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Lcr数字电桥的制作方法

时间:2025-05-10    作者: 管理员

专利名称:Lcr数字电桥的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种数字电桥,尤其是能采用高频信号源测量待测元件的数字电桥,具体地说是一种LCR数字电桥。
背景技术:
LCR电感(L)、电容(C)和电阻(R)作为基本元器件,在电子产品中被广泛使用。随着电子产品的技术与性能不断发展和提高,国内相关行业对元器件的检测技术的要求也在不断的提高,特别是对元器件在IMHz及以上频率条件下参数测量的需求与日俱增。因此, 频率达到上MHz、信号电平达到ImV的LCR测试仪,有助于了解元器件在实际工作条件下的真实性能,提高产品的性能与可靠性。
发明内容本实用新型的目的是针对目前元器件在IMHz及以上频率条件下参数测量的需求与日俱增的问题,提出一种LCR数字电桥。本实用新型是频率达到上MHz、信号电平步进达到ImV的LCR测试仪,有助于了解元器件在实际工作条件下的真实性能,提高产品的性能与
可靠性。本实用新型的技术方案是一种LCR数字电桥,它包括基准时钟、与基准时钟相连的三个DDS信号源、测量信号发生器、源电阻、连接被测元件的输入电路、自动平衡电桥、两滤波器、两混频器、双路同步A/D转换器和ARM处理器,所述的第一 DDS信号源的输出与测量信号发生器的输入端相连,测量信号发生器的信号输出端通过源电阻驱动输入电路所连接的被测元件,输入电路的两测量电压端分别通过滤波器与对应混频器的一信号输入端相连,两混频器的另一信号输入端均与第二 DDS信号源的信号输出端相连,两混频器的信号输出端分别与双路同步A/ D转换器的对应信号输入端相连,双路同步A/D转换器的信号源端与第三DDS信号源的输出相连,双路同步A/D转换器的输出与ARM处理器的信号输入端相连,ARM处理器与IXD显示器、分选接口的对应信号端相连,输出被测元件的对应电参数。本实用新型的第一 DDS信号源输出信号的频率范围是20Hz 5MHz,分辨率 0. OlHz0本实用新型的测量信号发生器的信号输出端依次串接滤波器、功率放大器后通过源电阻连接输入电路,驱动被测元件。本实用新型的被测元件通过输入电路与一组四端对结构相连。本实用新型的ARM处理器与存储器单元、通讯接口、键盘的对应信号端相连。本实用新型的有益效果本实用新型的LCR数字电桥是频率达到上MHz、信号电平达到ImV的LCR测试仪, 有助于了解元器件在实际工作条件下的真实性能,提高产品的性能与可靠性。
图1是本实用新型的原理框图。图2是四端对结构的示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明。如图1所示,本系统的测量信号发生器能产生频率从20Hz 5MHz (分辨率 0. OlHz)、幅度从mVrms 5Vrms (ImV步进)变化的正弦信号,以及-5V +5V的内部直流偏置电压。测试信号经过一组滤波器后,送入一个带自动电平调整功能(ALC)的功放进行放大,再通过源电阻去驱动被测元件。被测元件通过输入电路与一组四端对结构相连,自动平衡电桥使Lp端始终虚地,形成两路矢量电压。被测的两路矢量电压经分别滤波、混频后一起送入双路同步A/D转换器。A/D转换电路把矢量电压经数字处理后,由ARM处理器进行实时数字相敏检波分成实部和虚部分量,最后计算出Z、L、C、R等不同的电参数进行显示或分选。具体实施时测试信号源信号源用于测量时模拟实际的电路条件,本系统的信号源能产生宽频、宽幅及步长可变的信号电平,且有恒压、恒流功能。本系统由42. 9497MHz的晶振产生一个时钟基准,同时驱动三个DDS合成信号源,三个DDS合成信号源由ARM处理器给出相应的数据分别产生三个不同的信号源。测试信号的产生用户通过控制面板设置测试信号的频率和电平,由ARM处理器给出相应的数据,分别送入DDS合成电路和D/A转换电路的数据输入脚,产生相应的正弦信号(Fe)。正弦信号通过低通滤波器后送入功率放大电路,再经过输出电阻输出到被测元件上。混频基准信号的产生由于本系统的测试频率最高可以达到5MHz,因此测试信号的频率设定后,ARM处理器会根据测试信号频率的不同,控制与混频器时钟输入端相连的 DDS合成电路经比较器变成方波再分频后产生混频基准信号Fr。这样,被测的矢量电压经过混频器后,其频率最终变成Ft (Ft=Fc-nFr, η是整数),Ft是一个不大于IKHz的正弦信号。采样信号的产生控制面板设置了测试信号的频率后,由ARM处理器根据测试信号的频率(Fe)以及每周期(Tc)的采样点数(N)计算出采样信号的基准频率(Fsr),并给出相应的数据,送入与双路同步A/D转换器时钟引脚相连的DDS合成电路的数据输入脚,DDS 合成电路输出的频率信号经比较器变成方波后送入双路同步A/D转换器的时钟脚,再由A/ D转换器内部的逻辑电路生成最终的采样信号Fs (Fs=NXFt)。四端对结构四端对结构(4TP)示意图,如图2所示,四端对结构解决了互感耦合、 杂散电容、引线电感、引线电阻等问题,因为它用同轴电缆把信号电压通路与电流通路相隔离,返回电流通过同轴电缆的屏蔽层,使外导体(屏蔽层)抵消了内导体所产生的磁通。这种配置结构的测量范围可以达到1Ω以下100ΜΩ以上,结合自动平衡电桥方法,可以在 20Hz 5MHz内对其进行精确的阻抗测量。自动平衡电桥自动平衡电桥通过测量τι两端的电压和流过τι上的电流来计算阻抗等参数。Hp端和Hc端相互隔离,这样可精确测量T^上的电压。电流从Hc端流向Lc 端,依靠一个反馈环路,使得G点维持虚地并使电流流过量程电阻Rs。因此,通过测量量程电阻上的电压,即可测得流过k上的电流。A/D转换电路矢量电压Vu和Vs会同时通过双路滤波器和一个由同一基准时钟控制的双路混频器,最后又送入一个双通道的同步A/D转换器,以消除由通道而引起的测量误差。由ARM微处理器从A/D转换器数据端实时读取Vu和Vs对应的转换值,由ARM处理器进行实时数字相敏检波分成实部和虚部分量。通过电压Vu和电流Vs的实部分量和虚部分量,ARM微处理器就可以计算出等效串联电抗或等效并联电抗等一系列的电参数。本实用新型未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
权利要求1.一种LCR数字电桥,其特征是它包括基准时钟、与基准时钟相连的三个DDS信号源、 测量信号发生器、源电阻、连接被测元件的输入电路、自动平衡电桥、两滤波器、两混频器、 双路同步A/D转换器和ARM处理器,所述的第一 DDS信号源的输出与测量信号发生器的输入端相连,测量信号发生器的信号输出端通过源电阻驱动输入电路所连接的被测元件,输入电路的两测量电压端分别通过滤波器与对应混频器的一信号输入端相连,两混频器的另一信号输入端均与第二 DDS信号源的信号输出端相连,两混频器的信号输出端分别与双路同步A/D转换器的对应信号输入端相连,双路同步A/D转换器的信号源端与第三DDS信号源的输出相连,双路同步A/D转换器的输出与ARM处理器的信号输入端相连,ARM处理器与 LCD显示器、分选接口的对应信号端相连,输出被测元件的对应电参数。
2.根据权利要求1所述的LCR数字电桥,其特征是所述的第一DDS信号源输出信号的频率范围是20Hz 5MHz,分辨率0. OlHz0
3.根据权利要求1所述的LCR数字电桥,其特征是所述的测量信号发生器的信号输出端依次串接滤波器、功率放大器后通过源电阻连接输入电路,驱动被测元件。
4.根据权利要求1所述的LCR数字电桥,其特征是所述的被测元件通过输入电路与一组四端对结构相连。
5.根据权利要求1所述的LCR数字电桥,其特征是所述的ARM处理器与存储器单元、通讯接口、键盘的对应信号端相连。
专利摘要一种LCR数字电桥,它包括基准时钟、与基准时钟相连的三个DDS信号源、测量信号发生器、源电阻、连接被测元件的输入电路、自动平衡电桥、两滤波器、两混频器、双路同步A/D转换器和ARM处理器,测试信号通过源电阻去驱动被测元件,被测元件通过输入电路与一组四端对结构相连,自动平衡电桥使Lp端始终虚地,形成两路矢量电压。被测的两路矢量电压经分别滤波、混频后一起送入双路同步A/D转换器,输出至ARM,ARM处理器输出对应电参数进行显示或分选。本实用新型的LCR数字电桥是频率达到上MHz、信号电平步进达到1mV的LCR测试仪,有助于了解元器件在实际工作条件下的真实性能,提高产品的性能与可靠性。
文档编号G01R31/00GK202330599SQ20112049408
公开日2012年7月11日 申请日期2011年12月2日 优先权日2011年12月2日
发明者丁杨, 沈小锋 申请人:常州中策仪器有限公司

