专利名称：硅片全面检测装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种硅片检测装置，具体说，涉及一种硅片全面检测装置。
背景技术：
目前，硅片检测主要包括电阻率、少子寿命、微晶、隐裂等方面，这些方面的检测需要各种不同的设备来实现，如电阻率测试仪、少子寿命测试仪等，造成了检测过程复杂，使生产效率较低的同时，无形中增加了误差率，使碎片率也居高不下。现有技术中可知，利用特定波长的激光作为激发光源，提供一定能量的光子，硅片中处于基态的电子在吸收这些光子后而进入激发态，处于激发态的电子属于亚稳态，在短时间内会回到基态，并发出1150nm (SI电池为例)左右的红外光为波峰的荧光。利用高灵敏高分辨率的照相机进行感光，然后将图像通过软件进行分析，可获得少数载流子寿命。发 光的强度与该区域的非平衡少数载流子的浓度成正比，而缺陷将是少数载流子的强复合中心，因此该区域的少数载流子浓度变小导致荧光效应减弱，在图像上表现出来就成为暗色的点、线，或一定的区域，而在硅片内复合较少的区域则表现为比较亮的区域。因此，可通过观察光致发光成像，来判断硅片是否存在缺陷，杂质等等。由此可见，利用光致发光法可以实现对硅片快速、全面的检测，如何实现是一个亟待解决的技术问题。
发明内容本发明所解决的技术问题是提供一种硅片全面检测装置，为硅片全面检测提供了新的途径，减少了其他仪器的使用的同时，提高了检测效率，降低了误差率。技术方案如下一种硅片全面检测装置，包括机箱及其内部的传送�？�、激光器、摄像头、厚度测试�？�、电阻率测试模块和终端；所述激光器、摄像头、厚度测试模块和电阻率测试�？檠厮龃？榇头较蛞来闻欧旁谒龃湍？樯隙耍凰龃湍？椤⒓す馄�、摄像头、厚度测试�？楹偷缱杪什馐阅？橛敕直鹩胨鲋斩说缌�。进一步所述厚度测试�？榘ê穸炔饬可�、下探头和厚度测量控制器，所述厚度测量上、下探头为一对电容原理位移测量探头。进一步所述电阻率测试�？榘ǖ缱杪什饬可稀⑾绿酵泛偷缱杪什饬靠刂破鳎龅缱杪什饬可�、下探头为一对电涡流原理电阻率测量探头。进一步所述摄像头为近红外摄像头。进一步所述摄像头的波长范围为900-1700nm。进一步所述激光器为功率30W、发射激光波长810nm的激光器。本实用新型优点和有益效果，具体体现在以下几个方面I、本实用新型为全面检测硅片提供了新的途径；2、本实用新型中硅片全面检测装置检测速度可达到I片/秒，大大提高了检测效率;[0015]3、本实用新型中硅片全面检测装置实现了硅片电阻率、少子寿命、微晶等方面的全面检测，无需其他设备，节约运行成本；4、本实用新型中硅片全面检测装置实现一次检测获得全面结果，极大的降低了硅片的碎片率，保证了硅片的质量。
图I为本实用新型中硅片全面检测装置剖面结构示意图。
具体实施方式
如图I所示，为本实用新型中硅片全面检测装置结构示意图。硅片全面检测装置包括机箱I内部的传送�？�2、激光器3、摄像头4、厚度测试�？�5、电阻率测试�？�6和终端构成。激光器3、摄像头4、厚度测试�？�5和电阻率测试�？�6并排设置在传送�？�2上端，并沿传动�？榇头较蛞来闻欧�。传送�？�2、激光器3、摄像头4、厚度测试�？�5和电阻率测试�？�6与分别与终端电连接。传送模块2用于传送硅片；激光器3采用功率10W，发射激光波长810nm的激光器，用于激发硅片表面的少数载流子；摄像头4采用近红外摄像头，波长范围900-1700nm，用于拍摄红外图片，摄像头4获取传送�？�2上硅片图像信息后，将图像信息传输到终端；终端对图像信息进行分析处理，对图像灰度和少数载流子寿命进行拟合，获得硅片少数载流子寿命值，利用采集的图像信息完成红外探伤。厚度测试�？�5包括厚度测量上、下探头和厚度测量控制器，电阻率测试�？�6包括电阻率测量上、下探头和电阻率测量控制器。厚度测量上、下探头为一对电容原理位移测量探头，电阻率测量上、下探头为一对电涡流原理电阻率测量探头；终端接收厚度测试�？�5和电阻率测试�？�6采集的硅片数据信息并进行处理，获得硅片厚度与电阻率。使用硅片全面检测装置时，传送�？�2传送硅片分别经过激光器3、摄像头4、厚度测试�？�5、电阻率测试�？�6，激光器3将激光束照射到硅片表面，摄像头4获得硅片图像信息，并将图像信息传输到终端；终端对图像信息进行分析处理，对图像灰度和少数载流子寿命进行拟合，获得硅锭少数载流子寿命值，利用采集的图像信息完成红外探伤。厚度测量控制器控制厚度测量上、下探头获取传送�？�2上的硅片数据后，将相关数据传输给终端，终端计算出硅片厚度并将厚度作为参数；电阻率测量控制器控制电阻率测量上、下探头获取传送�？�2上的硅片数据后，将相关数据传输给终端，终端计算出硅片电阻率。
权利要求1.一种硅片全面检测装置，其特征在于包括机箱及其内部的传送�？�、激光器、摄像头、厚度测试模块、电阻率测试�？楹椭斩耍凰黾す馄鳌⑸阆裢�、厚度测试�？楹偷缱杪什馐阅？檠厮龃？榇头较蛞来闻欧旁谒龃湍？樯隙耍凰龃湍？�、激光器、摄像头、厚度测试�？楹偷缱杪什馐阅？橛敕直鹩胨鲋斩说缌�。
2.如权利要求I所述的硅片全面检测装置，其特征在于所述厚度测试�？榘ê穸炔饬可�、下探头和厚度测量控制器，所述厚度测量上、下探头为一对电容原理位移测量探头。
3.如权利要求I所述的硅片全面检测装置，其特征在于所述电阻率测试�？榘ǖ缱杪什饬可�、下探头和电阻率测量控制器，所述电阻率测量上、下探头为一对电涡流原理电阻率测量探头。
4.如权利要求I所述的硅片全面检测装置，其特征在于所述摄像头为近红外摄像头。
5.如权利要求4所述的硅片全面检测装置，其特征在于所述摄像头的波长范围为900_1700nm。
6.如权利要求I所述的硅片全面检测装置，其特征在于所述激光器为功率30W、发射激光波长8IOnm的激光器。
专利摘要本实用新型公开了一种硅片全面检测装置，包括机箱及其内部的传送�？�、激光器、摄像头、厚度测试模块、电阻率测试�？楹椭斩耍凰黾す馄�、摄像头、厚度测试�？楹偷缱杪什馐阅？檠厮龃？榇头较蛞来闻欧旁谒龃湍？樯隙耍凰龃湍？�、激光器、摄像头、厚度测试�？楹偷缱杪什馐阅？橛敕直鹩胨鲋斩说缌�。本实用新型为硅片全面检测提供了新的途径，减少了其他仪器的使用的同时，提高了检测效率，降低了误差率。
文档编号G01B7/06GK202614177SQ20122030274
公开日2012年12月19日 申请日期2012年6月25日 优先权日2012年6月25日
发明者陈才旷, 肖宗杰, 白德海, 罗世铤, 常平 申请人:北京合能阳光新能源技术有限公司
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