专利名称：基于soi硅片的双端固支梁压阻系数的测量方法
技术领域：
本发明涉及压阻系数的测量方法，具体涉及基于SOI硅片的双端固支梁压阻系数的测量方法。
背景技术：
参见图1，SOI硅片从下到上依次包括衬底1、左右两支撑2和双端固支梁3，衬底 1和双端固支梁3均为硅层，左右两支撑2为二氧化硅层。当双端固支梁3的尺寸缩小到纳米量级后，其质量大大减�。纱说贾赂叽颎Hz的谐振频率，品质因数，灵敏度大为提高，功耗则显著减少。这些特性使双端固支梁3在谐振器、滤波器、生物化学传感器等方面有良好的应用前景。随着尺寸减少，传统的信号检测机制遇到了瓶颈，压阻检测由于其结构简单，灵敏度高，方便IC集成，受到人们越来越多的关注。因此，准确测量双端固支梁3动静态下的压阻系数具有非常重要的意义。在利用原子力显微镜探针给双端固支梁3施加载荷测量压阻系数的过程中，我们发现对于双端固支梁 3，其靠近两端的锚区处于拉伸状态，中间部位处于压缩状态，这样双端固支梁上拉伸区域和压缩区域由于压阻效应产生的电阻变化相互抵消，使测量准确度大大下降。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明目的是提供一种可消除双端固支梁中拉伸区域和压缩区域的抵消效应的测量压阻系数的方法。为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现本发明的双端固支梁包括位于其两端的锚区，包括以下几个步骤(1)掺杂对双端固支梁进行受力分析，得到位于中间位置压缩区域的大小为
，其中，ι为双端固支梁的长度；将掺杂物质埋入压缩区域，得到掺杂区域。(2)重掺杂将重掺杂物质埋入掺杂区域的两端，得到重掺杂区域；实现与金属线的欧姆接触。(3)淀积金属铝在重掺杂区域、锚区以及重掺杂区域与对应的锚区之间的区域均淀积金属铝；做互连导线。(4)连接金属线在锚区上连接多根金属线；以实现与外界的互连。(5)连接外设在两锚区的金属线之间连接一个可测量电阻的半导体参数测试仪；在锚区的金属线与衬底的电极之间加一个可施加静电偏置电压的外部电压源；通过外部电压源产生的静电偏置电压，使双端固支梁弯曲，无需增加额外的外设，就可以使双端固支梁弯曲，减低了本发明的成本。(6)测量、计算得出结果在双端固支梁和衬底间不施加静电偏置电压的情况下， 通过半导体参数测试仪读出双端固支梁的原始电阻；在双端固支梁和衬底间施加一静电偏置电压的情况下，通过半导体参数测试仪读出双端固支梁的偏置电阻，并计算出原始电阻相对于偏置电阻的电阻改变量；通过电阻改变量与施加在双端固支梁和衬底间的静电偏置电压，计算得到压阻系数。上述掺杂物质是浓度为IO15 IO18CnT3的硼，重掺杂物质是浓度为IO19 102°cnT3 的硼，掺杂的目的是体现压阻特性。上述述掺杂物质和重掺杂物质埋入的深度均是双端固支梁厚度的1/3。本发明只在双端固支梁的压缩区域进行掺杂，利用淀积的金属铝实现掺杂区域与外界的互连，这样虽然减少了双端固支梁的有效测试长度，但是消除了双端固支梁中的拉伸区域和压缩区域的抵消效应，能够获得比全部掺杂时更明显的电阻变化；本发明不但能够不借用外力来使双端固支梁弯曲，同时能够大幅提高双端固支梁在弯曲时的电阻变化量，提高测量压阻系数的准确度。
图1为SOI硅片的结构示意图。图2为双端固支梁的结构示意图。图3为双端简支梁的结构示意图，图中箭头为未知支反力矩MA和MB的方向。图4为本发明的一实施例。图5为图4的附视图，不包括半导体参数测试仪和外部电压源。
