专利名称：放射线检测器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种对湮灭放射线对的检测信号进行校正的放射线检测器，特别是涉及一种在将放射线转换为荧光并测量该荧光的结构的放射线检测器中能够通过校正来消除荧光的残光的影响的放射线检测器。
背景技术：
对以往的使放射线药剂的分布成像的正电子发射断层摄影装置(PET)的具体结构进行说明。以往的PET装置具备将检测放射线的放射线检测器圆环状地排列构成的检测器环。该检测器环对从被检体内的放射性药剂放出的彼此为相反方向的一对Y射线(湮灭放射线对)进行检测。说明放射线检测器51的结构。如图9所示，放射线检测器51具备:三维地排列闪烁体晶体而得到的闪烁体52和对从被闪烁体52吸收的Y射线发出的荧光进行检测的光检测器53。光检测器53具备在矩阵上排列多个光检测元件而得到的检测面。而且，将光检测器53的检测面与闪烁体52的一面以光学方式进行连接(参照专利文献1、专利文献2)。入射到闪烁体52的放射线被转换为多个光子而朝向光检测器53。此时，光子一边在空间中扩散一边进入闪烁体52的内部，从而入射到排列在矩阵上的光检测器53的各个检测面。也就是说，由荧光产生的多个光子同时被分配给多个光检测元件来进行检测。放射线检测器51是利用由多个光检测元件捕捉到的荧光的检测数据来获知在闪烁体2的哪个部分发出荧光的结构。即，放射线检测器51通过多个光检测元件求出检测面上的荧光的光束的重心位置。该重心位置本身意味着产生荧光的位置。使用该位置数据以确定被检体的放射性药剂集聚的位置。
``
专利文献1:日本特开2009-222439号公报专利文献2:日本特开2009-229127号公报
发明内容
发明要解决的问题然而，在以往的放射线的检测中存在如下问题。即，存在当入射到放射线检测器51的放射线的剂量变多时荧光的产生位置的确定变得不准确的问题。该问题与荧光的光束的重心的计算方法有关，因此对该计算方法进行说明。为了简便，设为光检测器53的检测面如图10所示那样由2X2的光检测元件构成。将从光检测元件al……a4输出的荧光的检测信号(随时间的经过荧光的检测存在偏差，因此设为以时间对准确地表示荧光的强度的强度数据进行积分时的累计值m)设为Al……A4。Al……A4表示由各光检测元件al……a4检测到的荧光的强度。将中心的位置设为原点，如下那样表示荧光的光束的X方向上的重心位置X。X= {(Al+A3) - (A2+A4)} / {(A1+A2+A3+A4)}......(I)当入射到放射线检测器51的放射线的剂量变多时，发生荧光的检测强度从表面来看变大的现象。接着，说明该现象。图11示出了由光检测元件检测的荧光的随时间的变化。由闪烁体发出的荧光虽然弱但持续照射光检测元件一段时间。在放射线检测中，如果考虑直到这种荧光的残光消失为止再去检测，则荧光的检测所花费的时间过长，因此放射线检测器51忽略该残光来测量荧光。即，如图11所示，放射线检测器51以时间对在某一期间P内由光检测元件al……a4输出的检测强度进行积分，来计算出荧光的检测强度Al……A4。此时残光不作为荧光的检测强度加以考虑。此外，图11中的Pl是用于判定荧光产生的事件阈值。当入射到放射线检测器51的放射线的剂量变多时，在之前的荧光的残光没有结束湮灭期间发出下一个荧光。也就是说，具有时宽的荧光之间随时间的经过发生叠加。即，如图12所示，当计算荧光的检测强度时加上了用S表示的残光成分。在检测强度Al……A4中全部发生这种现象。如果分别用a、P、Y、S来表示Al……A4所涉及的残光成分，则在存在残光成分的条件下计算出的重心位置X成为如下那样。X= {(Al+ a +A3+ y ) - (A2+ ^ +A4+ 6 )}/{(Al+ a +A2+ ^ +A3+ y +A4+ 6 )}......(2)残光成分a、0Y、S取大致相同的值，因此式2的分子的残光成分被抵消。但是，式2的分母处的残光成分无法去除，反而由于求和而被放大。因而，式2中的位置X的值受到残光成分的影响而成为与实际不同的值。具体地说，残光成分的存在使式2中的分母变大，使位置X的值的绝对值变小。在与X方向正交的y方向上也发生该现象。说明残光成分对重心的位置映射造成怎样的影响。当前，设为从构成闪烁体2的各闪烁体晶体的中心发出荧光。图13所示的点p是此时的荧光的产生位置。在不受残光成分的影响的情况下，放射线检测器51按图13所示那样确定荧光的产生位置。如果在所检测的荧光中含有残光成分，则放射线检测器51无法准确地确定图13所示的荧光的产生位置。即 ，由于残光的影响使式2所示的X、Y的值的绝对值表面上变小。于是，如图14所示，所计算出的荧光的产生位置表面上偏离闪烁体2的中心侧，荧光的产生的分布缩小。这样，根据以往的技术，由于突光的残光而不能准确地确定突光的产生位置。此外，位置Y是荧光的产生位置的y方向的位置。本发明是鉴于这种情况而完成的，其目的在于提供一种能够进行校正以不受荧光的残光影响而准确地确定Y射线的入射位置的放射线检测器。用于解决问题的方案本发明为了解决上述问题而采用如下结构。S卩，作为第一结构，本发明所涉及的放射线检测器的特征在于，具备:(A)闪烁体，其由将放射线转换为荧光的闪烁体晶体排列而成；(B)光检测器，其检测荧光；(C)强度数据获取单元，其随时间的经过每隔固定的采样间隔获取由光检测器输出的表示荧光的强度的强度数据；(D)强度数据累积单元，其累积由强度数据获取单元获取到的强度数据；(E)存储单元，其存储多个阈值；(F)事件检测单元，其将相继获取的强度数据与强度数据比较用的事件阈值进行比较，当强度数据超过事件阈值时识别出发生了放射线入射到闪烁体的事件，并获取发生该事件的时刻即事件发生时刻；(Gl)校正值获取单元，其从强度数据累积单元读出在事件发生时刻之前检测到的强度数据，基于该强度数据、双重事件阈值以及多重事件阈值来获取校正值，该校正值用于校正由荧光的残光引起的强度数据的变动；以及(H)累计单元，其对在事件发生时刻以前和事件发生时刻以后检测到的强度数据进行累计，并且利用校正值进行校正来计算出累计值。