专利名称：用于隔绝冷冻剂容器的系统和方法
技术领域：
本文所公开的主题一般涉及诸如用于磁共振成像(MRI)系统之类的低温冷却超导磁体，以及更具体来说，涉及用于隔绝超导磁体的冷冻剂容器或者热屏蔽的系统和方法。
背景技术：
在超导线圈MRI系统中，形成超导磁体的线圈使用冷冻剂容器、通常为氦容器(又称作低温恒温器)来低温冷却。在MRI系统的某些操作条件或转移期间，所生成的热量能够使线圈的局部区域过热并且创建正常区域，在正常区域中导体失去超导性质，并且转移到正常电阻状态。正常区域将因焦耳热和热传导而通过线圈扩展，这引起骤冷事件(quenchevent)。骤冷伴随着从电磁线圈浸入其中的冷冻剂槽逸出的氦的迅速汽化。之后接着磁体的再填充和再倾斜(再线性变化)的各骤冷是昂贵且费时的事件。相应地，用于MRI系统的冷却和隔绝系统用于使超导电磁线圈的过热的可能性为最小。 例如，这些MRI系统的一部分的冷冻剂冷却系统包括低温冷却器，例如冷头套筒中的冷头，它进行操作以再冷凝汽化的冷冻剂，以便在系统操作期间持续冷却超导电磁线圏。另外，绝热可设置在氦容器周围以便将氦例如与外部热辐射或者进入和离开氦容器的其它形式的热传递隔绝。但是，为了提供隔绝或者增进这些常规绝热的绝热性质，需要附加热层或者高成本修改。
发明内容
按照各个实施例，提供用于超导磁体的绝热器，该绝热器包括第一多个反射器层以及第ー多个反射器层中的相邻层之间的非变形分隔层。绝热器还包括第二多个反射器层以及第ニ多个反射器层中的相邻层之间的变形分隔层。按照其它实施例，提供磁共振成像(MRI)磁体系统，该系统包括其中具有液态氦的容器以及容器中的超导磁体。MRI磁体系统还包括包围氦容器的热屏蔽。MRI磁体系统还包括将容器或热屏蔽中的至少ー个的至少一部分包围的绝热器，其中绝热器包括具有相邻反射器层之间的非变形分隔层的多个反射器层以及具有相邻反射器层之间的变形分隔层的多个反射器层。按照又一些实施例，提供一种用于形成磁共振成像系统(MRI)的绝热器的方法。该方法包括使多个分隔层变形以及层叠第一多个反射器层，非变形分隔层处于其间。该方法还包括层叠第二多个反射器层，变形分隔层处于其间。该方法还包括形成具有第一和第ニ多个反射器层的多层绝热器。
图I是示出按照各个实施例所形成的绝热的磁共振成像(MRI)磁体系统的简化框图。图2是示出按照各个实施例所形成的冷冻剂容器的绝热布置的简图。
图3是示出按照ー个实施例所形成的绝热布置的简化图。图4是按照各个实施例所形成的绝热器的一部分的框图。图5是按照一个实施例所形成的分隔层的切面图。图6是图5的分隔层的透视图。图7是按照另ー个实施例所形成的分隔层的切面图。图8是图7的分隔层的透视图。图9是按照另ー个实施例所形成的分隔层的切面图。图10是图9的分隔层的透视图。图11是按照一个实施例所形成的多层绝热器的示意图。 图12是MRI系统中按照一个实施例所形成的多层绝热器的不意图。图13是用于形成按照各个实施例的绝热器的方法的流程图。图14是MRI系统的框图，其中可实现按照各个实施例所形成的绝热。附图标记说明
20 MRI磁体系统；22氦容器；24真空容器；26热屏蔽；28冷头；30冷头套筒；32马达；34开ロ端；36再冷凝器；38通道；46超导磁体；50绝热器；52内径表面；54外径表面；56液态氦；60反射器层；62分隔层；70起褶结构；72褶；80压纹结构；82凸起部分；90 卷皱结构；92折皱；100 分隔层；102 热端；104 冷端；110方法；112使分隔层变形；114层叠反射器层和非变形分隔层，以便形成MLI覆盖层的热端；116 继续朝MLI覆盖层的冷端层叠反射器层和非变形分隔层；118 层叠反射器层和变形分隔层，以便形成MLI覆盖层的冷端；120 耦合层以形成MLI覆盖层；140MRI系统；142成像部分；144处理部分；146扫描架；152绝热；154磁梯度线圈；156 RF发射线圏；158控制器；160主磁场控制；162梯度场控制；164存储器；166显示装置；168 T-R开关；170 RF发射器；172接收器；174膛。
