有感应部的面之间。使该第二填充材料62中包含焊料凸点63，该焊料凸点63用于连接所述ISFET芯片3的导通部和在图6的立体图中所示的形成在所述基板2的背面22上的布线23，利用所谓的倒装芯片安装把所述ISFET芯片3安装在所述基板2上。此外，通过在该倒装芯片安装中使用的第二填充材料62，从所述第一贯通孔24的背面一侧周围边缘部朝向第一贯通孔24的中心轴一侧亦即所述ISFET芯片3的感应部中心，形成倾斜面621。换句话说，不是通过所述第一贯通孔24形成从所述基板2的表面21到所述ISFET芯片3的感应部的陡峭的纵孔，而是使距基板2表面21的深度更连续地变化。因此，即使在液体中气泡进入到第一贯通孔24内，进入的气泡也容易沿该倾斜面621出去，从而能够更加容易地防止气泡积存在所述感应部的周围。下面对相对于所述主体I延伸的中心轴C方向倾斜的、由所述基板2的表面21形成的前端面S进行说明。如图5的(a)所示，该前端面S与假想平面V成规定的角度，所述假想平面V与所述主体I的中心轴C垂直相交。为了在使该前端面S朝下浸入液体的测量对象M的情况下使气泡容易跑掉，只要使所述前端面S和所述假想平面所成的角度在30度以下就可以。在本实施方式中，更优选的时，将所述角度设定为20度。这样，由于不是将前端面S设置成与主体I的轴向垂直的端面，而是倾斜设置，所以在测量时能够容易地使气泡沿前端面S从前端面S向外侧跑掉。 最后，对与把通过倒装芯片安装有所述的ISFET芯片3的基板2向所述主体I的前端部分安装的结构特征，进行更详细地叙述。如图7的(a)和图7的(b)所示，在以往的专利文献I中记载的平板型pH传感器200A中，通过倒装芯片把ISFET芯片3A安装在基板2A上，使用由用于把从ISFET芯片3A输出的信号传送到主体部IOlA的中继布线5A和在所述基板2A的侧面与所述中继布线5A成为一体的FPC形成的结构，使得容易形成平板形。换句话说，以往在进行倒装芯片安装的情况下，只在PH传感器200A中使用把基板2A、ISFET芯片3A、中继布线5A安装在一个柔性基板上的结构。因此，即使尝试利用专利文献I所记载的通过倒装芯片安装有ISFET芯片3A的FPC，如本实施方式那样作为主体IA前端部的盖，来形成前端面S，如图7的(c)所示，因在柔性基板中的中继布线5A部分产生弯曲，造成在半径方向上出现间隙。S卩，测量对象M的液体会进入到主体IA内，从而导致产生各种各样的不利情况。另一方面，在本实施方式中，由于把用于通过倒装芯片安装ISFET芯片3的基板2A和将输出信号传送到主体部101的中继布线5分别形成为单独的部件，并且把所述中继布线的一端不是连接在所述基板2的侧面上，而是用焊料等与背面上的布线23连接，所以如图7的(d)所示，可以通过基板2没有间隙地自然地盖住主体I的前端部。即，通过把以往一体的部件分成两个部件，如本实施方式所示，能够尽可能使基板2A变�。⒛苁沟谝还嵬ǹ�24变浅，并且可以将基板没有间隙地安装在所述主体上，形成前端面S。按照所述结构的本实施方式的电极体，在探头100型的pH传感器200中，以相对于所述主体I的中心轴C倾斜的方式形成所述前端面S，并且不是用导线，而是利用通过表面安装安装在所述基板2的背面22上的布线23，把来自所述ISFET的输出信号传递给中继部件FPC5、连接端子11、主体部101，由于将所述第一贯通孔24的深度形成得非常浅，所以与以往的结构相比，气泡非常难以积存在所述ISFET芯片3的感应部周围，从而可以防止产生测量中断等不利情况。此外，由于相对于大体为圆筒形状的主体I倾斜地形成所述前端面S，所述前端面S为椭圆形，所以可以增加前端面S的面积。因此，可以增加与测量对象M的接触面积；或者可以通过调节贯通孔的尺寸，相反地使接触面积减�。虼松杓频淖杂啥却�。此外，由于可以在前端面S和所述主体I的前端部之间形成大的空间，所以也能够容易地配置ISFET芯片3、液接部4和其他部件等。对其他的实施方式进行说明。在所述实施方式中，采用复合了标准电极和测量电极的复合电极，但也可以通过ISFET芯片仅构成测量电极。此外，所述标准电极不限于所述实施方式，也可以是其他成分的内部液体和内部电极的组合。此外，也可以通过在所述前端面上形成Pt膜等来形成伪标准电极(疑似基準電極)，替代标准电极。此外，作为ISFET芯片的其他例子，可以举出作为基体材料使用Si、塑料、MgO、蓝宝石、PET等，在该基体材料上形成氧化铱膜得到的芯片。此外，作为ISFET芯片以外的电化学测量用传感器芯片的例子，可以举出使用了 Pt的测量电导率用的传感器芯片。