专利名称：测量方法、用于提供对准标记的方法和器件制造方法
技术领域：
本发明涉及光刻装置和方法。
背景技术：
这里使用的术语“构图结构”应该广义地解释为表示可以用于将带图案的截面赋予入射辐射光束的任何结构或�。么及傅慕孛娑杂τ谝诨椎陌胁恐胁耐及福皇跤铩肮夥А币部梢栽诒疚闹惺褂�。应该理解在构图结构上“显示”的图案可以大体上不同于最后传输给例如基底或基底层(例如在此使用了部件的预偏置、光学近似校正部件、相位和/或偏振变化技术、和/或多次曝光技术)上的图案。一般地，这种图案与在靶部中形成的器件如集成电路或其它器件(参见下文)的特殊功能层相对应。构图结构可以是反射性的和/或透射性的。这种构图结构的实例包括-掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的放置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性地被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是掩模台，它能够保证掩模被保持在入射辐射光束中的期望位置，并且如果需要该台会相对光束移动。
-可编程反射镜阵列。这种器件的一个例子是具有粘弹性控制层和反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非寻址区域将入射光反射为非衍射光。用适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的寻址图案而产生图案。也可以以相应的方式使用光栅光阀(GLV)阵列，其中每个GLV包括多个可相对于彼此变形的反射带(例如应用电势)，以形成可将入射光反射为衍射光的光栅。可编程反射镜阵列的另一替代实施例利用微小(尽可能地小的)反射镜的矩阵排列，通过施加适当的局部电�。蛘咄ü褂醚沟缰露爸茫沟妹扛龇瓷渚的芄欢懒⒌匚浦崆阈�。例如，反射镜是矩阵可寻址的，由此已寻址反射镜以不同的方向将入射的辐射光束反射到未寻址反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的寻址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵寻址。在上述的两种情况中，构图结构可以包括一个或多个可编程反射镜阵列。有关这里提到的反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、US5,523,193和PCT专利申请WO98/38597和WO98/33096中获得，这些文献在此引入作为参考。在使用可编程反射镜阵列的情况下，支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
-可编程LCD面板，在美国专利US5,229,872中给出了这种结构的一个实例，其在此引入作为参考。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模(或“分划板”)和掩模台(或“分划板台”)为例；然而，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图结构。
光刻装置可以用于将期望的图案施加到表面(例如基底的靶部)上。光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况中，构图结构可以产生对应于IC的单独层的电路图案，该图案可以成像在涂覆有辐射敏感材料(例如抗蚀剂)层的基底(例如硅晶片或其它半导体材料)的靶部上(例如包括一个或者多个管芯和/或其部分)。一般地，单一的晶片将包含整个矩阵或相邻靶部的网格，利用投影系统可相继照射该相邻靶部(例如一次一个)。