另外，作为第二结构，本发明所涉及的放射线检测器的特征在于，具备:(A)闪烁体，其由将放射线转换为荧光的闪烁体晶体排列而成；(B)光检测器，其检测荧光；(C)强度数据获取单元，其随时间的经过每隔固定的采样间隔获取由光检测器输出的表示荧光的强度的强度数据；(E)存储单元，其存储多个阈值；(F)事件检测单元，其将相继获取的强度数据与强度数据比较用的事件阈值进行比较，当强度数据超过事件阈值时识别出发生了放射线入射到闪烁体的事件，并获取发生该事件的时刻即事件发生时刻；(G2)校正值获取单元，其将由强度数据获取单元获取到的强度数据与荧光判定用的荧光阈值进行比较，小于荧光阈值的强度数据被判定为在没有发生事件的状态下获取到的强度数据，基于在该状态下获取到的强度数据来获取校正值，该校正值用于校正由荧光的残光引起的强度数据的变动；以及(H)累计单元，其对在事件发生时刻以前和事件发生时刻以后检测到的强度数据进行累计，并且利用校正值进行校正来计算出累计值。[作用和效果]根据本发明，具备累计单元，该累计单元随时间的经过每隔固定的采样间隔对由光检测器输出的表示荧光的强度的强度数据进行累计，计算出表示由于放射线入射到闪烁体而产生的荧光的强度的累计值。累计单元的输出用于确定闪烁体中的荧光的产生位置。由闪烁体产生的荧光完全湮灭要花费时间，因此在放射线强度强、计数率高的情况下，由光检测器输出的强度数据包含在此之前产生的荧光的残光成分。因而，累计单元对累计值多余地估算了残光成分，对确定荧光的位置造成障碍。因此，本发明具备:强度数据获取单元，其随时间的经过每隔固定的采样间隔获取由光检测器输出的表示荧光的强度的强度数据；以及校正值获取单元，其获取用于校正由荧光的残光引起的强度数据的变动的校正值，累计单元利用校正值进行强度数据的校正。如果设为这样的结构，能够不受荧光的残光成分影响而准确地求出累计值。因而，根据本发明，能够提供一种可准确地确定荧光的位置的放射线检测器。此外，第二结构中的校正值获取单元之所以利用荧光判定用的荧光阈值，是因为需要能够利用在没有发生事件的状态下获取到的强度数据来获取校正值。下面，针对第一结构、第二结构例示了优选的对应结构。不特别地进行限定，设为以下各方式能够应用于任一个结构。首先，在上述第一结构的放射线检测器中，更为优选的是，在所获取到的校正值为双重事件阈值以上的情况下，校正值获取单元基于存储在存储单元中的将校正值与对应值相关联而得到的表来获取与校正值对应的对应值，累计单元基于对应值来进行强度数据的校正。[作用和效果]上述结构表示与本发明的第一结构有关的更为具体的结构。S卩，在校正值为双重事件阈值以上的情况下，累计单元基于对应值进行强度数据的校正。在获取到的校正值取高值的情况下，在前一次的放射线入射到闪烁体后不久，本次的放射线入射到闪烁体。当求取本次的放射线所涉及的累计值时，在包含前一次的放射线所涉及的残光成分的状态下计算累计值。仅根据事件发生时刻之前的强度数据难以获取该校正值，该事件发生时刻是开始发出本次的放射线所涉及的荧光的时间点。这是由于在测量本次的放射线所涉及的强度数据的过程中前一次的放射线所涉及的残光成分发生衰减。因而，根据上述结构，在累计值的校正中使用与校正值对应的对应值。能够根据校正值的值自如地变更该对应值，使得能够进行恰当的校正。因而，根据上述结构，更能够提供一种不受荧光的残光成分影响而更为准确地求出累计值的放射线检测器。另外，在上述第一结构的放射线检测器中，更为优选的是，在获取到的校正值为多重事件阈值以上的情况下，校正值获取单元不进行动作，累计单元不进行校正就计算出累计值，其中，该多重事件阈值表示比双重事件阈值高的强度。[作用和效果]上述结构表示与本发明的第一结构有关的更为具体的结构。S卩，在获取到的校正值为表示比双重事件阈值高的强度的多重事件阈值以上的情况下，校正值获取单元不进行动作。在事件发生时刻之前强度数据高到多重事件阈值以上的情况下，在强度数据中叠加有好几重残光成分，在这种情况下难以计算校正值。根据上述结构，在事件发生时刻之前强度数据表示高值、无法获取可靠性高的校正值的情况下，累计单元不进行校正就计算出累计值。如果设为这种结构，不会进行无用的校正，结果是能够提供一种不受荧光的残光成分影响而更为准确地求出累计值的放射线检测器。另外，在上述第二结构的放射线检测器中，更为优选的是，(I)校正值获取单元对多个强度数据进行平均来获取校正值，(J)校正值获取单元继续将强度数据与判定用的阈值进行比较，直到强度数据的个数为规定个数为止。[作用和效果]上述结构为对本发明的第二结构更为具体地表示的结构。如果校正值获取单元继续将强度数据与判定用的阈值进行比较，直到强度数据的个数为规定个数为止，则能够获取可靠性更高的强度数据的平均值。在无法将强度数据全部用于平均值的计算的情况下，这种结构是有利的。另外，在上述第二结构的放射线检测器中，更为优选的是，(K)校正值获取单元通过在获取校正值之后仍继续将强度数据与判定用的阈值进行比较来相继获取校正值，每当获取到校正值时都进行校正值的更新。[作用和效果]上述结构为对本发明的第二结构更为具体地表示的结构。能够提供如下一种放射线检测器:校正值获取单元如果通过在获取校正值之后仍继续将强度数据与判定用的阈值进行比较来相继获取校正值，并更新校正值，则即使放射线检测器的放射线检测的特性随时间发生变化，也能够随着该变化准确地校正累计值。另外，在上述第二结构的放射线检测器中，更为优选的是，光检测器每隔某一时间间隔检测荧光，强度数据获取单元的采样间隔比光检测器检测荧光时的时间间隔长。[作用和效果]上述结构表示与本发明的第二结构有关的更为具体的结构。能够提供如下一种放射线检测器:如果强度数据获取单元的采样间隔比光检测器检测荧光时的时间间隔长，则校正值获取单元不需要为了获取校正值而进行大量的运算，从而减轻了动作负担。另外，在上述第二结构的放射线检测器中，更为优选的是，强度数据获取单元获取强度数据时的采样间隔为IOy s以上。[作用和效果]上述结构表示与本发明的第二结构有关的更为具体的结构。如果强度数据获取单元的采样间隔为IOy s以上，则足以求出可靠性高的校正值。另外，在上述放射线检测器中，更为优选的是，还具备对光检测器供给电力的分压单元，通过从强度数据减去基准水平的值来计算出由校正值获取单元获取的校正值，该基准水平是在不对光检测器供给电力的状态下获取到的强度数据。