专利名称：磁芯结构的磁通门传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种探头设备的传感器，尤其涉及一种磁芯结构的磁通门传感器。
背景技术：
20世纪30年代初，出现了磁通门技术，它可以测定恒定和低频弱磁�。浠驹硎抢酶叽诺悸�、低矫顽力的软磁材料磁芯在激磁作用下，感应线圈出现随环境磁场而变的偶次谐波分量的电势特性，通过高性能的磁通门调理电路测量偶次谐波分量，从而测得环境磁场的大小。1936年德国物理学家Aschenbrenner和Goubau首次采用二次谐波环芯探头测量大地磁场在水平方向上的冲击波动地磁变化，记录磁扰并提出磁通门的工作原理，随后Lapierre、Autranikian、Vacquier等人对此项技术做了进一步的探索，从而证明了这种技术的可行，利用它制成的仪器也不断的获得发展。 磁通门技术是一种普遍存在的电磁现象，其基本原理服从法拉第电磁感应定律。磁通门传感器也称磁通门磁强计，它是在被测磁场中高磁导率铁芯在交变磁场的饱和激励下，利用其磁感应强度与磁场强度的非线性关系来测量弱磁场的一种传感器。与普通类型弱磁测量仪器相比，磁通门传感器具有灵敏度高、小巧、使用方便、低功耗、能够直接测量磁场的分量等优点。磁通门传感器发展迅速，应用领域非常广泛，在我国也有很多单位在从事磁通门传感器的研制。我国的高性能磁通门磁强计技术水平实际上已经接近或达到了同类产品的国际先进水平，已经有若干单位研制出了分辨力和稳定度为O. InT的样机。
发明内容
本发明的目的在于提供了一种磁芯结构的磁通门传感器，它具有结构简单、灵敏度高的优点。本发明是这样来实现的，一种磁芯结构的磁通门传感器，它包括外壳、磁芯和盖子，其特征在于磁芯为非晶材料制成的叠片结构，磁芯位于外壳内，外壳的上部连有盖子；所述的磁芯为圆形、跑道形、U形、E形、I形或T形；所述的非晶材料是钴基非晶片材、铁基非晶片材或铁镍基非晶片材。本发明的技术效果是本发明采用上述结构磁芯材料后，可提高灵敏精度，对于微小的变化都能探测到，并最终能提升整个检测系统的精度。
图I为本发明跑道形磁通门传感器的结构示意图。图2为本发明跑道形磁通门传感器的分解结构示意图。图3为本发明I形磁通门传感器的结构示意图。图4为本发明U形磁通门传感器的结构示意图。在图中，I、夕卜壳2、磁芯3、盖子。
具体实施例方式下面结合附图和实施例对本发明做详细阐述
实施例I :跑道形磁通门传感器，如图1、2所示，磁芯2设计成跑道形，磁芯2是由铁基非晶片材制成的叠片结构，把磁芯2置于外壳内，合上盖子3后，在外壳I上绕线圈，可制成电磁探头；此种跑道形磁通门传感器比普通磁通门传感器分辨路和灵敏度大为提高，其试验中的分辨力和稳定度约为0. 5nT。实施例2 :如附图3所示，I形磁通门传感器，磁芯2是由钴基非晶片材制成的叠片结构，把I形磁芯2置于外壳I内，盖上盖子3，用塑料包好后，由两个I形磁通门传感器组合，并在外壳3上绕线圈，可制成电磁探头，实验室检测结果表明，其分辨力和稳定度略约为 InT。实施例3 :如附图4所示，U形磁通门传感器，磁芯2设计成U形，磁芯2是由铁镍基非晶片材制成的叠片结构，把磁芯2置于外壳I内，合上盖子3后，在外壳I上绕线圈，可 制成电磁探头的分辨力和稳定度略大于InT。
权利要求
1.一种磁芯结构的磁通门传感器，它包括外壳、磁芯和盖子，其特征在于磁芯为非晶材料制成的叠片结构，磁芯位于外壳内，外壳的上部连有盖子。
2.如权利要求I所述的一种磁芯结构的磁通门传感器，其特征在于所述的磁芯为圆形、跑道形、U形、E形、I形或T形。
3.如权利要求I所述的一种磁芯结构的磁通门传感器，其特征在于所述的非晶材料是钴基非晶片材、铁基非晶片材或铁镍基非晶片材。
全文摘要
一种磁芯结构的磁通门传感器，它包括外壳、磁芯和盖子,其特征在于磁芯为非晶材料制成的叠片结构，磁芯位于外壳内，外壳的上部连有盖子；所述的磁芯为圆形、跑道形、U形、E形、I形或T形；所述的非晶材料是钴基非晶片材、铁基非晶片材或铁镍基非晶片材。本发明采用上述结构磁芯材料后，可提高灵敏精度，对于微小的变化都能探测到，并最终能提升整个检测系统的精度。
文档编号G01R33/02GK102967833SQ20121045454
公开日2013年3月13日 申请日期2012年11月14日 优先权日2012年11月14日
发明者李长全, 于润桥, 付鑫, 董辉, 李文, 薛名山, 王法军, 欧军飞 申请人:南昌航空大学
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