在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，在两种不同类型机器之间会有区别。在一类光刻投影装置中，通过一次将全部掩模图案曝光到靶部上而辐射每一靶部；这种装置通常称作晶片步进器。在另一种装置中-通常称作分步扫描装置-通过在投影光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一靶部；因为一般来说，投影系统有放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。在扫描类型的装置中的投影光束具有狭缝的形式，该狭缝在扫描方向具有狭缝宽度。如这里描述的关于光刻装置的更多信息可以从例如美国专利US6,046,792中获得，该文献在此引入作为参考。
在使用光刻投影装置的制造方法中，将(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由辐射敏感材料(例如抗蚀剂)层覆盖的基底上。在该成像步骤之前，可以对基底进行其它过程，如涂底漆，涂敷抗蚀剂和/或软烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的过程，如曝光后烘烤(PEB)，显影，硬烘烤和/或成像部件的测量/检查。以这一系列过程为基�。云骷�(例如IC)的单层构图。例如，这些传输过程可以在基底上得到带图案的抗蚀剂层。然后可进行一个或多个图案处理，如淀积、蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等等，其全部意在产生、改变、或完成一个单层。如果需要多层，那么对每一新层重复全部过程或者其变化。最后，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些器件彼此分开，由此单个器件可以安装在载体上，与管脚连接等等。关于这些过程的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微型芯片制造半导体加工实践指导(Microchip FabricationA Practical Guide toSemiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw HillPublishing Co.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得。
这里提到的基底可以在曝光前或后进行处理在例如轨道(一种工具，其通常对基底施加一层抗蚀剂，并显影已经曝光的抗蚀剂)或计量或检验工具中进行处理。在可适用的地方，这里的公开可以应用于这种或者其他基底处理工具。此外，(例如为了形成多层IC)可以对基底进行多次处理，因此这里使用的术语基底也可以表示已经包含多个处理层的基底。
术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学系统，反射光学系统，和反折射光学系统，和带电微粒光学系统。根据各种因素例如所用曝光辐射的类型、在曝光路径中任何浸液或填充气体的区域，在所有的或部分曝光路径中使用真空等可以选择特定的投影系统。为了简单起见，投影系统在下文称为“透镜”。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计操作的部件，该操作部件用于引导、整形、减小、放大、构图和/或控制辐射投影光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“透镜”。
另外，光刻装置可以是具有两个或多个基底台(和/或两个或者多个掩膜台)的类型。在这种“多级式”装置中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其他台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和PCT申请WO98/40791中描述的两级光刻装置，这两篇文献在此引入作为参考。
光刻装置还可以是这样一种类型，其中将基底浸润在具有相对高的折射率的液体(例如水)中，从而填充投影系统的最终元件和基底之间的空间。也可以将浸液施加到光刻装置的其它空间，例如在掩�：屯队跋低车牡谝辉�。使用浸润技术增加投影系统的有效数值孔径在本领域是公知的。
