专利名称：提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法、以及采用了该提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法的双极型晶体管测试方法。
背景技术：
双极型晶体管(Bipolar Transistor)是由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。双极型晶体管有两种基本结构PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间ー层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。双极型晶体管是ー种电流控制器件，电子和空穴同时參与导电。
图I示意性地示出了双极型晶体管的截面结构。图2示意性地示出了双极型晶体管的俯视图。如图I和图2所示，集电极3之上的发射极I和基极2之间存在重叠电容Cbeo以及结电容。因此，发射极I和基极2之间的总电容=发射极I和基极2之间的重叠电容+发射极I和基极2之间的结电容。其中，发射极I和基极2之间的重叠电容Cbeo随着发射极I和基极2之间的接触区域的宽度ew和长度el的影响。在半导体制造过程中，可以通过电容测量用来监控半导体的制造エ艺的稳定性，控制制造エ艺流程。而且，有时候需要测量的不仅仅是单纯的电容值，还有电容随电压，温度的变化趋势，曲线的形状。某些エ艺步骤可能仅仅与结电容随电压变化的曲线相关。但是单纯的直接测量我们无法分开发射极和基极之间的结电容以及重叠电容。尽管重叠电容在总电容中占的比例可能很小(比如6%)，但是通过计算得到重叠电容，得到纯粹的结电容随电压的变化关系，可以更方便准确地进行エ艺检測。而且，如果另外某些エ艺只和重叠电容有关于结电容关系不大，这样计算出重叠电容的意义更明显。除了上述エ艺监测方面的原因之外，对于器件的工作过程，电容会决定晶体管的交流特性，而不同类型的电容对交流特性的影响不一样，単独地提取出发射极和基极之间的重叠电容，可以方便电路设计人员研究器件的性能。因此，希望能够提供一种有效地提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供ー种能够有效地提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法、以及采用了该提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法的双极型晶体管测试方法。根据本发明的第一方面，提供了一种提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法，其包括第一步骤，用于为双极型晶体管器件的发射极和基极之间的接触区域的宽度和长度取多个不同的值，并且将所取的不同的值代入双极型晶体管器件的发射极和基极之间的总电容的函数方程式CBE_total=cjeb*ew*el*/ (1-Vbe/vde) "pe+(cjes/(1-Vbe/vde) ~pe+cbeos) *2* (el+ew),同时测量宽度和长度的不同的值下实际的总电容CBE_total的各个取值，从而得到方程来提取出待測量双极型晶体管器件的參数cjeb、參数vde、參数pe、參数cjes和參数cbeos的值；其中，參数ew和參数el分别表示双极型晶体管器件的发射极和基极之间的接触区域的宽度和长度，Vbe表示基极与发射极之间的电压，cjeb表示发射极和基极结电容的底面部分単位面积电容，cjes表示发射极和基极结电容的周长部分的电容；pe和vde是结电容模型的与PN结的尺寸无关而与结的种类相关的參数。优选地，所述的提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法还包括第二步骤,用于将提取出来的參数cbeos代入式子Cbeo=cbeos*2*(ew+el)以提取其中射极和基极之间的接触区域的长度为el且宽度为ew的待測量双极型晶体管器件的的发射极与基极之间的重叠电容。优选地，所述第一步骤包括取具有不同的长度值且宽度相同的两个双极型晶 体管，从而得到这双极型晶体管各自的第一总电容值CBE_totall和第二总电容值CBE_total2 CBE_totall=cjeb*ew*ell+(cjes+cbeos)*2*(ell+ew)；CBE_total2=cjeb*ew*el2+(cjes+cbeos)*2*(el2+ew)。优选地,所述第一步骤还包括通过计算CBE_total2与CBE_totall的差值,利用Δ =cjeb* (el2-ell)*ew+C计算总电容差值Λ, C是与宽度ew无关,与长度差有关的常数。优选地，所述第一步骤还包括发射极和基极之间的接触区域的宽度取第一宽度值ewl和第二宽度值ew2这两个不同的值,从而获取第一总电容差值Λ I和第二总电容差值Λ 2 Δ l=cjeb*(el2_elI)*ewl+C ；Λ 2=cjeb*(el2_ell)*ew2+C。