专利名称：对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法
技术领域：
本发明涉及直流稳态功率老化技术领域，尤其涉及一种对GaN基器件直流稳态功率老化进行预筛选的方法。
背景技术：
稳态功率老化是在较长的时间内对器件连续施加一定的电应力，通过电、热综合作用来加速器件内部各种物理，化学过程，促使器件内部各种潜在缺陷及早暴露，从而达到剔除早期失效器件的目的。对工艺过程中可能存在的一系列缺陷，如表面玷污、沟道漏电、芯片裂纹、氧化层缺陷等，具有较好的筛选效果。半导体器件的可靠性通常由浴盆曲线的理想化曲线来表示，它由3个区域组成。在第一个区域，失效率随时间减�。莆缙谑�。在第2个区域，失效率达到恒定值，称 为恒定失效率期或使用寿命区。在第三个区域，失效率随时间增大，称为耗损失效期。在第一个区域也就是早期失效期内，器件参数不稳定，器件失效率高。之后在恒定失效率期内器件参数趋于稳定。早期失效期与恒定失效率期之间的时间点一般被称为阈值时间。在进行器件稳态直流功率老化的过程中，确定器件的早期失效期和使用寿命区之间的阈值时间，作为器件进行预筛选的一个依据，可以大大节省进行稳态直流老化的时间，并能保证器件在经过预筛选后达到平稳的使用寿命期，增加了器件在使用过程中的稳定性。采用电功率老化方法筛选GaN基功率器件最关键的问题是确定器件进行稳态功率老化筛选的应力条件，应力条件过低则达不到筛选效果，应力条件过高又有可能温度超过最高允许结温从而导致过应力失效。要想达到最佳筛选效果，则是在器件所能承受的极限功耗条件下对器件进行稳态功率老化，该稳态功率老化采用显微红外测量的方法得到GaN基HEMT器件峰值结温同器件耗散功率之间的关系，进而确定器件进行稳态功率老化筛选的应力条件。
发明内容
(一 )要解决的技术问题为达到上述目的，本发明的主要目的在于提供一种对GaN基器件直流稳态功率老化进行预筛选的方法。( 二 )技术方案为达到上述目的，本发明提供了一种对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，该方法包括对被测GaN基器件进行封装测试，确定被测GaN基器件的直流稳态功率；采用显微红外热像仪测量被测GaN基器件的结温，并对测量得到的结温进行数学拟和得到被测GaN基器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系，确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件以及老化时所处的环境温度的条件； 在该被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件下对被测GaN基器件进行直流稳态功率老化，获得被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线；由该被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线确定器件各特性参数趋于稳定的阈值时间；以及对多个被测GaN基器件进行老化筛�。蕹诟勉兄凳奔淠谄骷匦圆问岩晕榷ǖ钠骷迪侄訥aN基器件的直流稳态功率老化的预筛选。上述方案中，所述对被测GaN基器件进行封装测试，确定被测GaN基器件的直流稳态功率，包括首先将被测GaN基器件固定在夹具上，该夹具上具有用于抑制和消除被测GaN基器件自激振荡的电路，然后采用直流电源对被测GaN基器件进行直流特性的测量，得到被测GaN基器件在不同的栅压下漏压和漏电流的大�。寐┭购吐┑缌飨喑说玫奖徊釭aN基器件的直流稳态功率。上述方案中，所述采用显微红外热像仪测量被测GaN基器件的结温，并对测量得 到的结温进行数学拟和得到被测GaN基器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系，确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件以及老化时所处的环境温度的条件，包括采用显微红外热像仪测量被测GaN基器件的结温，获得被测GaN基器件的结温分布以及峰值结温，然后通过Origin软件对测量得到的结温分布以及峰值结温进行数学拟和，得到器件的峰值结温与直流稳态功率之间以及峰值结温与器件所处环境温度之间的关系曲线，进而由该关系曲线确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件。上述方案中，所述采用显微红外热像仪测量被测GaN基器件的结温，获得被测GaN基器件的结温分布以及峰值结温，包括显微红外热像仪通过软件将夹具的温度控制在700C ;采用单管封装的器件安装在该夹具上，该夹具通过抑制振荡电路实现器件自激振荡的抑制，输出器件的直流稳态功率；显微红外热像仪通过检测芯片的辐射能量密度分布，由计算机软件换算成表面各点的温度值，确定被测GaN基器件的结温分布以及峰值结温。