具体实施例方式通过结合附图进行阅读，将会更好地理解以上概述以及某些实施例的以下详细描述。在附图示出各个实施例的功能块的简图的意义上，功能块不一定指示硬件之间的划分。因此，例如，功能块的ー个或多个可通过单个硬件或者多个硬件来实现。应当理解，各个实施例并不局限于附图所示的布置和工具。本文所使用的、以单数形式叙述并且冠有数量词“ー(a，an)”的元件或步骤应该被理解为不排除多个所述元件或步骤的情况，除非明确说明了这种排除情況。此外，提到“ー个实施例”并不是要被解释为排除也结合了所叙述特征的其它实施例的存在。此外，除非相反的明确说明，否则，“包括”或“具有”带特定性质的元件或多个元件的实施例可包括没有那种性质的附加的这类元件。各个实施例提供用于绝热磁共振成像(MRI)系统、具体来说是绝热MRI系统的冷冻剂容器的系统和方法。具体来说，可提供具有反射器层和分隔层的冷冻剂容器的多层隔绝(MLI)以用于隔绝冷冻剂容器中的MRI磁体。在各个实施例中，分隔层的ー个或多个例如从一般平滑或平坦片形式变形(例如打裙(pleated)、压纹(embossed)或卷皱(crinkled))。本文所使用的“使分隔层变形”指的是分隔层的任何类型的变形，例如改变形状、纹理等。通过实施至少ー个实施例，MRI结构的相邻层之间的厚度(Ioft)或传导距离增カロ，而分隔层与反射器层之间的接触表面积也降低，这降低传导热泄漏。另外，减少数量的层也可用于提供相同等级的热泄漏性能。图I和图2示出具有按照各个实施例所形成的MLI的实施例。具体来说，图I和图2是示出包括ー个或多个超导磁体的诸如MRI磁体系统20之类的超导磁体系统的简化框图。应当注意，相似标号在附图中通篇表示相似部分。另外，应当注意，各个实施例的相对位置是为了便于说明而示出，而不一定表示各个实施例中的各种组件的定位或取向。MRI磁体系统20包括保持诸如液态氦之类的液态冷冻剂的容器22。因此，在这个实施例中，容器22是氦容器，又称作氦压カ容器。容器22由真空容器24包围，并且其中和/或它们之间包括热屏蔽26。热屏蔽26可以是例如热隔离辐射屏蔽。在各个实施例中作为低温冷却器的冷头28在冷头套筒30 (例如壳体)中贯穿真空容器24。因此，冷头28的冷端可定位在冷头套筒30中，而没有影响真空容器24中的真空。使用诸如ー个或多个法 兰和螺栓之类的任何适当装置或者本领域已知的其它装置将冷头28插入(或容纳于)并紧固于冷头套筒30中。此外，冷头28的马达32设置在真空容器24的外部。如图2所示，各个实施例中的冷头套筒30包括其一部分可延伸到氦容器22中的冷头套筒30的下端的再冷凝器36。再冷凝器36再冷凝来自氦容器22的汽化氦气体。再冷凝器36还经由一个或多个通道38耦合到氦容器22。例如，可提供从氦容器22到再冷凝器36的通道38以用于将汽化氦气体从氦容器22传递到再冷凝器36，再冷凝器36则可在开ロ端34将再冷凝的氦液体回传给氦容器22。在各个实施例中作为超导磁体的磁体46设置在氦容器22的内部，并且在MRI系统的操作期间按照本文中更详细描述来控制以获取MRI图像数据。另外，在MRI系统的操作期间，MRI磁体系统20的氦容器22中的液态氦冷却超导磁体46，超导磁体46如已知的那样配置为线圈部件。