在本文中，所用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射或粒子束，包括紫外线辐射(例如波长为365，248，193，157或126nm)和EUV(远紫外辐射，例如具有5-20nm范围内的波长)，以及X射线和粒子束(如离子束或电子束)。
尽管在文中给出了特定的参考，用以在IC的制造中使用光刻装置，但是应该明确理解，这种装置可以具有许多其他可能的应用。例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头、DNA分析设备等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“分划板”，“晶片”或者“管芯”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”，“基底”和“靶部”(或“曝光区域”)代替。
期望的是在基底的两侧面上形成图案从而对准图案。例如，期望的是在基底的一侧上形成功能部件，该功能部件将与在基底的另一侧上的功能部件准确对准。
发明内容
根据本发明的一个实施例的测量方法包括检测从第一对准标记的至少一部分射出的光，该第一对准标记处于基底的第一表面。根据所述检测，确定第一对准标记和第二对准标记的相对位置，该第二对准标记处于与第一基底相对的基底的第二表面。该方法还包括从基底去除第一对准标记。
根据本发明的另一个实施例的测量方法包括检测从第一对准标记的至少一部分射出的光，该第一对准标记处于基底的第一表面，以及从基底去除该第一对准标记。在与第一表面相对的基底的侧面上的某一位置进行检测。
根据本发明的另一个实施例的测量方法包括在基底的第一表面上提供临时对准标记和第一对准标记，然后翻转基底。该方法还包括根据从临时对准标记的至少一部分射出的光以及在与第一表面相对的基底的侧面上的某一位置检测的光确定基底的位置，并提供在基底的第二表面上与第一表面不同的第二对准标记。
根据本发明的另一个实施例的基底包括在基底的第一表面上形成的第一对准标记和在基底的第一表面上形成的第二对准标记。在基底的第一层中形成该第一对准标记，在基底的第二层中形成该第二对准标记，第二层在第一层上。
现在仅通过实例的方式，参照随附的示意图描述本发明的实施例，其中图1示出了根据本发明一个实施例的光刻装置；图2示出了正反面对准装置以及具有对准标记的常规基底；图3示出了在处理之前的基底；图4示出了具有临时对准标记的基底；图5A示出了具有临时对准标记和第一固定对准标记的基底的截面；图5B示出了具有临时对准标记和第一固定对准标记的基底的顶视图；图6示出了具有第一和第二固定对准标记以及临时对准标记的基底；以及图7示出了图6中示出的去除了临时层的基底。
图中，相应的参考标记表示相应的部件。
具体实施例方式
本发明的实施例包括例如可以用于提供对准标记的方法和装置，对准标记的位置不受限制，但是仍然能够准确地确定基底正面和反面的相对对准。
图1示意性地示出了根据本发明一个特殊实施例的光刻装置。该装置包括
辐射系统，其配置成提供(例如具有能够提供的结构)辐射投影光束(例如UV或EUV辐射)。在该特殊的实例中，辐射系统RS包括辐射源SO，光束传输系统BD和具有用于设定照明模式的调节结构AM的照明系统，积分器IN和聚光器CO；支撑结构，其配置成支撑能够对投影光束构图的构图结构。在该实例中，第一目标台(掩模台)MT设有用于保持掩模MA(例如分划板)的掩模保持器，并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM连接；第二目标台(基底台)，其配置成保持基底。在该实例中，基底台WT设有用于保持基底W(例如涂敷抗蚀剂的半导体晶片)的基底保持器，并与用于将基底相对于物体PL和(例如干涉)测量结构IF精确定位的第二定位结构PW连接，该第二定位结构配置成精确表示基底和/基底台相对于透镜PL的位置；以及投影系统(“透镜”)，其配置成将带图案的光束投影。在该实例中，投影系统PL(例如折射透镜组、反折射或反射系统和/或反射镜系统)配置成将掩模MA的辐射部分成像在基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯和/或管芯的部分)上。或者，投影系统可以对第二源的图像投影，对于该第二源的图像，可编程构图结构的元件可用作光阀。投影系统还可以包括微透镜阵列(MLA)，例如用于形成第二源和将微斑点投影在基底上。