上述方案中，所述由该关系曲线确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件，是确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化时所处的环境温度即基板的温度、漏端电压及漏端电流，其中基板的温度通过显微红外的方法确定，漏端电压及漏端电流通过采用直流电源对被测GaN基器件进行直流特性的测量得到。上述方案中，所述由该关系曲线确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件，包括由测量得到的被测GaN基器件在不同的栅压下漏压和漏电流，计算得到被测GaN基器件的直流功率；通过Origin的数学分析软件，得到峰值结温与对应直流稳态功率的数学关系曲线；由不同基板温度下测量得到的结果，获得不同环境温度下器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系。上述方案中，所述被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件，包括采用显微红外热像仪测量器件的结温分布，其环境温度控制在70°C，由于使结温达到Tjm并连续工作，在低电压小功耗结温分布的器件，在高电压大功耗时结温分布可能变得极不均匀，会出现明显的热斑，甚至导致器件失效，而环境对器件的结温和热阻影响较�。阅舛ㄉ秆√跫保υ谔岣咂骷幕肪澄露榷档秃纳⒐β室约敖档退悠骷┒说缪沟奶跫陆校员徊釭aN基器件在低于175°C结温的条件下，采用环境温度70°C，偏置条件为漏电压 Vd = 25V，漏电流 Id = 200mA。上述方案中，所述被测GaN基器件的各特性参数包括器件的漏端电流、阈值电压、跨导、肖特基开启电压和反向漏电流的大小。 上述方案中，所述由该被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线确定器件各特性参数趋于稳定的阈值时间，是由该被测GaN基器件的各个特性参数随时间的变化曲线确定被测GaN基器件特性参数趋于稳定的时间，并确定该趋于稳定的时间为被测GaN基器件参数稳定进入稳态老化工作区的阈值时间。上述方案中，所述对多个被测GaN基器件进行老化筛选时，该多个被测GaN基器件是同一批次的GaN基器件。(三)有益效果从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果I、本发明提供的对GaN基器件直流稳态功率老化进行预筛选的方法，通过显微红外测量方法确定GaN器件直流稳态功率老化的应力条件，在已确定的直流稳态功率条件下 对器件进行一定时间的老化，把器件特性参数趋于平稳的时间点确定为器件早期失效期和稳定使用寿命期的阈值时间，把在阈值时间内难以达到参数稳定的器件进行剔除，实现GaN基器件的直流稳态功率老化的预筛选。2、本发明提供的对GaN基器件直流稳态功率老化进行预筛选的方法，用于确定器件早期失效期和恒定失效率期之间的阈值时间，在该时间区间内对同一批次特性参数一致的器件进行预筛选，在该阈值时间内器件参数达到稳定的器件通过筛�。岩郧饔谖榷ǖ钠骷刑蕹迪侄訥aN基HEMT器件稳态直流功率的老化以及预筛选。该方法无论对于提高器件的稳定性，还是进行器件可靠性的有效评估都具有重要的指导意义。
图I是本发明提供的对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法流程图；图2是依照本发明实施例测量所采用的AlGaN/GaN HEMT器件结构；其中，图2(a)是h器件结构，图2 (b)是75n3的器件结构；图3是依照本发明实施例采用显微红外测量得到GaN器件的显微红外图象；其中，图3 (a)是h器件的结温分布，图3 (b)是75n3器件的结温分布图；图4是依照本发明实施例数学分析得到的器件峰值结温随器件直流稳态功率的变化曲线；图5(a)是依照本发明实施例1#10的TRI结构器件Vd和Id随时间的变化的曲线.图5(b)是依照本发明实施例1#10的TRI结构器件Vg和Ig随时间的变化的曲线.图6(a)是依照本发明实施例1#10的TRI结构器件Vd和Id随时间的变化的曲线.图6 (b)是依照本发明实施例1#10的TRI结构器件Vg和Ig随时间的变化的曲线。
具体实施例方式为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。本发明提供的实施例通过进行GaN/AlGaN HEMT直流稳态功率老化实验，对器件的可靠性进行初步筛�。梅椒ㄊ紫炔捎孟晕⒑焱獾牟饬糠椒ǎ竦梅逯到嵛峦绷魑忍β实墓叵担佣范ㄆ骷忍匣跫�(器件老化时的工作电压，工作电流以及所处基板的温度)，根据器件的具体特性在一定的直流稳态功率老化的条件下对器件进行直流稳态功率老化。器件在最初老化时性能参数不稳定，经过一定时间老化后趋于稳定。对于一致性较好的器件，器件参数趋于稳定时出现的时间大致相同，通过直流稳态功率老化确定出这一时间，该时间确定为器件早期失效的时间。对于同一批次的器件，采用该方法对器件进行预筛选，如果器件在经过早期失效期后参数仍然不能趋于稳定，则该器件应该进行剔除。
