专利名称：多晶硅硅棒碰壁检测装置的制作方法
技术领域：
本实用新型针对多晶硅在多晶硅还原炉内由于某种原因导致其与炉壁接触发生危险而设计的碰壁检测装置。
背景技术：
多晶硅在还原炉内是以棒状的结构由细变粗生长，多晶硅棒在高温度、高气压及大电流大电压环境生长过程中，很多因素会导致多晶硅棒断裂倾倒在炉壁上，致使带电硅棒与炉壁接触，在接触过程中发生电火花，严重时会击穿炉壁，破坏炉体并将炉体内易腐蚀性气体三氯氢硅等气态原料泄露到还原炉内，致使发生严重的工业事故，严重威胁人得生命安全及企业财产。在硅棒碰壁过程中，虽然会带来电压及电流的变化，但不同的情况下，电压及电流变化的趋势不同，且不易捕捉，利用软件不易检测，且误动作比较多。硅棒碰壁在多晶硅还 原电源中属于严重故障，必须进行跳闸处理，因此过多的误动作会给厂家带来许多不必要的损失。
实用新型内容本实用新型的目的就在于设计一款能检测多晶硅硅棒与炉壁碰壁的装置。本装置为自动检测装置，通过自身产生特定电源，加于硅棒电极与炉壁之间，一旦发生碰壁故障，本装置可通过碰壁电流的大小来准确检测。此装置检测准确，误动作较少，对保证还原炉正常运行具有较高的使用价值。毫无疑问，本技术也可以用于其它接地检测装置。本实用新型的技术方案如下—种多晶硅硅棒碰壁检测装置，包括信号发生源、信号隔离器及信号处理器，所述信号发生源分别与信号隔离器和信号处理器电连接，所述信号隔离器和信号处理器电连接，所述多晶硅硅棒碰壁检测装置为有源检测装置。进一步所述信号隔离器采用高频高压变压器进行隔离，隔离电压范围在IKV至3KV之间。进一步所述信号隔离器电连接有阻抗匹配。
图I为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细的说明如图I所示，是本实用新型的结构示意图。本实用新型包括信号发生源I、信号隔离器2及信号处理器3，信号发生源I分别与信号隔离器2和信号处理器3电连接，信号隔离器2和信号处理器3电连接，该多晶硅硅棒碰壁检测装置为有源检测装置。信号发生器1，产生特定频率特定大小的电压信号，频率的选择应该根据整套系统的参数(包括变压器漏容、漏感；还原电源与地之间的漏容及漏感等)来选择，频率太高，此装置需要的输出功率偏大，功率放大部分负担比较重，且放大芯片不易选择；频率太�。乖缭醇肮璋襞霰谖恢枚云浼觳庥泻艽蟮挠跋欤灰浊峙霰谧刺约觳饩扔泻艽蟮挠跋�。当频率及电压幅值选择以后，通过此后的功率放大芯片将其电流功率进行放大，为检测回路提供输出能力；信号隔离器2，多晶硅还原炉供电系统一般为2000V左右，由于电压比较高，必须在检测回路与主回路之间进行隔离，此处采用变压器进行隔离；另外，根据不同应用环境必须进行阻抗匹配，以得到合适的输出电压；信号处理器3，包括信号采集部分，滤波处理部分及信号处理和报警系统。其中信号采集采用采样电阻对碰壁电流进行采集，滤波部分将其高频及低频干扰进行滤除，使其得到纯净的信号。然后经过整形电路将其与门槛信号进行比较，如果大于门槛电压就使小型断路器动作，进而通知上位机，碰壁故障发生，反之就不动作。以上对本实用新型的具体实施例作了详尽的表述，但本领域的工程技术人员应明了凡基于本实用新型权利保护范围内的以及不脱离本实用新型权利要求宗旨变化均应在 本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种多晶硅硅棒碰壁检测装置，其特征在于包括信号发生源、信号隔离器及信号处理器，所述信号发生源分别与信号隔离器和信号处理器电连接，所述信号隔离器和信号处理器电连接，所述多晶硅硅棒碰壁检测装置为有源检测装置。
2.根据权利要求I所述装置，其特征在于所述信号隔离器采用高频高压变压器进行隔离，隔离电压在IKV至3KV。
3.根据权利要求I所述装置，其特征在于所述信号隔离器电连接有阻抗匹配。
专利摘要本实用新型公开了一种多晶硅硅棒碰壁检测装置，包括信号发生源、信号隔离器及信号处理器，所述信号发生源分别与信号隔离器和信号处理器电连接，所述信号隔离器和信号处理器电连接，所述多晶硅硅棒碰壁检测装置为有源检测装置。本实用新型通过碰壁电流的大小来准确检测，误动作较少，对保证还原炉正常运行具有较高的使用价值。
文档编号G01V3/02GK202512250SQ201120267709
公开日2012年10月31日 申请日期2011年7月27日 优先权日2011年7月27日
发明者刘军, 吴海涛, 崔剑林, 张霞, 王留菊, 马建立 申请人:北京京仪椿树整流器有限责任公司
专业数控铣床产品供应商
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