如这里指出的，该装置是透射型的(例如具有透射掩模)。然而，一般地，它还可以是例如反射型的(例如具有反射掩模)。或者，该装置可以利用其它种类的构图结构，如上述的可编程反射镜阵列型。
光源SO(例如汞灯、受激准分子激光器、电子枪、产生激光的等离子体源或放电等离子体源或者在围绕存储环或同步加速器中的电子束的路径提供的波动器)产生辐射光束。该光束直接或在横穿过调节结构或场后，馈送到照明系统(照明器)IL上。例如，光束输送系统BD可以包括合适的引导反射镜和/或光束扩展器。照明器IL包括调节结构或场AM，用于设定光束强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)，其可能影响在例如基底上由投影光束传输的辐射能量的角分布。另外，该装置一般包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。按照这种方式，照射到掩模MA上的光束PB在其横截面具有期望的均匀度和强度分布。
应该注意，图1中的辐射源SO可以置于光刻投影装置的壳体中(例如常常是当光源SO是例如汞灯的情况下)，但也可以远离光刻投影装置，其产生的辐射光束被(例如通过合适的定向反射镜的帮助)引导至该装置中；当源SO是受激准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。
随后光束PB与保持在掩模台MT上的掩模MA相交。横向穿过掩模MA(或者选择性地由掩模反射)后，光束PB通过透镜PL，该透镜将光束PB聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位结构PW(和干涉测量结构IF)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。类似地，例如在从掩�？庵谢等〕鲅谀A后或在扫描期间，可以使用第一定位结构PM将掩模MA相对光束PB的光路精确定位。一般地，在图1中没有明确示出的且形成结构PM，PW的部分的长冲程�？�(粗定位)和短冲程�？�(精定位)的辅助下，可以实现目标台MT、WT的移动。然而，在晶片步进器中(与步进-扫描装置相对)，掩模台MT可仅与短冲程致动装置(例如在掩模方向和位置方面进行微调)连接，或者可以固定。可以使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2将掩模MA和基底W对准。
所示的装置可以按照几种不同的模式使用1.在步进模式中，掩模台MT基本保持不动，整个掩模图像被一次投影(即单“闪”)到靶部C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的靶部C能够由光束PB辐射。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在扫描模式中，基本上是相同的情况，除了给定的靶部C不是在单“闪”中曝光。相反，掩模台MT沿给定方向(所谓的“扫描方向”，例如Y方向)以速度v移动，使得导致投影光束PB在掩模图像上扫描。同时，基底台WT沿相同或相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是透镜PL的放大倍率(典型地，M＝1/4或1/5)。利用投影系统PL的放大、缩小(减小)倍率和/或图像倒转特性，确定基底台WT相对于掩模台MT的速度和/或方向。通过这种方式，能够曝光相对大的靶部C，而不必牺牲分辨率。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中被曝光的靶部宽度(沿非扫描方向)，而扫描动作的长度确定了曝光靶部的高度(沿扫描方向)。
3.在其它模式中，掩模台MT基本保持静止地保持可编程构图结构，并且在将赋予给投影光束的图案投影到靶部C上的同时，移动或扫描基底台WT。在这种模式下，一般是使用脉冲辐射源，并且如果需要在基底台WT的每次移动之后或者在扫描期间连续的辐射脉冲之间校正可编程构图结构。这种操作模式能够容易地应用于使用了可编程构图结构的无掩模光刻装置，例如上面提到的可编程反射镜阵列型。