[作用和效果]上述结构表示本发明的更为具体的结构。关于作为校正值的基础的强度数据，除了被附加了与荧光有关的成分以外，还被实现本发明的结构的进行信息处理的各单元附加了各种成分。能够提供如下一种放射线检测器如果通过从强度数据减去在不对光检测器供给电力的状态下获取到的强度数据即基准水平的值来计算出校正值，则能够更为准确地求出累计值。另外，在上述放射线检测器中，更为优选的是，(I)校正值获取单元对多个强度数据进行平均来获取校正值。[作用和效果]上述结构表示本发明的更为具体的结构。能够提供如下一种放射线检测器如果对多个强度数据进行平均来获取校正值，则不受强度数据所含有的噪声成分影响而更为准确地校正累计值。另外，在上述放射线检测器中，更为优选的是，还具备荧光产生位置确定单元，该荧光产生位置确定单元利用由上述累计单元生成的累计值来确定闪烁体中的荧光的产生位置。[作用和效果]上述结构更为具体地示出本发明的结构。即，上述结构明确记载了确定闪烁体中的荧光的产生位置的单元。发明的效果本发明具备强度数据获取单元，其随时间的经过每隔固定的采样间隔获取由光检测器输出的表示荧光的强度的强度数据；以及校正值获取单元，其获取用于校正由荧光的残光引起的强度数据的变动的校正值，累计单元利用校正值进行强度数据的校正。通过设为这种结构，能够不受荧光的残光成分影响而准确地求出累计值。因而，根据本发明，能够提供一种可准确地确定荧光的位置的放射线检测器。
图1是说明实施例1所涉及的放射线检测器的结构的功能框图。图2是说明实施例1所涉及的光检测器的动作的俯视图。图3是说明实施例1所涉及的放射线检测器的动作的流程图。图4是说明实施例1所涉及的放射线检测器的动作的示意图。图5是说明实施例2所涉及的放射线检测器的动作的示意图。图6是说明实施例2所涉及的放射线检测器的动作的流程图。图7是说明本发明的一个变形例所涉及的放射线检测器的动作的示意图。图8是说明本发明的一个变形例所涉及的放射线检测器的动作的示意图。图9是说明以往的放射线检测器的示意图。图10是说明以往的放射线检测器的示意图。图11是说明以往的放射线检测器的示意图。图12是说明以往的放射线检测器的示意图。图13是说明以往的放射线检测器的示意图。图14是说明以往的放射线检测器的示意图。
具体实施例方式下面，利用实施例来说明用于实施发明的最佳方式。实施例1以下，对本发明所涉及的放射线信号处理装置和放射线检测器的实施例进行说明。Y射线是放射线的一例。<放射线信号处理装置和放射线检测器的整体结构>如图1所示，实施例1所涉及的放射线检测器I具备纵横地排列闪烁体晶体C而构成的闪烁体2 ;光检测器3，其设置在闪烁体2的下面，检测从闪烁体2发出的荧光；以及光导单元4，其配置在介于闪烁体2与光检测器3之间的位置。各闪烁体晶体C由Ce扩散的 Lu2(1_x)Y2xSiO5(以下称为 LYS0)构成。光检测器3包括四个光电倍增管3a，能够对所入射的荧光的x和y的相关位置进行辨别。更为具体地说，如图2所示，光检测器3具有以纵2X横2的方式矩阵状地排列光电倍增管3a而得到的检测面3b，该检测面3b与闪烁体2以光学方式进行连接。当产生荧光时，各光电倍增管3a输出表不突光的强度的强度数据。光检测器3附加表不任一个光电倍增管3a检测到何种程度的荧光的信息，并输出到A/D转换部10(参照图1)。因而，在从光检测器3输出的检测数据中包含荧光的强度信息和位置信息两种信息。为了将由闪烁体2产生的荧光引导至光检测器3而设置了光导单元4。因而，光导单元4与闪烁体2和光检测器3以光学方式耦合。分压单元6被设置为光检测器3的电力供给源。分压单元6对光检测器3的光电倍增管3a施加高电压。光电倍增管3a根据对其施加的该高电压来放大来源于突光的光子，输出检测数据Da。在检测数据Da中包含表示荧光的强度的强度数据S和表示何时检测到该强度数据S的时间数据。以将作为模拟数据的光检测器3的检测数据Da数字化为目的而设置A/D转换部10。以基于从累计部15输出的累计值来求出闪烁体2中的荧光的产生位置为目的而设置荧光产生位置确定部16。作为求出荧光的产生位置的方法，与利用上述式I进行说明的方法相同。累计部15相当于本发明的累计单元，荧光产生位置确定部16相当于本发明的荧光产生位置确定单元。关于检测数据Da，光检测器3所具有的每个光电倍增管3a输出各自的值。如果从在光检测器3中设置有四个光电倍增管3a来看，则光检测器3将相互独立的四个检测数据Da发送到A/D转换部10。另外，放射线检测器I具备强度数据获取部11，其随时间的经过每隔固定的采样间隔Sa接收从光检测器3输出的各检测数据(准确地说是将其数字化而得到的检测数据D)，基于该检测数据获取数字化后的检测数据D所包含的强度数据S ;强度数据累积部12，其累积由强度数据获取部11获取到的强度数据S ;事件检测部13，其将从各光电倍增管3a输出的四个检测数据Da之和与强度数据比较用的事件阈值Pl进行比较，当四个检测数据Da之和超过该事件阈值时识别出发生了 Y射线入射到闪烁体2的事件，并获取发生该事件的时刻即事件发生时刻T ;校正值获取部14，其从强度数据累积部12读出在事件发生时刻T之前检测到的强度数据S，基于该强度数据S获取用于校正由荧光的残光引起的强度数据S的变动的校正值A ;以及累计部15，其对事件发生时刻T以前和事件发生时刻T以后检测到的强度数据S进行累计，并且利用校正值A进行校正。强度数据获取部11相当于本发明的强度数据获取单元，强度数据累积部12相当于本发明的强度数据累积单元。另外，事件检测部13相当于本发明的事件检测单元，校正值获取部14相当于本发明的校正值获取单