优选地，所述第一步骤还包括利用公式Λ’ =cjeb*(el2-ell)*(ew2-ewl)/(1-Vbe/vde) ~pe计算第二总电容差值Λ 2与第一总电容差值Λ I的差值Λ’。优选地，所述第一步骤还包括根据公式Λ’ =cjeb*(el2-ell)*(ew2-ewl)/(1-Vbe/vderpe，针对多个不同的待測量双极型晶体管器件，通过测量多个待测量双极型晶体管器件的各自的射极和基极之间的接触区域的不同的宽度及不同的长度、以及测量多个待测量双极型晶体管器件的各自的射极和基极之间的不同的总电容值，从而通过将上述多个组合代入公式Λ’ =cjeb*(el2_ell)*(ew2_ewl)/(1-Vbe/vde) 'pe,由Λ’ 随电压(Vbe)的变化来提取出待測量双极型晶体管器件的參数cjeb，vde和參数pe这三个常数。优选地，所述第一步骤还包括将提取出的待測量双极型晶体管器件的參数vde和參数pe代入公式CBE_total=cjeb*ew*el*/(1-Vbe/vde)'pe+(cjes/(1-Vbe/vde)~pe+cbeos)*2*(el+ew) 并且，在针对多个不同的待測量双极型晶体管器件，通过测量多个待测量双极型晶体管器件的各自的射极和基极之间的接触区域的不同的宽度及不同的长度、以及测量多个待测量双极型晶体管器件的各自的射极和基极之间的不同的总电容值，从而通过将上述多个组合代入上面的式子来提取出參数cjes和參数cbeos。
根据本发明的第二方面，提供了一种采用了根据本发明的第一方面所述的提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法的双极型晶体管测试方法。根据本发明，能够精确地并且有效地提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容。
结合附图，并通过參考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中图I示意性地示出了双极型晶体管的截面结构。图2示意性地示出了双极型晶体管的俯视图。图3示意性地示出了提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法 的流程图。需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施例方式为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。由于发射极与基极之间的重叠电容Cbeo随着发射极I和基极2之间的接触区域的宽度和长度的影响，更具体地说，发射极与基极之间的重叠电容Cbeo正比于发射极I和基极2之间的接触区域的周长，因此可以通过下面的式子(I)来提取发射极与基极之间的重叠电容Cbeo Cbeo=cbeos*2* (ew+el) (I)其中，cbeos表示发射极与基极之间的重叠电容的单位电容值，ew表示发射极I和基极2之间的接触区域的宽度，el表示发射极I和基极2之间的接触区域的长度，如图I和图2所示。因此，通过获取发射极与基极之间的重叠电容的単位电容值cbeos，并测量发射极I和基极2之间的接触区域的周长，即可提取出发射极与基极之间的重叠电容Cbeo。下面描述获取发射极与基极之间的重叠电容的单位电容值cbeos的具体步骤。发射极I和基极2之间的结电容CBE与基极与发射极之间的电压Vbe有关，具体地说可由下面的式子(2)来表示CBE(Vbe)=Cjeb(Vbe)+Cjes (Vbe)=cjeb*ew*el*/(1-Vbe/vde)~pe+cjes*2*(ew+el)/(1-Vbe/vde)'pe(2)其中，Vbe表示基极与发射极之间的电压，Cjeb表示发射极和基极结电容的接触部分(底面部分)的电容，Cjes表示发射极和基极结电容的外周部分(周长部分)的电容；从而有 CBE (Vbe) =Cjeb (Vbe) +Cjes (Vbe)。此外，pe和vde都是结电容模型的与PN结的尺寸无关而与结的种类相关的參数，具体地说，不管是周长相关电容还是底面相关电容都可以用类似下面的公式表示c=co/(1-Vbe/vde) ~pe,其中CO (具体地是cjeb或者cjes,在本实施例中为cjeb)、vde和pe是与电压值Vbe无关的常数，这三个常数与PN结的尺寸无关，与PN结的种类(发射极与基极的PN结或者是基极和衬底的PN结)有夫。下文将描述获取CO(cjeb，cjes)、vde和pe的值的方法。发射极I和基极2之间的总电容CBE_total可通过下面的式子(3)来计算CBE_total = cjeb*ew*el* / (1-Vbe / vde) 'pe + (cjes / ( I - V b e /vde) pe+cbeos)*2*(el+ew)(3)其中，各个參数与前面的公式相同。