还可以使用上述使用模式的组合和/或变化，或者使用完全不同的使用模式。
在使基底曝光之前，期望的是准确地对准基底，例如为了保证准确地投影功能部件。图1示出了分别在掩�：突咨铣鱿值幕ゲ苟宰急昙荕1、M2和基底标记P1、P2的一个实例。可以使用对准系统来检测例如相对于该标记的对准。对准系统的实例包括常规的通过透镜式对准系统，以及在共同未决的欧洲专利申请案第No.02251440和02250235中描述的对准方法和装置。
通常对准标记出现在基底正面，但是也可以出现在基底反面。例如当在基底的两面进行曝光时，使用基底反面上的标记。尤其是在制造微型电子-机械系统(MEMS)或微型光-电子-机械系统(MOMEMS)的过程中进行这种曝光。当基底标记P1、P2出现在基底反面时，例如利用在基底W侧面的正反面对准光学系统22可以将基底标记再成像，从而形成在如附图的图2中显示为P2的图像Pi(P1可以用正反面对准光学系统的另一分支再成像)。可以使用正反面对准光学系统和对准系统AS确定在基底正面上的标记与在基底反面上的标记的相对位置。这种确定能够使在基底正面上曝光的功能部件与在基底反面上曝光的功能部件准确地排成一列。
可以将正反面对准光学系统嵌入在基底台中，因此期望的或者需要的是将基底反面上的对准标记排列在基底的某个位置，例如处于正反面对准光学系统的观察范围中。将对准标记的位置固定在基底反面可以限制功能部件设计的范围(例如它不能在与基底反面的对准标记相同的位置具有功能部件)，并且可以减少能够装配在基底上的器件数量。这些限制还阻碍了利用这种方法制造大规模的集成电路和器件。
由硅制成的基底W上覆盖有一层二氧化硅。利用例如化学汽相淀积或者热氧化物的生长能够得到这个结果。如图3所示，二氧化硅的临时层31应该很薄(例如数量级为5000埃)且均匀的在基底的两侧面上。除了在如下所述的处理操作中使用，抗蚀剂还可以形成保护层，例如防止对基底的任何一个侧面产生意外伤害。可以使用提供薄介电层的任何一种方法，例如所说明的化学汽相淀积、增强等离子体化学汽相淀积、溅射或外延生长。尽管这里使用的实例是二氧化硅层，但是它也可以是氮化硅层或任何其它薄膜。特别地已经使用了介电薄膜。然后将辐射敏感光致抗蚀剂(抗蚀剂)层32施加到覆盖了临时层31的基底上表面。或者可以将抗蚀剂32施加到基底W的两个表面。在另一个可替换的方案中，可以使用粒子束或机械蚀刻方法代替。
然后将临时对准标记35蚀刻到二氧化硅层31中，如图4所示。这些临时对准标记35可以定位在由正反面对准光学系统的设置所固定的位置，使得这些临时对准标记35在正反面对准光学系统的观察范围中是可见的。临时对准标记的形状曝光在抗蚀剂层32中。然后显影已经曝光的光致抗蚀剂，以及蚀刻下面的二氧化硅。优选地这是一种用于产生特定的清洗蚀刻的干蚀刻，但是也可以使用例如氢氟酸。或者，可以使用粒子束或机械蚀刻方法代替。
通过将基底设计为一个整体可以控制固定对准标记40的位置。这种排列能够制造大的集成电路。尽管通过将基底设计为一个整体可以控制固定对准标记40的位置，但是它们的位置可以相对临时对准标记35进行测量。然而，该位置也能够相对一些其它的参考点例如基底W的边缘或基底台WT上的基准标记进行测量。
在光致抗蚀剂中曝光第一固定对准标记40的形状，并去除下面的二氧化硅。然后使用例如氢氧化钾、等离子蚀刻或者其它任何适当的蚀刻方法将对准标记蚀刻到硅中。图5B示出了临时对准标记35和第一固定对准标记40的排列。这种排列包括四个没有排列成一条直线的第一固定对准标记35。在二维而不是单独地在一维排列中的标记排列可以在基底W的整个二维平面上得到更好的基底对准。
然后将基底翻转，使得还未蚀刻的基底侧面朝上，并将一层抗蚀剂涂敷在基底的上表面。这样临时对准标记35处于正反面对准光学系统的观察范围中，因此能够准确地确定这些标记的位置。尽管第二固定对准标记45的位置可通过将基底设计为一个整体来进行控制，但是可相对于临时对准标记35的已知位置测量第二固定对准标记45的位置。因此可以准确地知道第一和第二固定对准标记40、45相对于彼此的位置，以及知道在基底的一个侧面上任一功能元件相对于在基底任一侧面上任一功能元件的位置。因此可以实现小于100nm的重叠准确度。尽管如图6所示的固定对准标记表示为直接彼此相对，但是也可以不是这样，它们可以处于基底上的不同位置。例如利用上述的方法使第二固定对准标记曝光并蚀刻到硅中。