J Li o设定值存储部35对与放射线检测器I的控制有关的阈值、表、图等全部进行存储。放射线检测器I具备统一控制各部的主控制部21。该主控制部21由CPU构成，通过执行各种程序来实现各部11、12、13、14、15、16。此外，上述各部也可以分割为负责它们的控制装置来实现。<利用放射线检测器检测Y射线的方法>接着，对利用放射线检测器I检测Y射线的检测方法进行说明(参照图3)。为了利用放射线检测器I检测Y射线，首先，测量基线(基线测量步骤SI)，开始Y射线的检测(检测开始步骤S2)。然后，开始利用强度数据获取部11获取强度数据S (强度数据获取开始步骤S3)，检测Y射线入射到闪烁体2这个事件(event)(事件检测步骤S4)。接着，获取校正值A (校正值获取步骤S5)，基于该校正值A进行强度数据S的校正，并且以时间对强度数据S进行积分(校正和累计步骤S6)。对各步骤依次进行说明。<基线测量步骤SI〉在进行Y射线的检测之前，在切断从分压单元6向光检测器3的电力供给的状态下获取检测数据D。检测数据D被发送到强度数据获取部11，来获取检测数据D所包含的强度数据S。光检测器3例如每隔IOns输出检测数据Da，因此每隔IOns从A/D转换部10向强度数据获取部11输出将其进行数字化而得到的检测数据D。强度数据获取部11并非对所有检测数据D都获取强度数据S，而是每隔采样间隔Sa(100ms或者IOOms以上长度的间隔)获取强度数据S。从来自光检测器3的输出理论上为0来看，在分压单元6不供给电力的这种状态下获取的强度数据S的变动是由实现A/D转换部10的电路所发出的噪声成分引起的。强度数据获取部11例如反复获取40次强度数据S，将这些强度数据进行平均来获取基准水平B。基准水平B被存储到设定值存储部35。在本步骤中，强度数据获取部11的采样间隔Sa比光检测器3检测荧光时的时间间隔即IOns长。另外，强度数据获取部11构成为通过从设定值存储部35读出采样间隔Sa的设定值来获取采样间隔Sa的设定值。设定值存储部35相当于实施例的结构的存储单元。〈检测开始步骤S2>接着，在从分压单元6向光检测器3供给电力的状态下被投放了放射性药剂的被检体置于放射线检测器I的前面，开始Y射线的检测。从开始Y射线的检测的时间点起由光检测器3向A/D转换部10发送模拟数据的检测数据Da。A/D转换部10将检测数据Da数字化并发送到强度数据获取部11。光检测器3所输出的四个检测数据Da还被输出到事件检测部13。事件检测部13读出存储在设定值存储部35中的强度数据比较用的阈值pl，将四个检测数据Da之和所表示的荧光强度的值与该阈值Pl进行比较。每当光检测器3输出检测数据Da时进行该比较。因而，如果设为每隔IOns向事件检测部13发送检测数据Da，则每隔IOns进行事件检测部13的比较动作。此外，将阈值pl设定为比不对闪烁体2入射Y射线而闪烁体2不射出荧光的状态时从光检测器3输出的检测数据Da的强度数据S所表示的强度高。因而，在没有产生荧光的状态下，阈值Pl比强度数据S大。
<强度数据获取开始步骤S3〉在开始Y射线的检测的同时，开始利用强度数据获取部11收集强度数据S。BP,强度数据获取部11获取数字化后得到的检测数据D所含有的强度数据S。例如每隔IOns从光检测器3向强度数据获取部11输出检测数据D。如在基线测量步骤SI中说明的那样，A/D转换部10每隔IOns将检测数据D输出到强度数据获取部11，强度数据获取部11每隔采样间隔Sa(在本步骤中为IOns)获取强度数据S。所获取到的强度数据S与表示光检测器3何时获取到成为强度数据S的基础的检测数据D的时刻数据相关联地被发送到强度数据累积部12。<事件检测步骤S4>设为利用继续将强度数据S与阈值pl进行比较的事件检测部13来观察强度数据S是否超过阈值pl。此时，如图4的(a)所示，由于产生荧光使成为基准水平B的强度数据S增加。也就是说，强度数据S超过阈值pl的时间点T表示Y射线入射到闪烁体2的时间点。将Y射线入射到闪烁体2称为事件(event)，将发生事件的时间点T称为事件发生时刻。通过求出伴随该Y射线的入射而发出的荧光的强度，能够判断入射到闪烁体2的Y射线具有何种程度的能量。具体地说，如果设为以时间对从图4的(a)的事件发生时刻T以前的时刻TO起到经过规定的事件累计时间Tn之后的时间点U为止的期间的强度数据S进行积分，则其积分值表示荧光的强度(即，荧光的累计值m)。说明时刻T0。时刻TO是处于基准水平B的强度数据S开始大于基准水平B的时间点的时刻。这样，事件检测部13基于事件发生时刻T来识别事件的发生，但以从事件发生时刻T起向前追溯的时刻TO为起点来决定荧光的累计值m。该积分值是在图4的(a)中针对用符号Ml表示的斜线部进行强度数据S的积分时的值。为了准确地计算荧光的累计值m，优选针对尽可能长的时间进行强度数据S的积分。如图4的(a)所示，这是由于一旦发出荧光，则荧光完全湮灭要花费时间。但是，实际上Y射线相继入射到闪烁体2，因此实际上成为不等荧光完全湮灭就进行强度数据S的积分的结构。考虑对闪烁体2入射两次Y射线的情况。在初次入射Y射线以前，强度数据S表示基准水平B的强度。如果在该状态下入射Y射线，则从闪烁体2发出荧光，因此强度数据S所表示的强度急剧上升，不久逐渐减少。即使来自闪烁体2的大部分荧光湮灭，极少量的荧光也在整个大约Is左右长的期间内作为残光而继续残留在闪烁体2中。强度数据S由于该残光成分(参照图4中的符号ag)的影响而完全降低至基准水平B也需要大量时间。设为在闪烁体2中残留有残光的状态下对闪烁体2入射Y射线。闪烁体2在残光没有消耗殆尽期间伴随Y射线的入射而发出荧光。将表示第二次入射Y射线的入射时刻的事件发生时刻设为V(参照图4)。由事件检测部13获取事件发生时刻V。想要求出来源于该第二次入射的Y射线的荧光的累计值m，以时间对从图4的(a)的事件发生时刻V以前的时刻VO起直到经过规定的事件累计时间Tn后的时间点X为止的期间的强度数据S进行积分。该事件累计时间Tn是在计算累计值m时使用的固定的值。