超导磁体46可冷却到例如超导温度、如4. 2开尔文(K)。冷却过程可包括汽化氦气体由再冷凝器36再冷凝成液体并且返回到氦容器22。应当注意，汽化氦还可经过将氦容器22连接到热屏蔽26的一个或多个可选气体通道(未示出)。在各个实施例中，绝热器50设置在氦容器22的周围，它在一个实施例中作为MLI结构来形成。例如，如下所述，MLI结构可包括多个反射器层和多个分隔层。在各个实施例中，绝热器50限定包围氦容器22和/或热屏蔽26的全部或者一部分(仅为了说明在图I和图2中示为包围氦容器22和热屏蔽26)的绝热覆盖层。例如，绝热器50可围绕氦容器22 (其中具有液态氦56)周向延伸，这可包括包围内径表面52和外径表面54，如示出布置的简化图的图3所示。但是，绝热器50可以仅沿氦容器22的表面的部分、例如沿侧面而不沿其端部延伸。在其它实施例中，绝热器50限定绝热覆盖层，绝热覆盖层仅包围热屏蔽26的一部分或者仅包围热屏蔽26。在又一些实施例中，绝热器50限定绝热覆盖层，绝热覆盖层包围氦容器22以及热屏蔽26 (它可以是例如两个覆盖层或单个覆盖层结构)。绝热器50可按照任何适当方式设置或定位成包围氦容器22、热屏蔽26或者它们两者。绝热器50如图4所示包括多层，其中绝热器50的一部分包括设置在变形分隔层62每侧的至少ー个反射层60之间的至少ー个变形分隔层62。相应地，分隔层62夹合或定位在两个反射器层60、例如相邻层之间。应当注意，相邻层不一定是邻接层。因此，分隔层62可设置在两个反射器层60之间，并且在其间从ー个反射器层60延伸到下ー个反射器层60 (或者小于两个反射器层60之间的距离)。反射器层60和分隔层62可由任何适当材料来形成以用于隔绝氦容器22和/或热屏蔽26，这可包括降低进入和离开氦容器22和/或热屏蔽26的热传递。如下面更详细描述，各个实施例中的层的配置和布置以不同方式设置在绝热器50的冷端、即更靠近氦容器22和/或热屏蔽26的表面的一端以及绝热器50的热端、即更远离氦容器22和/或热屏蔽26的表面的一端。仅为了示范目的，反射器层60可由双面镀铝聚酷薄膜(DAM)材料来形成。但是，反射器层60可例如由具有反射表面、例如其两侧涂敷有反射材料的不同聚合物来形成。分隔层62可例如由诸如纺织布材料、丝绸或者人造丝网或网眼、纺粘聚酯等等的任何类型的非导电聚合物层来形成。分隔层62可由具有导热性的材料来形成，从而允许热量从ー个反射器层60传导到下ー个反射器层60。分隔层62 —般限定相邻反射器层60之间的空间，并且维持相邻分隔层62之间的距离。分隔层62变形为使得层可由变形为使得片不是平坦的材料片来形成。例如，分隔 层62变形为使得在分隔层62包围氦容器22和/或热屏蔽26吋，分隔层62在分隔层62围绕氦容器22和/或热屏蔽26周向延伸时没有恒定直径或厚度。因此，分隔层62沿其表面不是平滑的，而是具有变化的高度或厚度。分隔层62可采取任何形式或形状。图5至图10示出可提供的分隔层62的不同实施例。但是，考虑变化，并且分隔层62可以是任何类型的变形层。例如，如图5和图6所示，分隔层62可由一般折叠或打褶结构70来形成。应当注意，虽然褶72示为具有一般三角形截面，但是褶72可采取不同形状和形式。例如，褶72可具有圆端或者其它多边形配置。另外，褶72的宽度和高度可以例如基于相邻反射器层60之间的预期或所需距离来改变。应当注意，褶72可在不同程度上(如箭头P所示)相互折叠或者完全不相互折叠。另夕卜，褶72可沿分隔层62的全部或者一部分延伸，以及沿ー个方向或者多个不同方向延伸。