高温下测量物质磁化率的装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种高温下测量物质磁化率的装置，将样品管悬挂在筒形硅碳管加热体形成的炉体内腔中，在筒形硅碳管加热体外围包裹着保温层，使炉体内腔中形成均匀温度�。匚乱怯肴鹊缗夹藕帕樱鹊缗嫉奈露炔馐远税沧坝诳拷饭艿穆迥谇磺蛑校匚乱堑目刂颇？橹苯涌刂仆残喂杼脊芗尤忍宓募尤裙β剩饭芪沼裰欺巅觯饭苄跤诘缱犹炱降南路剑懦》⑸魍ü记看盘逶谘饭芩η虿懦√荻然群闱颍棺叭胙饭苤械谋徊馐匝耆τ诖懦》⑸餍纬傻拇懦√荻然群闱蛑�。本实用新型可测量出物质在不同高温下的磁化率数据，其最高温度可达到1400℃，还能测量物质磁化率随温度的变化，可控性强，容易操作。
【专利说明】高温下测量物质磁化率的装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种物质电磁学参数测量装置，特别是涉及一种测量物质磁化率的装置。用于材料的磁性能检测【技术领域】。
【背景技术】
[0002]随着超导强磁场的便捷容易实现，材料电磁过程受到越来越多的关注，而材料电磁过程的决定主要因素是其体系磁自由能的变化，其中物质的磁化率是其中关键数据，所以关于磁化率的检测和分析也越来越受到高度的重视。本专利针对磁场高温下相变过程，提供了一种高温下测试物质磁化率的方法。传统的Gouy法仅能测量物质在常温下的磁化率，以及震动样品磁强计的测量温度也仅能达到1000K，不能满足高温下材料磁化率测量的需要。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种高温下测量物质磁化率的装置，通过准确称量出在不同温度处物质在恒定磁场梯度积区域与无磁场时的质量，最终得到该物质的质量磁化率，可以测量出物质在最高温度可达到1400°C下的磁化率数据，满足材料在高温磁化率检测服务要求。
[0004]为达到上述发明创造目的，本实用新型的技术发明构思如下:
[0005]在整个装置外部施加一个纵向磁�。乙蟾么懦∧芄恢圃煲桓鑫群愕那曳较蛭毕蛳碌拇懦√荻然颍刮镏试诟么懦∠履芄皇艿揭桓鑫榷ㄏ蛳碌牧Φ淖饔�。由Gouy法测量物质磁化率的原理可知，质量为m的物体在磁场中的受力为:
【权利要求】
1.一种高温下测量物质磁化率的装置，由带有挂钩的电子天平(I)、天平支架(11)、样品管(4)、磁场发生器(10)和磁化率分析系统(12)构成，所述天平支架(11)支撑所述电子天平(1)，所述样品管(4)为能装载被测试样的有底容器，所述样品管(4)悬挂在所述电子天平(I)的挂钩上，将所述样品管(4)设置于所述磁场发生器(10)形成的磁场环境中，所述电子天平(I)的称量数据信号输出端与所述磁化率分析系统(12)的输入端连接，通过所述磁化率分析系统(12)输出被测试样的磁化率信息，其特征在于:将所述样品管(4)悬挂在由竖直设置的筒形硅碳管加热体(3)形成的炉体内腔中，在所述筒形硅碳管加热体(3)外围包裹着保温层(2)，使炉体内腔中形成均匀温度场，在所述筒形硅碳管加热体(3)外部设有控温仪(8)，所述控温仪(8)的信号输入端与B型热电偶(5)的信号输出端连接，所述B型热电偶(5)的温度测试端安装于靠近所述样品管(4)的炉体内腔区域中，所述控温仪(8)的控制�？橹苯涌刂扑鐾残喂杼脊芗尤忍�(3)的加热功率，所述样品管(4)为刚玉制坩埚，所述样品管(4)通过耐高温线(6)悬吊于所述电子天平(I)的下方，所述磁场发生器(10)通过超导强磁体在所述样品管(4)所处区域产生磁场梯度积稳恒区域(9)，使装入所述样品管(4)中的被测试样完全处于所述磁场发生器(10)形成的磁场梯度积稳恒区域(9)中。
2.根据权利要求1所述高温下测量物质磁化率的装置，其特征在于:在所述样品管(4)的底部再通过另一根耐高温线(6 )悬挂吊坠(7 )，所述吊坠(7 )远离所述磁场发生器(10 )形成的磁场环境，并位于所述筒形硅碳管加热体(3)的外部下方。
3.根据权利要求2所述高温下测量物质磁化率的装置，其特征在于:所述吊坠(7)为圆锥形。
4.根据权利要求1?3中任意一项所述高温下测量物质磁化率的装置，其特征在于:所述控温仪(8)集成整流�？椋迪侄匝饭�(4)所处位置的温度自由控制，使所述磁化率分析系统(12)输出样品管(4)在不同温度处的被测试样磁化率数据。
5.根据权利要求1?3中任意一项所述高温下测量物质磁化率的装置，其特征在于:所述磁场发生器(10)产生的磁场梯度积稳恒区域(9)沿着所述样品管(4)竖直位移方向的长度，为所述样品管(4)待测试样长度的1.5?3倍。
【文档编号】G01R33/16GK203705629SQ201420001535
【公开日】2014年7月9日 申请日期:2014年1月2日 优先权日:2014年1月2日
【发明者】任维丽, 刘洪玉, 周艳, 胡治宁, 钟云波, 董立城, 任忠鸣 申请人:上海大学
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