然后去除抗蚀剂层32和临时的二氧化硅层31，以使得基底仅具有第一和第二固定对准标记。为了使基底上的任一功能元件曝光，能够相对于此时在基底的顶面上可见的对准标记计算位置。因此能够不必另外使用正反面对准光学系统。
为了改进的结果，期望的是使用掩模将对准标记曝光，从而使对准标记按照顺序布置在光场的中心(例如为了减小来自成像透镜系统的变形)。
这里使用的术语“基底”包括待处理的目标(例如半导体晶片)以及处于该目标上的各个层。目标的“在表面上形成的”部件是处于表面中和/或表面附近(例如与目标的另一表面相对)的部件；这种部件可以在表面中、表面上、穿过表面和/或表面下方形成。例如，在第二表面层下方的基底的第一表面层中形成的部件，以及在第一薄膜层下方和附近形成的部件都是在基底的“表面上形成的”的部件。
本发明的实施例包括在光刻装置中制造的基底上提供对准标记的方法。一种根据本发明的一个实施例在基底上提供对准标记的方法包括提供基底；在基底的表面上提供临时对准标记和第一对准标记；翻转基底；使用在对准装置中提供的正反面对准光学系统利用临时对准标记对准基底；以及在基底的与第一对准标记不同的表面上提供第二对准标记。
一旦已知第一对准标记和临时对准标记的相对位置，以及已知临时对准标记和第二对准标记的相对位置，那么就知道了第一和第二对准标记的相对位置。此时仅使用在基底正面示出的对准标记就可以对准基底。在初次使用正反面对准光学系统之后，它们就不再需要了，然后可以去除该临时对准标记。期望的是提供与正反面对准光学系统的分支相同数目的临时对准标记，这样例如正反面对准光学系统的每一分支的观察范围包含一个临时对准标记。
这种方法可以可选择地包括在基底表面上提供临时层的另一元件，将该临时对准标记蚀刻到临时层中。一旦结束使用临时对准标记，例如能够简单地去除该临时层，由此去除临时对准标记。临时层可以是介电的；特别地，其可以是氮化物层或者氧化物层。和临时对准标记相反，将第一和第二对准标记蚀刻到基底自身中。
为了更好的结果，期望的是提供多个第一和第二对准标记，例如为了提供多个位置以便检查对准。例如，期望的是提供三个或更多的第一对准标记，这些第一对准标记可能并不全部排成一条直线。这种排列可以使对准在基底的整个二维表面中更好地进行检查。类似地，期望的是提供三个或更多的第二对准标记，这些第二对准标记可能并不全部排成一条直线。这些第一和第二对准标记在基底任一侧面上可以直接或不直接彼此相对。
利用设置在基底上(例如在临时层上，如果存在临时层的话)的保护层可以保护基底表面。然后正好在去除临时层之前去除该保护层。
根据本发明的另一个实施例的器件制造方法，其包括提供具有临时对准标记的基底；在与临时对准标记相同的基底表面上提供第一对准标记；翻转基底；利用该临时对准标记使用对准系统对准基底；在与第一对准标记所处的不同的基底表面上提供第二对准标记；以及使用第一和第二对准标记在形成基底上的处理层的过程中对准基底。
尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，可以理解可以不同于所描述的实施所要求的本发明。例如，本方法的实施例还可以包括一个或多个计算机、处理器、和/或处理单元(例如逻辑元件阵列)，其配置成控制装置以便实施这里描述的方法，或者还包括数据存储媒质(例如磁盘或光盘或半导体存储器如ROM、RAM、或快速RAM)，其配置成包括描述这种方法的指令(例如利用逻辑元件阵列可执行的)。应该明确注意这些实施例的说明不是为了限制所要求的本发明。
权利要求
1.一种测量方法，所述方法包括检测从基底的第一对准标记的至少一部分射出的光，该第一对准标记处于基底的第一表面；根据所述检测，确定基底的第一对准标记和第二对准标记的相对位置，该第二对准标记处于与第一基底相对的基底的第二表面；以及从基底去除该第一对准标记。