说明时刻V0。时刻VO是比有减少趋势的强度数据S开始增加的时间点更靠前的时刻。这样，事件检测部13基于事件发生时刻V来识别事件的发生，但以从事件发生时刻V起向前追溯的时刻VO为起点来决定荧光的累计值m。此时的积分值是在图4的(a)中针对用符号M2表示的斜线部进行强度数据S的积分时的值。图4的(a)中的两个Y射线中的荧光的累计值m相同，因此符号Ml的斜线部的积分值理应与符号M2的斜线部的积分值相同。但实际并不是这样的。图4的(b)是抽出图4的(a)中的两个斜线部M1、M2而得到的图。通过比较两个斜线部M1、M2可知，与斜线部Ml相比，斜线部M2的面积扩大了残光成分ag[参照图4的(a)]的量。该残光成分ag来源于要获取荧光的累计值m的第二次Y射线之前发出的第一次Y射线，原本与第二次Y射线无关。这样，由于残光成分ag的影响，无法准确地测量第二次Y射线中的荧光的累计值m。因此，在实施例1的结构中通过获取用于校正由残光成分ag引起的强度数据S的变动的校正值A来更为准确地获取荧光的累计值m。<校正值获取步骤S5>由事件检测部13检测到的事件发生时刻T被发送到校正值获取部14。校正值获取部14从强度数据累积部12读出在事件发生时刻T之前检测到的连续的16个强度数据SI S16。然后，对强度数据SI S16进行平均来求出平均值Sv。强度数据SI S16包含A/D转换部10的电路噪声，因此包含与残光成分ag的衰减无关的噪声成分。通过对强度数据SI S16进行平均来消除该噪声成分。此外，在强度数据SI S16之间残光成分ag理应逐渐衰减。但是，由于该衰减是缓慢的，因此在测量强度数据SI S16期间残光成分ag大致固定。此外，强度数据获取部11使检测数据D随时间的经过隔着固定的采样间隔Sa(IOns) 16次从A/D转换部10发送，由此获取强度数据SI S16。强度数据S16以强度数据SI S16中的在随时间的经过最接近事件发生时刻T的时间点获取到的检测数据Da为基础。能够自由地设定强度数据S16与事件发生时刻T之间的时间间隔。优选的是使事件发生时刻T与强度数据S16所涉及的检测数据Da的测量时间点之间的时间为采样间隔Sa以下。校正值获取部14从设定值存储部35读出基准水平B，从平均值Sv减去该基准水平B。通过这样求出的值是校正值A (参照图4的(C))。因而，校正值A表示第二次入射Y射线以前的残光成分ag的强度。<校正和累计步骤S6>校正值A被发送到累计部15。除了对累计部15发送校正值A以外，还对累计部15发送由A/D转换部10进行数字化而得到的检测数据D和由事件检测部13获取到的事件发生时刻。累计部15通过以时间对从事件发生时刻T以前的TO或者V以前的VO起直到经过规定的事件累计时间Tn之后的时间点U或者X为止的期间的强度数据S (准确地说是从强度数据S减去基准水平B而得到的值)进行积分来进行累计，计算出荧光的累计值m。如利用图4的(b)中的符号M2进行说明那样，该累计值m为附加有多余的残光成分ag的值。因此，累计部15将校正值A乘以时间点T以前的TO与时间点U(或时间点V与时间点X)之间的事件累计时间Tn，从累计值m减去所得到的乘法运算值。于是，对累计值m进行针对残光成分的校正。
校正后的累计值m用于确定在闪烁体2的哪个部分产生了荧光。此时，利用了消除掉残光成分的影响的累计值m，因此累计值m更为准确地表示荧光的强度。因而，能够更为准确地求出突光的产生位置。如上所述，根据实施例的结构，具备累计部15，该累计部15随时间的经过每隔固定的采样间隔Sa对由光检测器3输出的表示荧光的强度的强度数据S进行累计，计算出表示由于Y射线入射到闪烁体2而产生的荧光的强度的累计值m。累计部15的输出用于确定闪烁体2中的荧光的产生位置。闪烁体2所产生的荧光完全湮灭要花费时间，因此由光检测器3输出的强度数据S包含荧光的残光成分。因而，累计部15对累计值m多余地估算了残光成分，对确定荧光的位置造成障碍。因此，在实施例的结构中，具备强度数据获取部11，其随时间的经过每隔固定的采样间隔Sa获取由光检测器3输出的表示荧光的强度的强度数据S ；以及校正值获取部14，其获取用于校正由荧光的残光引起的强度数据S的变动的校正值A，累计部15利用校正值A进行强度数据S的校正。通过设为这样的结构，能够不受荧光的残光成分影响而准确地求出累计值m。因而，根据实施例的结构，能够提供一种可准确地确定荧光的位置的放射线检测器I。另外，作为校正值A的基础的强度数据S除了附加有与荧光有关的成分以外，还被用于实现实施例的结构的进行信息处理的各单元附加了各种成分。能够提供如下一种放射线检测器1:如果通过从强度数据S减去在不对光检测器3供给电力的状态下获取到的强度数据S即基准水平的值来计算出校正值A，则能够更为准确地求出累计值m。如实施例1那样，能够提供如下一种放射线检测器1:如果对多个强度数据S进行平均来获取校正值A，则不受强度数据S所包含的噪声成分影响而更为准确地校正累计值m0实施例2接着，对实施例2所涉及的放射线检测器进行说明。实施例2所涉及的放射线检测器的结构与图1所说明的实施例1的结构相同。实施例2所涉及的放射线检测器I具备强度数据获取部11，其每隔采样间隔Sa获取从光检测器3输出的检测数据(准确地说是将其数字化而得到的检测数据D)所包含的强度数据S ;强度数据累积部12，其累积由强度数据获取部11获取到的强度数据S ;事件检测部13，其将相继获取到的强度数据S与强度数据比较用的事件阈值pl进行比较，当强度数据S超过该阈值时识别出发生了 Y射线入射到闪烁体2的事件，并获取发生该事件的时刻即事件发生时刻T ;校正值获取部14，其将由强度数据获取部11获取到的强度数据S与判定用的荧光阈值P2进行比较，将阈值p2以上的强度数据S识别为事件发生过程中获取到的强度数据，并且将小于荧光阈值P2的强度数据S识别为在没有发生事件的状态下获取到的强度数据，基于在没有发生事件的状态下获取到的强度数据S来获取用于校正由荧光的残光引起的强度数据S的变动的校正值A ;以及累计部15，其对在事件发生时刻T以前和事件发生时刻T以后检测到的强度数据S进行累计，并且利用校正值A进行校正。在实施例2的结构中，强度数据获取部11和校正值获取部14的结构与实施例1不同。因此，对各部的结构进行说明。首先，对实施例2中的强度数据获取部11的动作进行说明。强度数据获取部11并非针对全部检测数据D获取强度数据S，而是每隔采样间隔Sa获取强度数据S。实施例2中的采样间隔Sa比实施例1时的IOns长，为IOOms左右(参照图5)。该采样间隔Sa比利用累计部15以时间对一个Y射线的强度数据S进行积分时的时间间隔长。因而，强度数据获取部11的采样间隔Sa比光检测器3检测荧光时的时间间隔即IOns长。另外，强度数据获取部11为通过从设定值存储部35读出采样间隔Sa的设定值来获取采样间隔Sa的设定值的结构。