器件的早期失效期一般在80-100小时内，采用该方法进行GaN器件的预筛�。仁迪至硕云骷囊桓隼匣檀佣蛊骷问饔谖榷ǎ币彩迪至似骷诮隙淌奔淠诮猩秆〉墓蹋苊饬顺な奔涞睦匣谑×巳肆臀锪�。本发明的实现原理在于，器件的寿命曲线是一浴盆曲线，在早期失效的时间段，器件参数不稳定，之后平稳期器件的失效率恒定，参数也趋于稳定，确定器件的早期失效期将有助于进行器件的一个早期筛选。器件通常包括了引起初期失效的缺陷，这些器件通�？梢酝ü桓錾秆」潭靡匀范ǎ飧龉掏ǔ０讼蚱骷┘右欢问奔涞募だ汀霸ど铡钡墓蹋飧鼋锥我院笫且桓鍪驶臼浅Ｊ那�。因此该方法提供了一种有效进行GaN器件可靠性表征的方法。采用一种简易可操作的方法实现了对GaN器件的预筛选。峰值结温的测量是拟定高可靠器件筛选应力的前提，器件筛选对于剔除早期失效的器件或剔除有隐患的器件，反映器件在一定功率工作下的实际可靠性特征，实现对器件可靠性的有效评价。GaN基HEMT器件稳态工作寿命试验大都是在一定的壳温和相应最大额定功率的条件下进行。按Tj = P Rth(j-c)+Tc计算，其中Tj为GaN器件的峰值结温值，P为器件的直流耗散功率的大�。琑th(j-c)为器件的结温到环境温度的热阻大�。琓c为器件的环境温度。采用显微红外热像法测量结温，得到功率-峰值结温的定量关系，确定高可靠器件稳态老化的应力条件。在该条件下，对GaN基HEMT器件在短时间内施加直流稳态功率应力，同时采用计算机软件对器件的特性参数随时间变化的曲线进行实时的采集，进而确定器件特性参数趋于稳定的时间为器件进行预筛选的时间，从而实现对器件的特性参数的稳定并达到预筛选的目的。基于上述实现原理，图I示出了本发明提供的对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法流程图，包括以下步骤步骤I :对被测GaN基器件进行封装测试，确定被测GaN基器件的直流稳态功率；步骤2 :采用显微红外热像仪测量被测GaN基器件的结温，并对测量得到的结温进行数学拟和得到被测GaN基器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系，确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件以及老化时所处的环境温度的条件；步骤3 :在该被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件下对被测GaN基器件进行直流稳态功率老化，获得被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线；步骤4 :由该被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线确定器件各特性参数趋于稳定的阈值时间；步骤5 :对多个被测GaN基器件进行老化筛�。蕹诟勉兄凳奔淠谄骷匦圆问岩晕榷ǖ钠骷迪侄訥aN基器件的直流稳态功率老化的预筛选。其中，所述对被测GaN基器件进行封装测试，确定被测GaN基器件的直流稳态功率，包括首先将被测GaN基器件固定在夹具上，该夹具上具有用于抑制和消除被测GaN基器件自激振荡的电路，然后采用直流电源对被测GaN基器件进行直流特性的测量，得到被测GaN基器件在不同的栅压下漏压和漏电流的大小，将该漏压和漏电流相乘得到被测GaN基器件的直流稳态功率。同时获得此时对应的温度条件。所述采用显微红外热像仪测量被测GaN基器件的结温，并对测量得到的结温进行数学拟和得到被测GaN基器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系，确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件以及老化时所处的环境温度的条件，包括采用显微红外热像仪测量被测GaN基器件的结温，获得被测GaN基器件的结温分布以及峰值结温，然后通过Origin软件对测量得到的结温分布以及峰值结温进行数学拟和，得到器件的峰值结温与直流稳态功率之间以及峰值结温与器件所处环境温度之间的关系曲线，进而由该关系曲线确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件。所述采用显微红外热像仪测量被测GaN基器件的结温，获得被测GaN基器件的结温分布以及峰值结温，包括显微红外热像仪通过软件将夹具的温度控制在70°C;采用单管封装的器件安装在该夹具上，该夹具通过抑制振荡电路实现器件自激振荡的抑制，输出器件的直流稳态功率；显微红外热像仪通过检测芯片的辐射能量密度分布，由计算机软件换算成表面各点的温度值，确定被测GaN基器件的结温分布以及峰值结温。