专利名称：超级电容放电曲线采集装置的制作方法
技术领域：
本发明属于电容技术领域，特别涉及一种超级电容放电曲线采集装置。
背景技术：
超级电容也叫做电化学电容器，具有性能稳定、使用寿命长等特点，近年来在电动汽车、太阳能发电、重型机械等领域表现出前有未有的发展趋势，很多发达国家都已把关于超级电容的项目作为国家重点科研方向，超级电容在国内市场上也呈现出蓬勃发展的景象。超级电容的性能测试是超级电容技术研究的主要方面
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明提供一种超级电容放电曲线采集装置。本发明的技术方案是这样实现的该超级电容放电曲线采集装置包括微处理器、IGBT、限流电阻、示波器、电流传感器和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT放电电阻和超级电容相连接，放电电阻和超级电容相连接，电流传感器串联在放电回路。装置工作时,微处理器发出控制信号，IGBT导通，超级电容通过放电电阻放电，电流传感器采集放电回路曲线并传递给示波器，示波器记录超级电容的放电过程。本发明的优点该超级电容放电曲线采集装置结构简单、操作安全、装置稳定性强。
图I为本发明超级电容放电曲线采集装置结构图。
具体实施例方式本发明的详细结构结合实施例加以说明。该超级电容放电曲线采集装置结构如图I所示，IGBT型号选取1MBI200L-120、微控制器选取型号为PIC16F877A，电流传感器选择CHB300-P。该超级电容放电曲线采集装置由微处理器PIC16F877A、IGBT 1MBI200L-120、放电电阻、示波器、电流传感器CHB300-P和超级电容组成，微处理器与IGBT相连接，IGBT放电电阻和超级电容相连接，放电电阻和超级电容相连接，电流传感器串联在放电回路。装置工作时，微处理器发出控制信号，IGBT导通，超级电容通过放电电阻放电，电流传感器采集放电回路曲线并传递给示波器，示波器记录超级电容的放电过程。
权利要求
1.一种超级电容放电曲线采集装置，其特征在于包括微处理器、IGBT、限流电阻、示波器、电流传感器和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT放电电阻和超级电容相连接，放电电阻和超级电容相连接，电流传感器串联在放电回路。
全文摘要
一种超级电容放电曲线采集装置，属于电容技术领域。该超级电容放电曲线采集装置包括微处理器、IGBT、限流电阻、示波器、电流传感器和超级电容，微处理器与IGBT相连接，IGBT放电电阻和超级电容相连接，放电电阻和超级电容相连接，电流传感器串联在放电回路。装置工作时，微处理器发出控制信号，IGBT导通，超级电容通过放电电阻放电，电流传感器采集放电回路曲线并传递给示波器，示波器记录超级电容的放电过程。本发明的优点该超级电容放电曲线采集装置结构简单、操作安全、装置稳定性强。
文档编号G01R31/00GK102914716SQ20121043915
公开日2013年2月6日 申请日期2012年11月7日 优先权日2012年11月7日
发明者李翠, 封仕燕, 刘聪 申请人:沈阳创达技术交易市场有限公司
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