强度数据获取部11将获取到的强度数据S发送到强度数据累积部12。对实施例2中的校正值获取部14的动作进行说明。校正值获取部14待机，直到在强度数据累积部12中累积了 40个强度数据S为止，在累积完成的时间点求出40个强度数据S并计算出平均值Sv。校正值获取部14从设定值存储部35读出基准水平B，并从平均值Sv减去该基准水平B。通过这样求出的值是校正值A。在实施例1中，基于在150ns期间内获取到的16个强度数据S来求出平均值Sv。与该情况相比，在实施例2中，基于在3.9秒期间内获取到的40个强度数据S来求出平均值Sv，因此实施例2的平均值Sv具有与实施例1的平均值Sv不同的特性。这样，在实施例2中，不一定设为从事件检测部13向校正值获取部14发送事件发生时刻T的结构。获取实际的平均值Sv花费比3.9秒更多的时间。接着，对该点进行说明。图5是说明实施例2所涉及的强度数据获取部的动作的图。如图5所示，强度数据获取部11每隔采样间隔Sa获取强度数据S。按时间顺序将获取到强度数据S的时间点设为rl……r7。强度数据获取部11以固定的时间间隔获取强度数据S，与此相对地，Y射线入射到闪烁体2的时刻是随机的。因而，在由强度数据获取部11获取到的强度数据S中包含在闪烁体2中表现强荧光的状态时的强度数据S。在这种状态下获取到的强度数据S成为校正值获取部14获取校正值A时的障碍。校正值A是表示由于不易衰减的残光成分ag而强度数据所示的强度上升到何种程度的值。因而，如果导致连表示不能说成残光成分的荧光的强度数据S都用于 平均值Sv的计算，则不能准确地求出叠加到强度数据S的残光成分ag。因此，校正值获取部14读出存储在设定值存储部35中的判定用的荧光阈值p2，每当发送强度数据S时将强度数据S与该荧光阈值p2进行比较，仅小于荧光阈值p2的强度数据S用于平均值Sv的计算。S卩，如图5所示，时间点rl、r2、r3、r7时的强度数据S是在没有发生上述事件的状态下获取到的，因此用于平均值Sv的计算，其它时间点r4、r5、r6时的强度数据S是在正发生上述事件的状态下获取到的，因此不用于平均值Sv的计算。这样，校正值获取部14不使用所有发送来的强度数据S。而且，校正值获取部14继续将强度数据S与判定用的荧光阈值p2进行比较，直到强度数据S的个数为规定个数40个为止，因此校正值获取部14在获取校正值A上，需要从开始获取强度数据S时起3.9秒以上的时间。校正值获取部14将获取到的校正值A发送到累计部15，累计部15基于该校正值A来消除检测数据D所包含的残光成分ag的影响。对获取到校正值A之后的校正值获取部14的动作进行说明。校正值获取部14在计算出校正值A之后不久再次待机，直到累积了 40个强度数据S为止，重新计算校正值A。这样，校正值获取部14通过在获取校正值A之后仍继续将强度数据S与判定用的阈值p2进行比较来相继获取校正值A，每当获取到校正值时进行校正值A的更新。每当更新校正值A时累计部15利用新的校正值A。因而，假设校正值获取部14不进行与荧光阈值p2有关的比较动作，则每隔3.9秒更新校正值A。<放射线检测器的动作>接着，对实施例2所涉及的放射线检测器I的动作进行说明(参照图6)。为了利用放射线检测器I检测Y射线，首先，测量基线(基线测量步骤Tl)，开始Y射线的检测(检测开始步骤T2)。然后，开始利用强度数据获取部11获取强度数据S (强度数据获取开始步骤T3)，获取校正值A (校正值获取步骤T4)。接着，检测Y射线入射到闪烁体2这个事件(event)(事件检测步骤T5)，基于该校正值A进行强度数据S的校正，并且以时间对强度数据S进行积分(校正和累计步骤T6)。这样，实施例2的放射线检测器的动作与实施例I的动作大致相同，在与事件的检测相独立地获取校正值A之处存在差异。校正值获取步骤T4中的放射线检测器的动作相当于上述校正值获取部14的动作，各步骤Tl T3、T6分别相当于实施例1中的各步骤SI S3、S6，事件检测步骤T5相当于实施例1中的事件检测步骤S4。如上所述，在实施例2的结构中，如果校正值获取部14继续将强度数据S与判定用的荧光阈值P2进行比较，直到强度数据S的个数为规定个数为止，则能够获取可靠性更高的强度数据S的平均值。在无法将强度数据S全部使用于平均值的计算的情况下，这种结构是有利的。因而，根据这种实施例2的结构，也能够与实施例1同样地获得能够确定Y射线的准确入射位置的放射线检测器I。另外，上述结构更为具体地示出实施例的结构的第二结构。能够提供如下一种Y射线放射线检测器1:校正值获取部14如果通过在获取校正值A之后仍继续将强度数据S与判定用的荧光阈值P2进行比较来相继获得校正值A，并更新校正值A，则即使Y射线放射线检测器I的Y射线检测的特性随时间发生变化，也能够随着该变化准确地校正累计值m0本发明并不限于上述结构，还能够如下述那样变形实施。(I)在实施例1的结构中，校正值获取部14从平均值Sv减去基准水平B来求出校正值A，但本发明并不限于这种结构。即，也可以根据校正值A的值，不直接使用校正值A来进行强度数据S的校正。S卩，也可以是在从平均值Sv减去基准水平B而求出的校正值A为存储在设定值存储部35中的双重事件阈值ql以上的情况下，校正值获取部14基于存储在设定值存储部35中的将校正值A与对应值R相关联的表来获取与校正值A对应的对应值R，累计部15基于对应值R来进行强度数据S的校正。对该变形例进行具体说明。图7示出两个Y射线入射到闪烁体2时的强度数据S与时间的关系。在图7中，在闪烁体2中残留有强的残光的状态下下一个Y射线入射到闪烁体2。此时的平均值Sv以残光强的状态下的强度数据S为基�。虼诵Ｕ礎也与之相应地取高值。校正值获取部14在获取到校正值A时，将校正值A与双重事件阈值ql进行比较。在校正值A小于双重事件阈值ql的情况下，校正值获取部14将该校正值A发送到累计部15。此时的累计部15的动作与实施例1的说明相同。在校正值A为双重事件阈值ql以上的情况下(参照图7)，校正值获取部14不将校正值A发送到累计部15。取而代之地，校正值获取部14从设定值存储部35读出校正值A与对应值R相关联而得到的关联表，来获取与该校正值A对应的对应值R。