专利名称：一种场发射压力传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及传感器领域，具体涉及一种场发射压力传感器。
背景技术：
目前场发射压力传感器结构复杂。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种场发射压力传感器，
结构简单。为了达到上述目的，本发明采取的技术方案为:一种场发射压力传感器，包括电子发射阳极1，电子发射阳极I的底部和电子发射阴极2的顶部通过绝缘隔离层3连接，电子发射阳极I的顶部设有第一电极引线4，电子发射阴极2的底部设有第二电极引线5，电子发射阳极I底部和电子发射阴极2顶部的凹进部分形成发射腔体。本发明具有结构简单的优点。
附图为本发明的结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明作详细描述。参照附图，一种场发射压力传感器，包括电子发射阳极1，电子发射阳极I的底部和电子发射阴极2的顶部通过绝缘隔离层3连接，电子发射阳极I的顶部设有第一电极引线4，电子发射阴极2的底部设有第二电极引线5，电子发射阳极I底部和电子发射阴极2顶部的凹进部分形成发射腔体。本发明的工作原理为:在电场作用下，电子发射阴极2的电子发射材料发射电子，向电子发射阳极I运动形成发射电流，如果电子发射阳极I和电子发射阴极2之间的距离发生变化，导致发射电流发生变化，电子发射阳极I对外力敏感、容易形变，根据发射电流和变形的关系，通过测量发射电流得出相应的压力数值。
权利要求
1.一种场发射压力传感器，其特征在于:包括电子发射阳极(I)，电子发射阳极(I)的底部和电子发射阴极(2)的顶部通过绝缘隔离层(3)连接，电子发射阳极(I)的顶部设有第一电极引线(4)，电子发射阴极(2)的底部设有第二电极引线(5)，电子发射阳极(I)底部和电子发射阴极(2)顶部的凹进部分形成发射腔体。
全文摘要
一种场发射压力传感器，包括电子发射阳极，电子发射阳极的底部和电子发射阴极的顶部通过绝缘隔离层连接，电子发射阳极的顶部设有第一电极引线，电子发射阴极的底部设有第二电极引线，电子发射阳极底部和电子发射阴极顶部的凹进部分形成发射腔体，在电场作用下，电子发射阴极的电子发射材料发射电子，向电子发射阳极运动形成发射电流，如果电子发射阳极和电子发射阴极之间的距离发生变化，导致发射电流发生变化，电子发射阳极对外力敏感、容易形变，根据发射电流和变形的关系，通过测量发射电流得出相应的压力数值，本发明具有结构简单的优点。
文档编号G01L21/30GK103162899SQ20111043161
公开日2013年6月19日 申请日期2011年12月15日 优先权日2011年12月15日
发明者杨立斌, 李程 申请人:西安威正电子科技有限公司
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