所述由该关系曲线确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件，是确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化时所处的环境温度即基板的温度、漏端电压及漏端电流，其中基板的温度通过显微红外的方法确定，漏端电压及漏端电流通过采用直流电源对被测GaN基器件进行直流特性的测量得到。所述由该关系曲线确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件，包括由测量得到的被测GaN基器件在不同的栅压下漏压和漏电流，计算得到被测GaN基器件的直流功率；通过Origin的数学分析软件，得到峰值结温与对应直流稳态功率的数学关系曲线；由不同基板温度下测量得到的结果，获得不同环境温度下器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系。所述被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件，包括采用显微红外热像仪测量器件的结温分布，其环境温度控制在70°C，由于使结温达到Tjm并连续工作，在低电压小功耗结温分布的器件，在高电压大功耗时结温分布可能变得极不均匀，会出现明显的热斑，甚至导致器件失效，而环境对器件的结温和热阻影响较小，所以拟定筛选条件时，应在提高器件的环境温度而降低耗散功率以及降低所加器件漏端电压的条件下进行，所以被测GaN基器件在低于175°C结温的条件下，采用环境温度70°C，偏置条件为漏电压Vd = 25V,漏电流Id = 200mA。所述被测GaN基器件的各特性参数包括器件的漏端电流、阈值电压、跨导、肖特基开启电压和反向漏电流的大小。所述由该被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线确定器件各特性参数趋于稳定的阈值时间，是由该被测GaN基器件的各个特性参数随时间的变化曲线确定被测GaN基器件特性参数趋于稳定的时间，并确定该趋于稳定的时间为被测GaN基器件参数稳定进入稳态老化工作区的阈值时间。所述对多个被测GaN基器件进行老化筛选时，该多个被测GaN基器件是同一批次的GaN基器件。
实施例本实施例提供的对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，是对AlGaN/GaN HEMT进行显微红外的测量，确定器件直流稳态功率老化条件，在该条件下对器件进行直流稳态功率老化，通过计算机软件对器件的特性参数随时间的变化情况进行实时的采集，获得器件的各个特性参数随时间的变化曲线。确定器件特性参数趋于稳定的时间为器件工作进入稳定期的阈值时间，在该时间范围内对器件进行预筛�。蕹舨问岩晕榷ǖ钠骷逼骷匣笫迪至宋榷ú问淖饔茫墙蠫aN基器件直流稳态功率老化和实现预筛选有效可行的方法，具体包括如下步骤I、对器件进行封装测试。将图2所示的单管裸管AlGaN/GaN的HEMT器件采用SG62A的封装，封装后的器件安装在特制夹具上，该夹具上设计有抑制振荡电路以消除器件的自激振荡，用于输出器件的直流稳态功率。采用直流电源对器件进行直流稳态功率的测量，固定漏端电压，改变器件的栅压，得到相应的漏电流，测得器件的直流稳态功率大小。直流稳态功率是通过供电电源上面的电流电压的乘积得到的。2、采用显微红外测量器件的结温，获得器件的结温分布以及峰值结温，如图3所示，步骤如下(I)显微红外测试仪通过软件把夹具的温度控制在70°C ；(2)采用单管封装的器件安装在专用的夹具上，该夹具通过抑制振荡电路实现了器件自激振荡的抑制，以输出器件的直流稳态功率。(3)显微红外热像仪通过检测芯片的辐射能量密度分布，由计算机软件换算成表面各点的温度值，准确的确定器件上的峰值温度。3、如图4所示，对显微红外测量的结温进行数学拟和，得到器件的峰值结温与直流稳态功率之间以及器件所处环境温度之间的关系，确定器件进行直流稳态功率老化的条件(I)由测量得到的直流特性，计算得到器件的直流稳态功率大�。渲蠵 = IdsVds ;(2)列出直流稳态功率相对应的峰值结温。由表I列出。(3)通过Origin的数学分析软件，得到峰值结温与对应直流稳态功率的数学关系曲线。(4)由不同基板温度下测量得到的结果，获得不同环境温度下器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系。
权利要求