  • 专利名称:游标卡尺的制作方法技术领域:本实用新型涉及国际专利分类中的G01B,即长度、厚度及类似线性尺寸的测量;角度、面积、不规则的表面及轮廓的测量,特别是一种游标卡尺。背景技术:现有技术中的卡尺,即传统的游标卡尺,其目的是供测量零件用。其
  • 专利名称:Mems加速度传感器的多参数批量测试设备的制作方法技术领域:本发明涉及MEMS加速度传感器的标定校准技术,具体是一种MEMS加速度传感器的多参数批量测试设备。背景技术:MEMS加速度传感器广泛应用于汽车工业、工业过程控制、医用保健
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  • 专利名称:一种浓密膏体管道流速测量的装置的制作方法技术领域:本实用新型涉及一种管道输送领域的流速测量装置,特别是涉及一种浓密膏体管道流速测量的装置。背景技术:高浓度黏稠固体废弃物,是指工业生产及市政污水处理过程中产生的含固量高、 粘度大、颗
  • 专利名称:一种磁电子罗盘误差补偿方法技术领域:本发明专利涉及利用地磁场实现定向功能的磁电子罗盘,给出了 一种磁电子罗盘的测量误差补偿方法。技术背景当磁电子罗盘固定在载体上以后,地磁方位角测量结果会受到周 围铁磁物质的影响。干扰磁场由硬铁磁场
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