具体实施例方式为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式
，进一步阐述本发明。双端固支梁3在受静电力均布载荷q的作用下，首先，计算出双端固支梁3上的弯矩分布，进而，求出双端固支梁3位于中间位置的压缩区域的大�。韵率乔蠼夤趟斯讨Я�3是超静定梁，为了求解其在静电力均布载荷q作用下的弯矩分布，必须去除双端固支梁3上的多余约束，使其变为静定结构，同时要引入相应的未知力矩来代替多余约束。根据几何相容条件计算出引入的未知力矩，进而求出双端固支梁3上的弯矩分布。假设双端固支梁3如图2所示，在静电力均布载荷q作用下弯曲，首先把双端固支梁3两端的A点和B点固定约束去掉，使双端固支梁3变为双端简支梁，这是一种静定结构，并引入未知支反力矩Ma和MB，假设方向如图3中所示，这样双端固支梁3就转化为在力矩Ma和Mb以及静电力均布载荷q作用下的双端简支梁，它们在A点和B点产生的转角分别
权利要求
1.基于SOI硅片的双端固支梁压阻系数的测量方法，所述双端固支梁包括位于其两端的锚区，其特征在于，包括以下几个步骤(1)掺杂对双端固支梁进行受力分析，得到位于中间位置压缩区域的大小为6到1±^/，其中，1为双端固支梁的长度；将掺杂物质埋入所述的压缩区域，得到掺杂区域； 6(2)重掺杂将重掺杂物质埋入所述掺杂区域的两端，得到重掺杂区域；(3)淀积金属铝在重掺杂区域、锚区以及重掺杂区域与对应的锚区之间的区域均淀积金属铝；(4)连接金属线在锚区上连接多根金属线；(5)连接外设在两锚区的金属线之间连接一个可测量电阻的半导体参数测试仪；在锚区的金属线与衬底的电极之间加一个可施加静电偏置电压的外部电压源；(6)测量、计算得出结果在不施加静电偏置电压的情况下，通过半导体参数测试仪读出双端固支梁的原始电阻；在施加一静电偏置电压的情况下，通过半导体参数测试仪读出双端固支梁的偏置电阻，计算出原始电阻相对于偏置电阻的电阻改变量；通过电阻改变量与所述的静电偏置电压，计算得到压阻系数。
2.根据权利要求1所述的基于SOI硅片的双端固支梁压阻系数的测量方法，其特征在于，所述掺杂物质是浓度为IO15 IO18CnT3的硼，所述重掺杂物质是浓度为IO19 102°cm_3 的硼。
3.根据权利要求2所述的基于SOI硅片的双端固支梁压阻系数的测量方法，其特征在于，所述掺杂物质和重掺杂物质埋入的深度均是所述双端固支梁厚度的1/3。
全文摘要
本发明公开了基于SOI硅片的双端固支梁压阻系数的测量方法，包括以下几个步骤通过受力分析得出在静电力均布载荷的作用下，双端固支梁上部位于中间位置受压缩区域的大小是到其中，1为双端固支梁的长度，并在此范围内掺杂；掺杂区域两端小范围内重掺杂；在重掺杂区域、对应的锚区以及重掺杂区域与锚区之间的区域均淀积金属铝；在锚区上连接多根金属线；在两锚区的金属线之间连接一个可测量电阻的半导体参数测试仪；在锚区的金属线与衬底的电极之间加一个可施加静电偏置电压的外部电压源；测量、计算得出双端固支梁的压阻系数。本发明避免了双端固支梁中拉伸区域和压缩区域的抵消效应，且测量结果准确，测量方法简便。
文档编号G01R27/14GK102288832SQ201110125618
公开日2011年12月21日 申请日期2011年5月16日 优先权日2011年5月16日
发明者于虹, 李甲子, 符鹏 申请人:东南大学
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