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一种冷热探针测试仪的制作方法

时间:2025-05-02    作者: 管理员

专利名称:一种冷热探针测试仪的制作方法
技术领域:
本实用新型涉及测量仪器技术领域,特别设计一种冷热探针测试仪。
背景技术:
电阻率是硅材料的一项重要参数,现有技术中仅用万用表测量周边电阻,但是由于两个表头需要手动控制,不仅测量宽度不能固定,测量的稳定性也不能保证,测量的准确率不高,因此,需要寻求一种测量稳定性高的测试仪器。

实用新型内容本实用新型的目的是克服现有技术存在的缺陷,提供一种测量稳定性高的冷热探针测试仪。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种冷热探针测试仪,具有热探针、冷探针和万用表,所述热探针、冷探针通过导线连接到万用表的表笔接线柱上,所述热探针、冷探针固定设置在支架上。上述技术方案所述热探针还连接在电烙铁的烙铁头上。本实用新型的有益效果(1)本实用新型所述热探针、冷探针固定设置在支架上,固定了测量宽度,提高了测量的准确率,具有测量方便、快捷、稳定性好的特点。(2)本实用新型所述热探针连接在电烙铁的烙铁头上,升高温度,有利于准确稳定地测试固定距离的电势差。
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明。

图1是本实用新型的结构示意图。图中1.热探针,2.冷探针,3.万用表,31.表笔接线柱,4.支架,5.电烙铁具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型进行进一步描述。如图1所示的一种冷热探针测试仪,具有热探针1、冷探针2和万用表3,热探针1、 冷探针2固定设置在支架4上,并且通过导线连接到万用表3的表笔接线柱31上;热探针 1的下端还连接在电烙铁5的烙铁头上,用于提升温度。操作时,将万用表3打在“电压”档的200mv上,热探针1和冷探针2之间的距离为3厘米,若是N型半导体,则用电烙铁5连接的热探针2与半导体接触,传导电子将流向温度较低的区域,使得热探针2处电子减少,因而其电势相对于同一材料的室温触点而言将是正的;若是P型半导体,则用电烙铁5连接的热探针2与半导体接触,传导电子将流向温度较高的区域,使得热探针2处电子增加,因而其电势相对于同一材料的室温触点而言将是负的;通过测试固定测试距离的电势差,读取万用表3的示数,电势差大于30mV的硅片合格。 应当理 解,以上所描述的具体实施例仅用于解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。由本实用新型的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。
权利要求1.一种冷热探针测试仪,具有热探针(1)、冷探针(2)和万用表(3),所述热探针(1)、 冷探针(2)通过导线连接到万用表的表笔接线柱(11)上,其特征在于所述热探针(1)、冷探针(2)固定设置在支架(4)上。
2.根据权利要求1所述的冷热探针测试仪,其特征在于所述热探针(1)还连接在电烙铁(5)的烙铁头上。
专利摘要一种冷热探针测试仪,具有热探针、冷探针和万用表,所述热探针、冷探针通过导线连接到万用表的表笔接线柱上,所述热探针、冷探针固定设置在支架上。本实用新型所述热探针、冷探针固定设置在支架上,固定了测量宽度,提高了测量的准确率,具有测量方便、快捷、稳定性好的特点;热探针连接在电烙铁的烙铁头上,升高温度,有利于准确稳定地测试固定距离的电势差。
文档编号G01R27/02GK202119838SQ201120232449
公开日2012年1月18日 申请日期2011年7月4日 优先权日2011年7月4日
发明者李晓华, 王平, 黄钦 申请人:常州盛世电子技术有限公司

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