针对上面的各个式子，可以为宽度ew和长度el取多个不同的值，并且将所取的不同的值代入方程 CBE_total=cjeb*ew*el*/(1-Vbe/vde)'pe+(cjes/ (1-Vbe/ vde) "pe+cbeos)*2*(el+ew),同时测量宽度ew和长度el的不同的值下实际的CBE_total的各个取值，从而得到方程来提取出待測量双极型晶体管器件的cjeb、vde、pe、cjes和cbeos等參数的值(參见图3的步骤SI)。下面将描述本发明的具体实施例。首先，发射极I和基极2之间的接触区域的长度el取两个不同的长度值(第一长度值ell和第二长度值el2)，即取具有不同的长度值的两个双极型晶体管，从而得到这双极型晶体管各自的总电容值(第一总电容值CBE_totall和第二总电容值CBE_total2)CBE_totall=cjeb*ew*ell+(cjes+cbeos)*2*(ell+ew) (4)CBE_total2=cjeb*ew*el2+(cjes+cbeos)*2*(el2+ew) (5)通过计算CBE_total2与CBE_totall的差值,计算总电容差值Λ,如下面的式子(6)所示:Λ =cjeb*(el2_ell)*ew+C (6)发射极I和基极2之间的接触区域的宽度取两个不同的值(第一宽度值ewl和第ニ宽度值ew2)，从而获取第一总电容差值Λ I和第二总电容差值Λ 2 Δ l=cjeb* (el 2-el I) *ewl+C (7)Λ 2=cjeb*(el2_ell)*ew2+C (8)此后，通过下面的式子(9)计算第二总电容差值Λ 2与第一总电容差值Λ I的差值Λ’ =cjeb*(el2_ell)*(ew2_ewl)/(1-Vbe/vde) ~pe (9)根据上面的式子(9)，针对多个不同的待測量双极型晶体管器件，通过测量多个待測量双极型晶体管器件的各自的射极和基极之间的接触区域的不同的宽度及不同的长度、以及测量多个待测量双极型晶体管器件的各自的射极和基极之间的不同的总电容值(即，获取宽度值、长度值以及总电容值的多个组合)，从而通过将上述多个组合得到式子(9)来提取出待測量双极型晶体管器件的參数cjeb，vde和pe这些与尺寸和电压无关的常数。将根据上面的式子(9)提取出的待測量双极型晶体管器件的參数vde和參数pe代入式子(3)CBE_total = cjeb*ew*el* / (1-Vbe / vde) 'pe + (cjes / (1-Vbe/vde)'pe+cbeos)*2*(el+ew)
(3)类似地，在针对多个不同的待測量双极型晶体管器件，通过测量多个待测量双极型晶体管器件的各自的射极和基极之间的接触区域的不同的宽度及不同的长度、以及测量多个待测量双极型晶体管器件的各自的射极和基极之间的不同的总电容值(即，获取宽度值、长度值以及总电容值的多个组合)，从而通过将上述多个组合代入上面的式子(3)来提取出參数cjes和參数cbeos。最后，将提取出来的參数cbeos代入下面的式子(I)以提取其中射极和基极之间的接触区域的长度为el且宽度为ew的待測量双极型晶体管器件的的发射极与基极之间的重叠电容Cbeo (參见图3的步骤S2)Cbeo=cbeos*2* (ew+el) (I)由此，通过上述步骤，能够有效地提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容。根据本发明的另ー优选实施例，本发明还提供一种采用了在上述实施例中描述的提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法的双极型晶体管测试方法。可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述掲示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等 同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
权利要求
1.一种提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法，其特征在于包括第一步骤，用于为双极型晶体管器件的发射极和基极之间的接触区域的宽度和长度取多个不同的值，并且将所取的不同的值代入双极型晶体管器件的发射极和基极之间的总电容的函数方程式 CBE_total=c jeb*ew*el*/ (1-Vbe/vde) 'pe+ (c jes/ (1-Vbe/vde) ~pe+cbeos)*2*(el+ew),同时测量宽度和长度的不同的值下实际的总电容CBE_total的各个取值，从而得到方程来提取出待測量双极型晶体管器件的參数cjeb、參数vde、參数pe、參数cjes和參数cbeos的值； 其中，參数ew和參数el分别表示双极型晶体管器件的发射极和基极之间的接触区域的宽度和长度，Vbe表示基极与发射极之间的电压，cjeb表示发射极和基极结电容的底面部分的单位面积电容，cjes表示发射极和基极结电容的周长部分的单位电容；pe和vde是结电容模型的与PN结的尺寸无关而与结的种类相关的參数。