然后，校正值获取部14将该对应值R发送到累计部15，累计部15使用该对应值R代替校正值来进行动作。在两个Y射线入射到闪烁体2的时刻接近的情况下，对残光不断减少的闪烁体2入射Y射线，不能将根据事件发生时刻T以前的强度数据S计算出的校正值A作为事件发生时刻T之后的残光成分ag来进行强度数据S的校正。这是由于在事件发生时刻T的前后，残光成分ag的强度存在过大的差异。因此，在校正值A为双重事件阈值ql以上的情况下，残留过多的残光成分ag，校正值获取部14认定为不能将计算出的校正值A用于事件发生时刻T之后的强度数据S的校正。然后，将对应值R代替校正值A用于累计部15的校正。与校正值A对应的对应值R是表示在通过累计部15的积分运算计算出的累计值m中含有何种程度的残光成分ag的值，通过对从Y射线入射到闪烁体2起的残光成分ag的衰减进行实际测量来获得该对应值R。然后，基于该实际测量数据，通过仿真来求出紧接着入射Y射线之后Y射线入射到闪烁体2的情况下，从事件发生时刻T起到时间点U为止叠加了何种程度的残光成分ag，将求出的值除以从事件发生时刻T以前的TO到时间点U为止的事件累计时间Tn来作为对应值R。通过仿真求出的对应值R也根据两个Y射线入射的时刻之间的间隔而变化，因此能够求出多个对应值R。另外，入射第二个Y射线之前的强度数据S (或者基于该强度数据S计算出的校正值A)也根据两个Y射线入射的时刻之间的间隔而变化。因而，能够将校正值A用作表示两个Y射线入射的时刻之间的间隔的指标。即，能够根据放射线检测器I进行检查动作时获取到的校正值A的值，利用关联表预先决定使用哪个对应值R。这样，根据本变形例，在校正值A为双重事件阈值ql以上的情况下，累计部15基于与校正值A不同的对应值R进行强度数据S的校正。在获取到的校正值A取高值的情况下，在前一次的Y射线入射到闪烁体2后不久本次的Y射线入射到闪烁体2。当求取本次的Y射线所涉及的累计值m时，在包含前一次的Y射线所涉及的残光成分的状态下计算累计值m。仅根据事件发生时刻T之前的强度数据S难以获取该校正值A，该事件发生时刻T是开始发出本次的Y射线所涉及的荧光的时间点。即，如图12所示，两个荧光的波峰相重叠，在测量本次的荧光的波峰的过程中前一次的荧光的波峰发生衰减，因此在测量本次的荧光的波峰的过程中残光成分ag不固定。因而，根据上述结构，在累计值m的校正中使用与校正值A对应的对应值R。能够根据校正值A的值自如地变更该对应值R，使得能够进行恰当的校正。因而，根据上述结构更能够提供一种不受荧光的残光成分影响而准确地求出累计值m的放射线检测器I。(2)在实施例1的结构中，校正值获取部14从平均值Sv减去基准水平B来求出校正值A，但本发明并不限于这种结构。即，也可以不根据校正值A的值进行强度数据S的校正。也就是说，根据本变形例，校正值获取部14在所获取到的校正值A为多重事件阈值q2以上的情况下不进行动作，累计部15不进行校正就计算出累计值m，其中，多重事件阈值q2表示比第一阈值ql高的强度。校正值获取部14使用存储在设定值存储部35中的多重事件阈值q2。对该变形例进行具体地说明。图8示出Y射线入射到闪烁体2时的强度数据S与时间的关系。在图8中，从Y射线入射之前起，强度数据S所示的强度为高强度状态。当对闪烁体2入射好几次Y射线时，每次都产生残光成分ag。于是,残光成分ag相继发生叠力口，即使不对闪烁体2入射Y射线，强度数据S也取高值。将这种现象称为堆叠(pileup)。在发生了堆叠的状态下难以预测事件发生时刻T之后的残光成分ag。原因是由于堆叠导致衰减程度不同的残光成分ag发生多重堆叠。校正值获取部14在获取到校正值A时将校正值A与多重事件阈值q2进行比较。在校正值A小于多重事件阈值q2的情况下，校正值获取部14将校正值A作为没有发生堆叠的值发送到累计部15。此时的累计部15的动作与实施例1所说明的动作相同。在校正值A为多重事件阈值q2以上的情况下(参照图8)，使得校正值获取部14无法计算出累计部15所使用的校正值，从而无法向累计部15发送计算出的校正值A。累计部15不进行校正就获取累计值m。这样，根据本变形例，在所获取到的校正值A为多重事件阈值q2以上的情况下，校正值获取部14不进行动作，其中，该多重事件阈值q2表示比双重事件阈值ql高的强度。在事件发生时刻T之前强度数据S高到多重事件阈值q2以上的情况下，在强度数据S中也叠加了好几重残光成分，此时难以计算出校正值A。根据上述结构，在事件发生时刻T之前强度数据S表示高值、无法获取可靠性高的校正值A的情况下，累计部15不进行校正就计算出累计值m。如果设为这种结构则不进行无用的校正，作为结果，能够提供一种不受荧光的残光成分影响而更为准确地求出累计值m的放射线检测器I。(3)本发明也可以同时进行上述两个变形例。即，能够设为以下结构当校正值A小于双重事件阈值ql时，校正值获取部14将该校正值A发送到累计部15，当校正值A为双重事件阈值ql以上且小于多重事件阈值q2时，校正值获取部14将对应值R发送到累计部15，当校正值A为多重事件阈值q2以上时，校正值获取部14不对累计部15发送任何值。(4)本发明也可以根据事件的发生率即计数率来自动切换进行上述两个实施例。即，在易于发生双重或者多重事件的计数率高的情况下进行实施例1的动作，在计数率低的情况下进行实施例2的动作。无论哪个实施例都需要尽量在发生事件以前获取大量校正值，以确保校正值A的精度。在实施例1的结构中，有可能对即将发生事件前且作为对象的事件以前的残光成分进行检测。另外，由于数据处理变得复杂，因此强度数据的获取次数受到限制，校正值A的统计精度下降。另一方面，在实施例2中，强度数据的获取次数是任意的，因此校正值A的统计精度提高。然而，有可能与实际的残光特性之间产生时滞。因此，监视计数率，在易于发生双重或者多重事件的计数率高的情况下进行实施例1的动作，在计数率低的情况下进行实施例2的动作，由此能够发挥各自的长处。(5)各实施例中的各设定值是例示的。因而，各设定值能够自由地变更。(6)上述各实施例所说的闪烁体晶体由LYSO构成，而在本发明中，也可以取代LYSO而利用LGS0(Lu2(1_x)G2XSi05)、GSO(Gd2SiO5)等其它材料来构成闪烁体晶体。根据本变形例，能够提供一种放射线检测器的制造方法，该制造方法能够提供一种更为廉价的放射线检测器。(7)在上述各实施例中，光检测器由光电倍增管构成，但本发明并不限于此。也可以使用光电二极管、雪崩光电二极管或者硅光电倍增管等半导体检测器等来代替光电倍增管。产业上的可利用件