打褶结构70的打褶可使用任何适当打褶过程、例如通过缝纫过程、冲压过程或胶合过程等等来执行。作为分隔层62的变化的另ー个示例，如图7和图8所示，可提供压纹结构80。压纹结构80包括凸起部分82。应当注意，凸起部分82可按不同方式来确定大小和形状，而并不局限于图7和图8所示的圆形形状和间隔。例如，压纹可包括形成具有正方形、矩形、三角形、多边形或其它形状的凸起部分82。另外，凸起部分82的间隔可以是相同的或者是变化的，并且凸起部分82的数量可根据预期或需要来改变，以及沿压纹结构80的全部或者一部分设置。另外，凸起部分82的宽度和高度可以例如基于相邻反射器层60之间的预期或所需距离来改变。形成凸起部分82的压纹可使用任何适当压纹过程来执行，例如通过向装配在一起并且使压纹结构80、例如压纹结构80的基质的纤维变形(例如挤压)的模具(例如阳和阴铜或黄铜模具)施加热量和/或压力。作为分隔层62的变化的另ー个示例，如图9和图10所示，可提供卷皱结构90。卷皱结构90包括形成分隔层62的基质中的折皱92。应当注意，折皱92可以是例如基质的任何类型的皱纹、涟波或波纹，使得基质的高度或厚度改变。折皱92的宽度和高度可以例如基于相邻反射器层60之间的预期或所需距离来改变。应当注意，折皱92可如图9和图10所示随机地形成，具有不同高度或深度，或者备选地可均匀地形成。折皱92可沿相同方向或不同方向以及沿卷皱结构90的全部或者一部分延伸。形成折皱92的卷皱可使用任何适当的过程来执行，例如通过操控形成卷皱结构90的基质以形成折皱或折痕以及结构表面的其它变化。在各个实施例中，变形的分隔层62设置在绝热器50的一部分中的反射器层60之间。另外，不变形的分隔层100设置在绝热器50的一部分中的其它反射器层60之间，如图11图解所示。分隔层100可由不变形的一般平坦的材料(例如非导电聚合物材料)片来形成，使得当分隔层100围绕氦容器22和/或热屏蔽26延伸吋，分隔层100在分隔层100围绕氦容器22周向延伸时具有恒定直径或厚度。因此，分隔层100沿其表面一般是平滑的，具有恒定高度或厚度。在一个实施例中，如图11所示，多个分隔层100在绝热器50的热端102设置在相邻反射器层60之间，热端102是离氦容器22(如图12所示)或热屏蔽26更远的一端(远 端)。相邻反射器层60之间的ー个或多个分隔层100的布置重复例如30次，以便形成绝热器50的一部分。此后，多个分隔层62在绝热器50的冷端104设置在相邻反射器层60之间，冷端104是更靠近(接近)氦容器22(如图12所示)或热屏蔽26的一端。相邻反射器层60之间的ー个或多个分隔层62的布置重复例如5次，以便形成绝热器50的一部分。应当注意，不同布置重复的次数可以改变，并且还可沿绝热器50设置在不同部分，而不只是在两个不同部分。例如，在一些实施例中，相邻反射器层60之间的ー个或多个分隔层62的重复布置可设置2与5次之间。各种层可使用任何适当固定或粘合装置来接合或耦合。应当注意，绝热器50此后可设置成围绕氦容器并且与其热接触，或者设置在MRI系统的真空容器24中的另ー个位置、例如包围热屏蔽26。应当注意，在各个实施例中，反射器层60没有变形，例如由反射器材料的平坦片来形成。但是，可选地，反射器层60的一个或多个可与分隔层62的变形相似地变形。还应当注意，层的厚度可以是相同或不同的，并且可在整个绝热器50是变化或恒定的。按照各个实施例，还可提供如图13所示的方法110以用于形成可限定例如MLI覆盖层的绝热器、例如绝热器50。方法110包括在112使多个分隔层变形，例如形成具有截面中变化厚度的分隔层。