2.根据权利要求I所述的提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法，其特征在于还包括第二步骤，用于将提取出来的參数cbeos代入式子Cbeo=cbeos*2* (ew+el)以提取其中射极和基极之间的接触区域的长度为el且宽度为ew的待測量双极型晶体管器件的的发射极与基极之间的重叠电容。
3.根据权利要求I或2所述的提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法，其特征在于，所述第一步骤包括取具有不同的长度值且宽度相同的两个双极型晶体管，从而得到这双极型晶体管各自的第一总电容值CBE_totall和第二总电容值CBE_total2 CBE—totall=cjeb*ew*el1+(cjes+cbeos) *2*(ell+ew)；CBE—total2=cjeb*ew*el2+(cjes+cbeos)*2*(el2+ew)。
4.根据权利要求3所述的提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法，其特征在于，所述第一步骤还包括通过计算CBE_total2与CBE_totall的差值,利用Δ =Cjeb* (el2-ell) *ew+C计算总电容差值Λ，其中C是与宽度ew无关，与长度差有关的常数。
5.根据权利要求4所述的提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法，其特征在于，所述第一步骤还包括发射极和基极之间的接触区域的宽度取第一宽度值ewl和第二宽度值ew2这两个不同的值,从而获取第一总电容差值Λ I和第二总电容差值Δ 2 Δ l=cjeb*(el2_ell)*ewl+C ；Δ 2=cjeb* (el2_ell)*ew2+C。
6.根据权利要求5所述的提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法，其特征在于，所述第一步骤还包括利用公式Λ’ =cjeb*(el2_ell)*(ew2_ewl)/ (I-Vbe/vde) ~pe计算第二总电容差值Λ 2与第一总电容差值Λ I的差值Λ’。
7.根据权利要求6所述的提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法，其特征在于，所述第一步骤还包括根据公式Λ’ =cjeb*(el2_ell)*(ew2_ewl)/(I-Vbe/vderpe，针对多个不同的待測量双极型晶体管器件，通过测量多个待测量双极型晶体管器件的各自的射极和基极之间的接触区域的不同的宽度及不同的长度、以及测量多个待测量双极型晶体管器件的各自的射极和基极之间的不同的总电容值，从而通过将上述多个组合代入公式Λ’ =cjeb*(el2-ell)*(ew2_ewl)/(1-Vbe/vde) "pe来提取出待测量双极型晶体管器件的參数vde和參数pe这两个常数。
8.根据权利要求7所述的提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法，其特征在于，所述第一步骤还包括将提取出的待測量双极型晶体管器件的參数 vde 和參数 pe 代入公式 CBE_total=c jeb*ew*el*/ (1-Vbe/vde) 'pe+ (cjes/ (1-Vbe/vde)~pe+cbeos)*2*(el+ew)并且，在针对多个不同的待測量双极型晶体管器件，通过测量多个待测量双极型晶体管器件的各自的射极和基极之间的接触区域的不同的宽度及不同的长度、以及测量多个待测量双极型晶体管器件的各自的射极和基极之间的不同的总电容值，从而通过将上述多个组合代入上面的式子来提取出參数cjes和參数cbeos。
9.一种采用了根据权利要求I至8之一所述的提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法的双极型晶体管测试方法。
全文摘要
根据本发明的提取双极型晶体管的发射极与基极之间的重叠电容的方法包括第一步骤，用于为双极型晶体管器件的发射极和基极之间的接触区域的宽度和长度取多个不同的值，并且将所取的不同的值代入双极型晶体管器件的发射极和基极之间的总电容的函数方程式，同时测量宽度和长度的不同的值下实际的总电容CBE_total的各个取值随电压变化关系，从而得到方程来提取出待测量双极型晶体管器件的参数cjeb、参数vde、参数pe、参数cjes和参数cbeos的值；以及第二步骤，用于将提取出来的参数cbeos代入式子Cbeo=cbeos*2*(ew+el)以提取其中发射极和基极之间的接触区域的长度为el且宽度为ew的待测量双极型晶体管器件的发射极与基极之间的重叠电容。
文档编号G01R31/26GK102692567SQ201210143458
公开日2012年9月26日 申请日期2012年5月9日 优先权日2012年5月9日
发明者范象泉 申请人:上�：炅Π氲继逯圃煊邢薰�
专业数控铣床产品供应商
20年生产经验，实力工厂，精工品质，质量有保障