2.如权利要求1所述的测量方法，其中所述去除第一对准标记包括从基底去除层的至少一部分。
3.如权利要求2所述的测量方法，其中该层大体上包括介电材料。
4.如权利要求2所述的测量方法，其中该层包括氧化物和氮化物中的至少一种。
5.如权利要求1所述的测量方法，所述方法还包括在第一对准标记上形成层。
6.如权利要求1所述的测量方法，所述方法还包括确定第二对准标记和第三对准标记的相对位置，该第三对准标记处于基底的第一表面。
7.如权利要求6所述的测量方法，其中所述确定第二对准标记和第三对准标记的相对位置包括在基底处于第一方向时确定第三对准标记的位置，以及其中在基底处于第二方向的同时确定第一对准标记和第二对准标记的相对位置，以及其中将处于第二方向的基底相对于处于第一方向的基底翻转。
8.如权利要求7所述的测量方法，其中所述确定第一对准标记和第二对准标记的相对位置包括在基底处于第二方向时检测从基底的第一表面和第二表面射出的光。
9.如权利要求6所述的测量方法， 其中第一对准标记仅延伸到基底的表面层中，以及其中第二和第三对准标记延伸到表面层下方的基底的一部分中。
10.如权利要求1所述的测量方法，所述方法还包括确定第二对准标记和多个第三对准标记的相对位置，该第三对准标记处于基底的第一表面。
11.如权利要求10所述的测量方法，其中多个第三对准标记包括至少三个对准标记，三个对准标记的每一个相对于另两个对准标记非共线排列。
12.如权利要求10所述的测量方法，其中多个第二对准标记中的至少一个和多个第三对准标记中的至少一个大体上直接彼此相对。
13.如权利要求10所述的测量方法，其中多个第二对准标记中的至少一个和多个第三对准标记中的至少一个不直接彼此相对。
14.如权利要求1所述的测量方法，所述方法还包括确定第一对准标记和多个第二对准标记的相对位置，该第二对准标记处于与第一表面相对的基底的第二表面，其中所述确定第一对准标记和多个第二对准标记的相对位置是根据所述检测从第一对准标记的至少一部分射出的光。
15.如权利要求14所述的测量方法，其中多个第二对准标记包括至少三个对准标记，三个对准标记的每一个相对于另两个对准标记非共线排列。
16.如权利要求1所述的测量方法，所述方法还包括确定第三对准标记的位置，该第三对准标记处于基底的第一表面，其中所述确定第三对准标记的位置包括检测从第三对准标记的至少一部分射出的光，以及其中所述检测从第三对准标记的至少一部分射出发生在与第一表面相同的基底侧上的位置。
17.如权利要求16所述的测量方法，其中第一对准标记仅延伸到基底的表面层中，以及其中第三对准标记延伸到表面层下方的基底的一部分中。
18.如权利要求1所述的测量方法，所述方法还包括根据所述检测确定基底的位置。
19.如权利要求18所述的测量方法，所述方法还包括根据所述确定基底的位置用带图案的辐射光束曝光基底上的层的辐射敏感部分。
20.如权利要求19所述的测量方法，所述方法还包括根据所述曝光在基底上形成处理层。
21.一种根据如权利要求19的方法制造的器件。
22.如权利要求19所述的测量方法，所述方法还包括在某一位置处在基底中形成功能元件，第一对准标记从该位置去除。
23.一种测量方法，所述方法包括检测从基底的第一对准标记的至少一部分射出的光，该第一对准标记处于基底的第一表面；以及从基底去除该第一对准标记，其中在与第一表面相对的基底的侧面上的某一位置进行所述检测。
24.如权利要求23所述的测量方法，所述方法还包括检测从另一个第一对准标记的至少一部分射出的光，该另一个第一对准标记处于基底的第一表面；以及从基底去除该另一个第一对准标记，其中所述检测从另一个第一对准标记的至少一部分射出的光发生在与第一表面相对的基底的侧面上的某一位置。
25.如权利要求23所述的测量方法，所述方法还包括检测第一对准标记的位置，其中所述检测第一对准标记的位置是根据所述检测从第一对准标记的至少一部分射出的光。
26.如权利要求23所述的测量方法，其中所述去除第一对准标记包括从基底去除层的至少一部分。
27.如权利要求26所述的测量方法，其中该层大体上包括介电材料。
28.如权利要求26所述的测量方法，其中该层包括氧化物和氮化物中的至少一种。
29.如权利要求23所述的测量方法，所述方法还包括在第一对准标记上形成层。
