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专利名称：一种压力传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型属于压力传感器制造技术领域，尤其涉及一种压力传感器芯体。
背景技术：
传感器制作现有技术是利用集成电路工艺，在N型硅片上扩散进P型杂质，在两者接触面上形成PN结，再以一系列工序，做成惠斯顿电桥，用以感受压力。再通过焊锡，将内外引线焊接，再用螺纹加胶接方式进行各部件的装配。用此工艺制作的传感器，由于是PN结隔离，随着温度升高，漏电流增大，以至性能严重恶化，其极限温度是125°C。再是引线焊接，通用焊锡温度168°C，高温焊锡说是30(T40(TC，实际到250°C就熔化了，另外，就是装配问题，利用胶接和螺纹方式，在高温和强烈振动的环境中，胶粘剂就会炭化，螺纹就会松动，从而引起传感器失效。

实用新型内容本实用新型的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种压力传感器，该传感器通过结构优化，使其能够在强烈振动及复杂冲击波冲击后，结构完整，保持正常工作能力，无异常现象。本实用新型的目的是通过以下技术方案来解决的:这种压力传感器，包括金属套管以及套在金属套管内的芯体，所述芯体与金属套管的连接部分设有螺纹，芯体与金属套管通过螺纹加激光焊接的方式连接在一起。上述芯体包括圆柱状的壳体，在所述壳体的上端设置有水平凹槽，所述水平凹槽内焊接有SOI芯片。上述壳体内设置有引线电极，所述SOI芯片的压焊点电极通过金丝与壳体的引线电极连接。上述壳体的下部设置有环形凹槽。上述金属套管的一端设置有外螺纹，金属套管中部通过套设并固定有螺母。上述芯体的内弓丨线通过夹具连接至外引线。本实用新型的压力传感器采用芯体和金属套管采用螺纹加激光焊接的连接方式，解决了在强烈振动及复杂冲击波冲击后，结构完整，保持正常工作能力，无异常现象。

图1为本实用新型的芯体A抽出金属套管B的结构示意图；图2为本实用新型完整装配后结构示意图；图3为本实用新型的芯体A结构剖视图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做进一步详细描述:[0016]参见图1和图2:本实用新型的压力传感器，包括金属套管B以及套在金属套管B内的芯体A，芯体A与金属套管B的连接部分设有螺纹，芯体A与金属套管B通过螺纹加激光焊接的方式连接在一起。金属套管B的一端设置有外螺纹E，金属套管B中部通过套设并固定有螺母D。芯体A的内引线8通过夹具7连接至外引线9。参见图3:本实用新型所述的芯体A包括圆柱状的壳体1，在壳体I的上端设置有水平凹槽4，水平凹槽4内焊接有SOI芯片2。壳体I内设置有引线电极，所述SOI芯片2的压焊点电极通过金丝3与壳体I的引线电极连接。壳体I的下部设置有环形凹槽5。
权利要求1.一种压力传感器，其特征在于，包括金属套管(B)以及套在金属套管(B)内的芯体(A)，所述芯体(A)与金属套管(B)的连接部分设有螺纹，芯体(A)与金属套管(B)通过螺纹加激光焊接的方式连接在一起。
2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述芯体(A)包括圆柱状的壳体(1)，在所述壳体(I)的上端设置有水平凹槽(4)，所述水平凹槽(4)内焊接有SOI芯片(2)。
3.根据权利要求2所述的压力传感器，其特征在于，所述壳体(I)内设置有引线电极，所述SOI芯片(2)的压焊点电极通过金丝(3)与壳体(I)的引线电极连接。
4.根据权利要求2所述的压力传感器，其特征在于，所述壳体(I)的下部设置有环形凹槽(5)。
5.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述金属套管(B)的一端设置有外螺纹(E )，金属套管(B )中部通过套设并固定有螺母(D )。
6.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述芯体(A)的内引线(8)通过夹具(7)连接至外引线(9)。
专利摘要本实用新型涉及一种压力传感器，包括金属套管以及套在金属套管内的芯体，所述芯体与金属套管的连接部分设有螺纹，芯体与金属套管通过螺纹加激光焊接的方式连接在一起。本实用新型的压力传感器采用芯体和金属套管采用螺纹加激光焊接的连接方式，解决了在强烈振动及复杂冲击波冲击后，结构完整，保持正常工作能力，无异常现象。
文档编号G01L9/04GK203053627SQ20122061509
公开日2013年7月10日 申请日期2012年11月19日 优先权日2012年11月19日
发明者袁晓斌, 陈龙, 张妮妮, 刘秀娥 申请人:西安微纳传感器研究所有限公司