具体地 说，该传感器芯片是在PET等基体材料表面上平行形成两根Pt线，使测量对象进入到这些Pt线之间，从而测量因离子浓度造成的电导率的变化。此外，也可以使用在表面上仅形成一根Pt线的ORP测量用传感器芯片。即使使用这样的传感器芯片也可以构成所述实施方式。总之，只要是可以作为测量电极使用的传感器芯片，就可以得到本发明的效果。此外，如上所述，通过恰当地选择电化学测量用传感器芯片，本发明不仅可以构成PH传感器，也可以构成电导率传感器、ORP传感器、离子浓度传感器等各种电化学测量用的传感器。在所述实施方式的前端面下部可以配置对测量值进行温度修正用的热敏电阻等。
此外，也可以不使液接部在前端面露出，例如在所述主体的前端部中，可以使所述液接部在侧面露出。此外，无需在所述基板的表面上形成整个前端面，可以在一部分所述主体的前端部上形成前端面。总之，只要至少使形成有第一贯通孔的周围是基板，并且使贯通孔的深度不过深就可以，所述第一贯通孔用于使所述ISFET芯片的感应部露出。此外，在所述实施方式中以pH传感器为例，但是，当然也可以在所述ISFET芯片的栅极绝缘膜上形成选择质子以外的离子的膜，进行其他种类离子的测量。在所述实施方式中，所述主体的形状为大体圆筒形，所述主体当然也可以是其他形状，例如可以是方柱形，中心轴也可以弯曲。总之，只要在主体的前端部使所述前端面相对于假想平面倾斜就可以，所述假想平面与所述主体延伸的规定的轴垂直。除此以外，在不脱离本发明的宗旨的范围，当然可以进行各种各样的变形和实施方式的组合。工业实用性按照本发明的电极体，由基板表面形成的前端面相对于所述主体的轴向倾斜形成，并且不使用导线而利用形成在基板背面的布线获取来自传感器芯片的输出信号，能够使用于使传感器芯片在前端面露出的贯通孔的深度尽可能浅，所以即使在浸溃在液体的测量对象中的情况下，与以往相比，也能够可靠地防止因气泡积存在传感器芯片的露出部分而造成不能测量的情况。
权利要求
1.一种电极体，其特征在于包括 棒状的主体，沿规定的轴延伸； 基板，在该基板上形成有贯通表面和背面之间的贯通孔，该基板安装在所述主体的前端部上；以及 电化学测量用传感器芯片，设置在所述主体和所述基板之间，以使感应部从所述贯通孔向外部露出的方式安装在所述基板的背面， 在所述基板的背面的表面上形成有用于获得来自所述传感器芯片的输出信号的布线，并且所述传感器芯片挨着所述布线安装或者靠近所述布线安装， 通过以相对于所述主体的所述规定的轴倾斜的方式安装所述基板，该基板的表面形成相对于所述规定的轴倾斜的前端面的至少一部分。
2.根据权利要求I所述的电极体，其特征在于，通过连接所述基板的背面和所述传感器芯片之间的填充材料，形成从所述贯通孔的背面一侧的周围边缘朝向中心部倾斜的倾斜面。
3.根据权利要求I所述的电极体，其特征在于， 所述主体的前端部具有沿所述规定的轴朝该主体的前端一侧突出的外周部， 所述基板的背面外边缘部安装在所述外周部上， 所述电极体还包括中继布线，该中继布线收容在所述主体内部，从该主体的基端一侧向前端一侧延伸，并且与所述基板的背面连接。
4.根据权利要求I所述的电极体，其特征在于，与所述规定的轴垂直交叉的假想平面和所述前端面所成的角在30度以下。
5.根据权利要求I所述的电极体，其特征在于， 在所述主体内部形成有收容部,该收容部收容有内部电极和内部液体， 所述电极体还包括液接部，该液接部是通过从所述收容部贯通所述基板的背面和表面形成的。
全文摘要
本发明提供一种电极体，能更好地防止因气泡积存在传感器芯片表面而不能进行测量的情况，该电极体包括棒状的主体，沿规定的轴延伸；基板，形成有贯通表面和背面之间的贯通孔，安装在所述主体的前端部；电化学测量用芯片，以使感应部从所述贯通孔向外部露出的方式安装在基板的背面上，在所述基板的背面的表面上形成有布线，用于获得来自所述ISFET芯片的输出信号，并且使所述传感器芯片挨着或靠近所述布线安装，通过相对于所述主体的规定的轴倾斜安装所述基板，该基板的表面形成相对于所述规定的轴倾斜的前端面的至少一部分。
文档编号G01N27/28GK102735730SQ20121008362
公开日2012年10月17日 申请日期2012年3月27日 优先权日2011年3月31日
发明者上田康史, 大川浩美, 山内悠 申请人:株式会社堀场制作所
专业数控铣床产品供应商
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