此后，在114，在非变形分隔层(例如恒定厚度分隔层)处于多个反射器层之间的情况下层叠多个反射器层，以便形成MLI覆盖层的热端，其层叠朝MLI覆盖层的冷端继续进行。然后，层叠在118继续进行，其中在变形分隔层处于多个反射器层之间的情况下层叠多个反射器层，以便形成MLI覆盖层的冷端。一旦层叠了预期或所需数量的层(例如步骤114和116中的30个夹合层，以及步骤118中的5个夹合层)，层在120耦合在一起。应当注意，层可在层被层叠时或者在叠层完成之后耦合在一起。另外，可执行后形成过程，以便密封MLI覆盖层。因此，按照各个实施例，提供MRI系统的绝热器。例如，可为MRI系统的氦容器或热屏蔽或者它们两者来形成可以是可变密度MLI覆盖层的MLI覆盖层。应当注意，虽然ー些实施例可结合MRI系统的超导磁体来描述，但是各个实施例可结合具有超导磁体的任何类型的系统来实现。超导磁体可在其它类型的医疗成像装置以及非医疗成像装置中实现。
因此，各个实施例可结合不同类型的超导线圈、例如MRI系统的超导线圈来实现。例如，各个实施例可采用与图14所示的MRI系统140—起使用的超导线圈来实现。应当理解，虽然系统140示为单形态成像系统，但是各个实施例可通过或采用多形态成像系统来实现。系统140示为MRI成像系统，并且可与不同类型的医疗成像系统相结合，例如计算机断层扫描(CT)、正电子发射断层扫描(PET)、单光子发射计算机断层扫描(SPECT)以及超声系统或者能够生成图像、特别是人的图像的任何其它系统。此外，各个实施例并不局限于用于对人类受检体进行成像的医疗成像系统，而是可包括用于对非人对象、行李等进行成像的兽医或非医疗系统。參照图14，MRI系统140 —般包括成像部分142以及可包括处理器或者其它计算或控制器装置的处理部分144。MRI系统140在低温恒温器146中包括由可支承在电磁线圈支承结构上的线圈所形成的超导磁体46。氦容器22包围超导磁体46，并且填充有液态
O绝热152设置成包围氦容器22的外表面的全部或部分和/或热屏蔽26 (图I和 图2所示)。绝热152可采取如本文所述的绝热器50的形式。多个磁梯度线圈154设置在超导磁体46内部，并且RF发射线圈156设置在多个磁梯度线圈154中。在一些实施例中，RF发射线圈156可采用发射和接收线圈来替代。扫描架146中的组件一般形成成像部分142。应当注意，虽然超导磁体46为圆柱形状，但是能够使用其它形状的磁体。处理部分154 —般包括控制器158、主磁场控制160、梯度场控制162、存储器164、显示装置166、发射-接收(T-R)开关168、RF发射器170和接收器172。在操作中，诸如待成像的患者或仿真模型之类的对象的身体在适当支承、如患者台架上放置于膛174中。超导磁体46在膛174产生均匀和静态主磁场B。。膛174中以及对应地在患者中的电磁场的强度由控制器158经由主磁场控制160来控制，主磁场控制160还控制对超导磁体46的激励电流供应。提供包括一个或多个梯度线圈元件的磁梯度线圈154以使得磁梯度能够在三个正交方向x、y和Z的任一个或多个施加到超导磁体46内的膛174中的磁场B。上。磁梯度线圈154由梯度场控制162来激励,并且还由控制器158来控制。可包括多个线圈的RF发射线圈156设置成传送磁脉冲和/或可选地在还提供接收线圈元件、如配置为RF接收线圈的表面线圈时同时探测来自患者的MR信号。RF接收线圈可具有任何类型或配置，例如独立的接收表面线圈。接收表面线圈可以是设置在RF发射线圈156中的RF线圈的阵列。RF发射线圈156和接收表面线圈有选择地由T-R开关168分别互连到RF发射器170或接收器172其中之一。