30.如权利要求23所述的测量方法，所述方法还包括确定第一对准标记和第二对准标记的相对位置，该第二对准标记处于与第一表面相对的基底的第二表面上，其中所述确定第一对准标记和第二对准标记的相对位置是根据所述检测从第一对准标记的至少一部分射出的光。
31.如权利要求30所述的测量方法，所述方法还包括确定第二对准标记和第三对准标记的相对位置，该第三对准标记处于基底的第一表面。
32.如权利要求31所述的测量方法，其中第一对准标记仅延伸到基底的表面层中，以及其中第二和第三对准标记延伸到表面层下方的基底的一部分中。
33.如权利要求30所述的测量方法，所述方法还包括确定第二对准标记和多个第三对准标记的相对位置，该第三对准标记处于基底的第一表面。
34.如权利要求33所述的测量方法，其中多个第三对准标记包括至少三个对准标记，三个对准标记的每一个相对于另两个对准标记非共线排列。
35.如权利要求23所述的测量方法，所述方法还包括确定第一对准标记和多个第二对准标记的相对位置，该第二对准标记处于与第一表面相对的基底的第二表面，其中所述确定第一对准标记和多个第二对准标记的相对位置是根据所述检测从第一对准标记的至少一部分射出的光。
36.如权利要求35所述的测量方法，所述方法还包括确定第二对准标记和多个第三对准标记的相对位置，该第三对准标记处于基底的第一表面，其中多个第三对准标记包括至少三个对准标记，三个对准标记的每一个相对于另两个对准标记非共线排列，以及其中多个第二对准标记中的至少一个和多个第三对准标记中的至少一个大体上直接彼此相对。
37.如权利要求35所述的测量方法，所述方法还包括确定第二对准标记和多个第三对准标记的相对位置，该第三对准标记处于基底的第一表面，其中多个第三对准标记包括至少三个对准标记，三个对准标记中每一个相对于另两个对准标记非共线排列，其中多个第二对准标记中的至少一个和多个第三对准标记中的至少一个不直接彼此相对。
38.如权利要求35所述的测量方法，其中多个第二对准标记包括至少三个对准标记，三个对准标记的每一个相对于另两个对准标记非共线排列。
39.如权利要求23所述的测量方法，所述方法还包括根据所述检测确定基底的位置。
40.如权利要求39所述的测量方法，所述方法还包括根据所述确定基底的位置用带图案的辐射光束曝光基底上的层的辐射敏感部分。
41.如权利要求40所述的测量方法，所述方法还包括根据所述曝光在基底上形成处理层。
42.一种根据如权利要求40的方法制造的器件。
43.一种基底，其包括在基底的第一表面上形成的第一对准标记；在基底的第一表面上形成的第二对准标记；其中在基底的第一层中形成该第一对准标记，以及其中在基底的第二层中形成该第二对准标记，第二层在第一层上。
44.如权利要求43所述的基底，所述基底还包括在基底上不同于第一表面的第二表面上形成的第三对准层。
45.如权利要求43所述的基底，其中第二对准标记不延伸到第一层中。
46.如权利要求43所述的基底，其中第二层大体上包括氮化物和氧化物中的至少一种。
47.一种测量方法，其包括提供具有临时对准标记和第一对准标记的基底，所述标记处于基底的第一表面上；翻转基底；根据从临时对准标记的至少一部分射出的光以及在与第一表面相对的基底的侧面上的某一位置检测的光确定基底的位置；以及在不同于第一表面的基底的第二表面上提供基底的第二对准标记。
48.如权利要求47所述的测量方法，所述方法还包括从基底去除临时对准标记。
全文摘要
在根据本发明的一个实施例的测量方法中，确定在基底的一个侧面上的临时对准标记和在基底另一侧面上的对准标记的相对位置，然后去除该临时对准标记。在去除临时对准标记之前，确定该标记和在基底的同一侧面上的另一标记的相对位置。可以在例如氧化物层中形成该临时对准标记。
文档编号G01B11/00GK1641484SQ200410104819
公开日2005年7月20日 申请日期2004年12月23日 优先权日2003年12月24日
发明者J·J·康索里尼, K·F·贝斯特, A·弗里兹 申请人:Asml荷兰有限公司
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