专利名称：Led温控特性测试装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及ー种LED温控特性测试装置，主要用于教学实验，也可以用作企业研发设备。
背景技术：
LED性能优越，但其发热较多，需要结合散热结构才能给人们提供照明。在教学实验中，需要教导学生们了解LED工作时的温控特性，通过该实验学生们可以很直观的了解 LElD工作时的温控特性的关系。本专利主要是用来提供LED温控特性测试装置，也可以用作企业研发设备。
发明内容本实用新型主要是解决上述现有技术所存在的技术问题，提供了ー种LED温控特性测试装置。本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的ー种LED温控特性测试装置，包括底板和设置在底板上的外壳，所述外壳的腔体内设有支架，支架下设有风扇，支架上设有半导体制冷片，半导体制冷片上面设有铜模，铜模壁体内设有铜模体温度探头，铜模腔体内设有LED和铜模腔温度探头。作为优�。鐾Ｇ惶迥谏栌蠰ED支架，LED支架上设有LED和铜模腔温度探头。作为优�。鐾Ｇ惶宓亩衰泶υ谕饪巧仙栌泄鄄獯埃鐾Ｖ懿嗌栌斜Ｎ虏悖鐾５撞拷裘芴显诎氲继逯评淦�。作为优选，所述底板后面延伸设有电气连接部，电气连接部上设有若干电气连接头。作为优�。鐾饪堑牟嗝姘迳仙栌猩⑷壬缚住Ｊ笛椴僮魇保缙油妨拥礁髦质笛橐潜砩希鬖ED和半导体制冷片制热模式给铜模加热，通过实验仪表记录铜模温度和铜模腔体温度，同时观测LED随温度升高以及在一定温度下的发光性能；然后切换半导体制冷片为制冷模式给铜模制冷，通过实验仪表记录铜模温度和铜模腔体温度，同时观测LED随温度降低以及在一定温度下的发光性能。本实用新型具有结构简单、设计合理等特点。
图I是本实用新型的ー种主视结构示意图；图2是本实用新型的ー种侧视结构示意图；图3是本实用新型的ー种立体结构示意图；图4是本实用新型的一种俯视结构示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进ー步具体的说明。实施例參看图I、图2、图3和图4，本实用新型是在底板I上设有外壳2，外壳2的腔体内设有支架3，支架3下设有风扇8，外壳2的侧面板上设有散热筛孔15，支架3上设有半导体制冷片6，半导体制冷片6上面设有铜模4，铜模4周侧设有保温层7，铜模4底部紧密贴合在半导体制冷片6上，铜模4壁体内设有铜模体温度探头11，铜模4腔体内设有LED支架10，LED支架10上设有LED 5和铜模腔温度探头9，铜模4腔体的端ロ处在外壳2上设有观测窗12，底板I后面延伸设有电气连接部13，电气连接部13上设有若干电气连接头14。实验操作时，经电气连接头连接到各种实验仪表上，开启LED和半导体制冷片制热模式给铜模加热，通过实验仪表记录铜模温度和铜模腔体温度，同时观测LED随温度升高以及在一定温度下的发光性能；然后切换半导体制冷片为制冷模式给铜模制冷，通过实 验仪表记录铜模温度和铜模腔体温度，同时观测LED随温度降低以及在一定温度下的发光性能。最后，应当指出，以上实施例仅是本实用新型较有代表性的例子。显然，本实用新型不限于上述实施例，还可以有许多变形。凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均应认为属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.ー种LED温控特性测试装置，包括底板(I)和设置在底板(I)上的外壳(2)，其特征在于所述外壳(2)的腔体内设有支架(3)，支架(3)下设有风扇(8)，支架(3)上设有半导体制冷片出)，半导体制冷片(6)上面设有铜模(4)，铜模(4)壁体内设有铜模体温度探头(11)，铜模(4)腔体内设有LED(5)和铜模腔温度探头(9)。
2.根据权利要求I所述的LED温控特性测试装置，其特征在于所述铜模(4)腔体内设有LED支架(10)，LED支架(10)上设有LED (5)和铜模腔温度探头(9)。
3.根据权利要求I或2所述的LED温控特性测试装置，其特征在于所述铜模(4)腔体的端ロ处在外壳(2)上设有观测窗(12)，所述铜模(4)周侧设有保温层(7)，所述铜模(4)底部紧密贴合在半导体制冷片(6)上。
4.根据权利要求I所述的LED温控特性测试装置，其特征在于所述底板(I)后面延伸设有电气连接部(13)，电气连接部(13)上设有若干电气连接头(14)。
5.根据权利要求I所述的LED温控特性测试装置，其特征在于所述外壳(2)的侧面板上设有散热筛孔(15)。
专利摘要一种LED温控特性测试装置，底板上设有外壳，外壳的腔体内设有支架，支架下设有风扇，支架上设有半导体制冷片，半导体制冷片上面设有铜模，铜模周侧设有保温层，铜模壁体内设有铜模体温度探头，铜模腔体内设有LED支架，LED支架上设有LED和铜模腔温度探头。实验操作时，经电气连接部上的若干电气连接头连接到各种实验仪表上，开启LED和半导体制冷片制热模式给铜模加热，通过实验仪表记录铜模温度和铜模腔体温度，同时观测LED随温度升高以及在一定温度下的发光性能；然后切换半导体制冷片为制冷模式给铜模制冷，通过实验仪表记录铜模温度和铜模腔体温度，同时观测LED随温度降低以及在一定温度下的发光性能。
文档编号G01R31/26GK202453463SQ201220040710
公开日2012年9月26日 申请日期2012年2月8日 优先权日2012年2月8日
发明者滕道祥, 王震, 覃爱民, 陈锣萍 申请人:徐州工程学院, 杭州大华仪器制造有限公司
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