如上所述，本发明应用于医用的放射线检测器。附图标记说明m :累计值；ql :双重阈值；q2 :多重阈值；A :校正值；R :对应值；S :强度数据；Sa 采样间隔；T、V :事件发生时刻；Tn :事件累计时间；2 :闪烁体；3 :光检测器；5 :分压单元；11:强度数据获取部(强度数据获取单元)；12:强度数据累积部(强度数据累积单元)；13:事件检测部(事件检测单元)；14:校正值获取部(校正值获取单元)；15:累计部(累计单元)；16 :荧光产生位置确定部(荧光产生位置确定单元)；35 :设定值存储部(存储单元)。
权利要求
1.一种放射线检测器，其特征在于，具备: (A)闪烁体，其由将放射线转换为荧光的闪烁体晶体排列而成； (B)光检测器，其检测荧光； (C)强度数据获取单元，其随时间的经过每隔固定的采样间隔获取由上述光检测器输出的表示荧光的强度的强度数据； (D)强度数据累积单元，其累积由上述强度数据获取单元获取到的强度数据； (E)存储单元，其存储多个阈值； (F)事件检测单元，其将相继获取的强度数据与强度数据比较用的事件阈值进行比较，当强度数据超过事件阈值时识别出发生了放射线入射到上述闪烁体的事件，并获取发生该事件的时刻即事件发生时刻； (GD校正值获取单元，其从上述强度数据累积单元读出在上述事件发生时刻之前检测到的强度数据，基于读出的强度数据、双重事件阈值以及多重事件阈值获取校正值，该校正值用于校正由荧光的残光引起的强度数据的变动；以及 (H)累计单元，其对在上述事件发生时刻以前和上述事件发生时刻以后检测到的强度数据进行累计，并且利用校正值进行校正来计算出累计值。
2.根据权利要求1所述的放射线检测器，其特征在于， 在所获取到的校正值为上述双重事件阈值以上的情况下，上述校正值获取单元基于存储在上述存储单元中的将校正值与对应值相关联而得到的表来获取与校正值对应的对应值， 上述累计单元基于上述对应值来进行强度数据的校正。
3.根据权利要求2所述的放射线检测器，其特征在于， 在所获取到的校正值为表示比上述双重事件阈值高的强度的多重事件阈值以上的情况下，上述校正值获取单元不进行动作，累计单元不进行校正就计算出累计值。
4.一种放射线检测器，其特征在于，具备: (A)闪烁体，其由将放射线转换为荧光的闪烁体晶体排列而成； (B)光检测器，其检测荧光； (C)强度数据获取单元，其随时间的经过每隔固定的采样间隔获取由上述光检测器输出的表示荧光的强度的强度数据； (E)存储单元，其存储多个阈值； (F)事件检测单元，其将相继获取的强度数据与强度数据比较用的事件阈值进行比较，当强度数据超过事件阈值时识别出发生了放射线入射到上述闪烁体的事件，并获取发生该事件的时刻即事件发生时刻； (G2)校正值获取单元，其将由上述强度数据获取单元获取到的强度数据与荧光判定用的荧光阈值进行比较，小于荧光阈值的强度数据被判定为在没有发生上述事件的状态下获取到的强度数据，基于在该状态下获取到的强度数据来获取校正值，该校正值用于校正由荧光的残光引起的强度数据的变动；以及 (H)累计单元，其对在上述事件发生时刻以前和上述事件发生时刻以后检测到的强度数据进行累计，并且利用校正值进行校正来计算出累计值。
5.根据权利要求4所述的放射线检测器，其特征在于，上述光检测器每隔某一时间间隔检测荧光， 上述强度数据获取单元的上述采样间隔比上述光检测器检测荧光时的时间间隔长。
6.根据权利要求4或5所述的放射线检测器，其特征在于， 上述强度数据获取单元获取强度数据时的采样间隔为IOu s以上。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的放射线检测器，其特征在于， 还具备对上述光检测器供给电力的分压单元， 通过从强度数据减去基准水平的值来计算出由上述校正值获取单元获取的校正值，该基准水平是在不对上述光检测器供给电力的状态下获取到的强度数据。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的放射线检测器，其特征在于， (I)上述校正值获取单元对多个强度数据进行平均来获取校正值。
9.根据权利要求4所述的放射线检测器，其特征在于， (I)上述校正值获取单元对多个强度数据进行平均来获取校正值， (J)上述校正值获取单元继续将强度数据与判定用的阈值进行比较，直到强度数据的个数为规定个数为止。
10.根据权利要求9所述的放射线检测器，其特征在于， (K)上述校正值获取单元通过在获取到校正值之后仍继续将强度数据与判定用的阈值进行比较来相继获取校正值，每当获取到校正值时都进行校正值的更新。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的放射线检测器，其特征在于， 还具备荧光产生位置确定单元，该荧光产生位置确定单元利用由上述累计单元生成的累计值来确定闪烁体中的荧光的产生位置。
全文摘要
提供一种能够进行校正以不受荧光的残光影响而准确地确定γ射线的入射位置的放射线检测器。根据本发明，具备强度数据获取部(11)，其随时间的经过每隔固定的采样间隔Sa获取由光检测器(3)输出的表示荧光的强度的强度数据(S)；以及校正值获取部(14)，其获取用于校正由荧光的残光引起的强度数据(S)的变动的校正值(A)，累计部(15)利用校正值(A)进行强度数据(S)的校正。通过设为这种结构，能够不受荧光的残光成分的影响而准确地确定荧光的位置。
文档编号G01T1/20GK103080774SQ20118004297
公开日2013年5月1日 申请日期2011年4月22日 优先权日2010年9月6日
发明者大井淳一, 佐藤允信, 古田雅史 申请人:株式会社岛津制作所
专业数控铣床产品供应商
20年生产经验，实力工厂，精工品质，质量有保障