RF发射器170和T-R开关168由控制器158来控制，使得RF场脉冲或信号由RF发射器170来生成，并且有选择地施加到患者供激发患者体内的磁共振。当RF激发脉冲施加到患者吋，还驱动T-R开关168，以便将接收表面线圈从接收器172断开。在施加RF脉冲之后，再次驱动T-R开关168，以便将RF发射线圈156从RF发射器170断开，并且将接收表面线圈连接到接收器172。接收表面线圈进行操作以探测或感测产生于患者体内的激发核的MR信号，并且将MR信号传递给接收器172。这些所探測MR信号又传递给控制器158。控制器158包括处理器(例如图像重构处理器)，例如，处理器控制对MR信号的处理以产生表示患者的图像的信号。表示图像的经处理的信号还传送给显示装置166，以便提供图像的可视显示。具体来说，MR信号填充或形成k空间，它经过傅立叶变换以得到可观看图像。表示图像的经处理的信号则传送给显示装置166。各个实施例和/或例如MRI系统140的组件、例如其中的模块或组件和控制器也可实现为一个或多个计算机或处理器的组成部分。计算机或处理器可包括计算装置、输入装置、显示单元以及例如用于访问因特网的接ロ。计算机或处理器可包括微处理器。微处理器可连接到通信总线。计算机或处理器还可包括存储器。存储器可包括随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。计算机或处理器还可包括存储装置，存储装置可以是硬盘驱动器或可拆卸存储驱动器，例如软盘驱动器、光盘驱动器等。存储装置也可以是用于将计算机程序或其它指令加载到计算机或处理器中的其它类似装置。本文所使用的术语“计算机”或“模块”可包括任何基于处理器或者基于微处理器的系统，其中包括使用微控制器、简化指令集计算机(RISC)、专用集成电路(ASIC)、逻辑电 路以及能够运行本文所述的功能的任何其它电路或处理器的系统。上述示例只是示范性的，因而并不是意在以任何方式限制术语“计算机”的定义和/或含意。计算机或处理器运行ー个或多个存储元件中存储的指令集，以便处理输入数据。存储元件还可根据需要存储数据或其它信息。存储元件可采取处理机中的信息源或物理存储器元件的形式。指令集可包括各种命令，这些命令指示作为处理机的计算机或处理器执行诸如本发明的各个实施例的方法和过程之类的特定操作。指令集可采取可形成有形非暂时计算机可读介质的部分的软件程序的形式。软件可采取诸如系统软件或应用软件之类的各种形式。此外，软件可采取独立程序或�？榈募�、较大程序中的程序�？榛蛘叱绦蚰？榈囊徊糠值男问�。软件还可包括采取面向对象编程形式的�？楸喑�。由处理机对输入数据的处理可响应操作员命令或者响应先前处理的结果或者相应另ー个处理机所进行的请求而进行。本文所使用的术语“软件”和“固件”可包括存储器中存储供计算机执行的任何计算机程序，其中包括RAM存储器、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器和非易失性RAM(NVRAM)存储器。上述存储器类型只是示范性的，因而并不是关于可用于存储计算机程序的存储器的类型的限制。要理解，以上描述意在说明而不是限制。例如，上述实施例(和/或其方面)可相互结合使用。另外，可对各个实施例的教导进行多种修改以适合具体情况或材料，而没有背离其范围。虽然本文所述的材料的尺寸和类型意在定义各个实施例的參数，但是它们决不是限制性的，而只是示范性的。通过阅读以上描述，本领域的技术人员将会清楚地知道其它许多实施例。