专利名称：一种薄膜型铂电阻温度传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种薄膜型钼电阻温度传感器。
背景技术：
现有的钼电阻温度传感器，是用导电胶，如导电银胶、Pt浆料等，将钼薄膜电阻与引线连接起来，实现温度信号的测试。这种引线结构存在的缺点是，由于钼薄膜电阻与引线之间没有直接接触，而是通过导电胶实现两者的互连，在实际测试过程中会造成测试误差；此外，当导电胶固化不良或在烧结不完全残留有胶物质，会导致测试的不稳定，降低测试精度，影响测试结果。
发明内容本实用新型的目的在于，针对现有技术的不足，提供一种薄膜型钼电阻温度传感器,温度测试稳定性好,测试精度高。本实用新型的技术方案为，一种薄膜型钼电阻温度传感器，包括衬底和引线，所述衬底顶面设有过渡层，并在过渡层顶面一侧设有钼电阻，而在过渡层顶面的另一侧设有用于安装引线的引线安装部，所述钼电阻的顶面覆有保护层。所述保护层和弓I线的顶面涂敷固定层。所述弓I线通过压焊固定到引线安装部。在已经过表面处理的传感器陶瓷衬底上沉积过渡层，接着在过渡层表面沉积钼电阻及其引线安装部，最后在钼薄膜电阻表面但不包括引线安装部沉积一层保护层，保护钼薄膜电阻。利用压焊方法，把引线压接在钼电阻的引线安装部，在压焊点处实现两者的直接互连，然后涂敷釉料固定层并烧结成型，对压焊点的连接进行加固和保护。本实用新型经过上述改进，避免了导电胶连接不良时对测试的影响，以及导电胶烧结不完全造成的测试不稳定，使传感器的温度测试稳定性和精度得到提高。
图1为本实用新型一种实施例的结构示意图；其中:11-衬底；12-过渡层；13-钼电阻；14-保护层；15-引线安装部；16-压接点；17_引线；18-釉料固定层。
具体实施方式
如图1所示，一种薄膜型钼电阻温度传感器，包括衬底11和引线17，衬底11顶面设有过渡层12，并在过渡层12顶面一侧设有钼电阻13，而在过渡层12顶面的另一侧设有用于安装引线17的引线安装部15，所述钼电阻13的顶面覆有保护层14。保护层14和引线17的顶面涂敷固定层18，引线17通过压焊固定到引线安装部15。衬底11为Al2O3，保护层14为Al2O3或SiO2,过渡层12为Al2O3,固定层18为釉料。在已经过表面处理的传感器陶瓷衬底11上沉积过渡层12，接着在过渡层12表面沉积钼薄膜电阻13及其引线安装部15，最后在钼薄膜电阻13表面沉积一层保护层14，保护钼薄膜电阻。利用压焊方法，把引线17压接在钼薄膜电阻13的引线安装部15，在压焊点16处实现两者的直接互连，然后涂敷釉料固定层18并烧结成型，对压焊点16的连接进行加固和 保护。
权利要求1.一种薄膜型钼电阻温度传感器，包括衬底(11)和引线(17)，其特征是，所述衬底(11)顶面设有过渡层(12)，并在过渡层(12)顶面一侧设有钼电阻(13)，而在过渡层(12)顶面的另一侧设有用于安装引线(17)的引线安装部(15)，所述钼电阻(13)的顶面覆有保护层(14)。
2.根据权利要求1所述薄膜型钼电阻温度传感器，其特征是，所述保护层(14)和引线(17)的顶面涂敷固定层(18)。
3.根据权利要求1所述薄膜型钼电阻温度传感器，其特征是，所述引线(17)通过压焊固定到引线安装部(15)。
4.根据权利要求1-3之一所述薄膜型钼电阻温度传感器，其特征是，所述衬底(11)为A1203。
5.根据权利要求1-3之一所述薄膜型钼电阻温度传感器，其特征是，保护层(14)为Al2O3 或 SiO2。
6.根据权利要求1-3之一所述薄膜型钼电阻温度传感器，其特征是，所述过渡层(12)为 A1203。
7.根据权利要求2所述薄膜型钼电阻温度传感器，其特征是，所述固定层(18)为釉料。
专利摘要本实用新型涉及一种薄膜型铂电阻温度传感器，包括衬底和引线，所述衬底顶面设有过渡层，并在过渡层顶面一侧设有铂电阻，而在过渡层顶面的另一侧设有用于安装引线的引线安装部，所述铂电阻的顶面覆有保护层。本实用新型经过上述改进，避免了导电胶连接不良时对测试的影响，以及导电胶烧结不完全造成的测试不稳定，使传感器的温度测试稳定性和精度得到提高。
文档编号G01K7/18GK202994323SQ20122059844
公开日2013年6月12日 申请日期2012年11月14日 优先权日2012年11月14日
发明者蓝镇立 申请人:中国电子科技集团公司第四十八研究所
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