因此，各个实施例的范围应当參照所附权利要求连同这类权利要求涵盖的完整等效范围共同确定。在所附权利要求中，术语“包含”和“其中(in which)”用作相应术语“包括”和“其中(wherein)”的普通英语等效体。此外，在随附权利要求中，术语“第一”、“第二”和“第三”等只用作标记，而不是意在对其对象施加数字要求。此外，随附权利要求的限制并不是按照装置加功能格式编写的，并且不是意在根据35 U.S.C. §112第六节来解释，除非这类权利要求限制明确使用词语“用干…的装置”继之以没有其它结构的功能的陈述。
本书面描述使用包括最佳模式的示例来公开各个实施例，并且还使本领域的任何技术人员能够实施各个实施例，包括制作和使用任何装置或系统，以及执行任何结合方法。各个实施例的可授予专利范围由权利要求来定义，并且可包括本领域的技术人员想到的其它示例。如果示例具有与权利要求的文字语言完全相同的结构单元，或者示例包括具有与 权利要求的文字语言的非实质差异的等效结构単元，则这类其它示例意在落入权利要求的范围内。
权利要求
1.一种用于超导磁体的绝热器(50)，所述绝热器包括 第一多个反射器层(60)； 所述第一多个反射器层中的相邻层之间的非变形分隔层(100)； 第二多个反射器层(60);以及 所述第二多个反射器层中的相邻层之间的变形分隔层(62)。
2.如权利要求I所述的绝热器(50)，其中，所述第一多个反射器层(60)限定多层隔绝(MLI)覆盖层的热端(102)，所述热端(102)配置成定位成远离氦容器(22)或热屏蔽(26)的至少一个。
3.如权利要求I所述的绝热器(50)，其中，所述第二多个反射器层(60)限定多层隔绝(MLI)覆盖层的冷端(104)，所述冷端(104)配置成定位成接近氦容器(22)或热屏蔽(24)的至少一个。
4.如权利要求I所述的绝热器(50)，其中，所述变形分隔层(62)包括打褶结构(70)。
5.如权利要求I所述的绝热器(50)，其中，所述变形分隔层(62)包括压纹结构(80)。
6.如权利要求I所述的绝热器(50)，其中，所述变形分隔层(62)包括卷皱结构(90)。
7.如权利要求I所述的绝热器(50)，其中，所述变形分隔层￠2)具有变化厚度。
8.如权利要求I所述的绝热器(50)，其中，所述第一多个反射器层(60)的数量大于所述第二反射器层(60)的数量。
9.如权利要求I所述的绝热器(50)，其中，所述第一和第二多个反射器层(60)由一般平坦的材料片来形成。
10.一种用于形成磁共振成像系统(MRI)的绝热器的方法(110)，所述方法包括 使多个分隔层变形(112)； 层叠(114)第一多个反射器层，非变形分隔层处于其间； 层叠(118)第二多个反射器层，变形分隔层处于其间；以及 形成(120)具有所述第一和第二多个反射器层的多层绝热器。
全文摘要
提供用于隔绝诸如其中具有一个或多个超导磁体的磁共振成像(MRI)系统的冷冻剂容器之类的超导磁体的系统和方法。一个系统包括绝热器(50)，绝热器(50)该具有第一多个反射器层(60)以及第一多个反射器层(60)中的相邻层之间的非变形分隔层(62)。绝热器还包括第二多个反射器层(60)以及第二多个反射器层中的相邻层之间的变形分隔层(62)。
文档编号G01R33/38GK102830380SQ20121019352
公开日2012年12月19日 申请日期2012年6月13日 优先权日2011年6月13日
发明者J.H.齐亚, W.埃恩齐格, W.鲁特福德 申请人:通用电气公司
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