1.一种对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，其特征在于，该方法包括 对被测GaN基器件进行封装测试，确定被测GaN基器件的直流稳态功率； 采用显微红外热像仪测量被测GaN基器件的结温 ，并对测量得到的结温进行数学拟和得到被测GaN基器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系，确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件以及老化时所处的环境温度的条件； 在该被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件下对被测GaN基器件进行直流稳态功率老化，获得被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线； 由该被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线确定器件各特性参数趋于稳定的阈值时间；以及 对多个被测GaN基器件进行老化筛�。蕹诟勉兄凳奔淠谄骷匦圆问岩晕榷ǖ钠骷迪侄訥aN基器件的直流稳态功率老化的预筛选。
2.根据权利要求I所述的对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，其特征在于，所述对被测GaN基器件进行封装测试，确定被测GaN基器件的直流稳态功率，包括 首先将被测GaN基器件固定在夹具上，该夹具上具有用于抑制和消除被测GaN基器件自激振荡的电路，然后采用直流电源对被测GaN基器件进行直流特性的测量，得到被测GaN基器件在不同的栅压下漏压和漏电流的大�。寐┭购吐┑缌飨喑说玫奖徊釭aN基器件的直流稳态功率。
3.根据权利要求I所述的对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，其特征在于，所述对被测GaN基器件进行封装测试，确定被测GaN基器件的直流稳态功率，还包括获得此时对应的温度条件。
4.根据权利要求I所述的对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，其特征在于，所述采用显微红外热像仪测量被测GaN基器件的结温，并对测量得到的结温进行数学拟和得到被测GaN基器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系，确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件以及老化时所处的环境温度的条件，包括 采用显微红外热像仪测量被测GaN基器件的结温，获得被测GaN基器件的结温分布以及峰值结温，然后通过Origin软件对测量得到的结温分布以及峰值结温进行数学拟和，得到器件的峰值结温与直流稳态功率之间以及峰值结温与器件所处环境温度之间的关系曲线，进而由该关系曲线确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件。
5.根据权利要求4所述的对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，其特征在于，所述采用显微红外热像仪测量被测GaN基器件的结温，获得被测GaN基器件的结温分布以及峰值结温，包括 显微红外热像仪通过软件将夹具的温度控制在70°C ； 采用单管封装的器件安装在该夹具上，该夹具通过抑制振荡电路实现器件自激振荡的抑制，输出器件的直流稳态功率； 显微红外热像仪通过检测芯片的辐射能量密度分布，由计算机软件换算成表面各点的温度值，确定被测GaN基器件的结温分布以及峰值结温。
6.根据权利要求4所述的对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，其特征在于，所述由该关系曲线确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件，是确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化时所处的环境温度即基板的温度、漏端电压及漏端电流，其中基板的温度通过显微红外的方法确定，漏端电压及漏端电流通过采用直流电源对被测GaN基器件进行直流特性的测量得到。
7.根据权利要求4所述的对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，其特征在于，所述由该关系曲线确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件，包括 由测量得到的被测GaN基器件在不同的栅压下漏压和漏电流，计算得到被测GaN基器件的直流功率； 通过Origin的数学分析软件，得到峰值结温与对应直流稳态功率的数学关系曲线； 由不同基板温度下测量得到的结果，获得不同环境温度下器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系。
8.根据权利要求7所述的对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，其特征在于，所述被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件，包括 被测GaN基器件在低于175°C结温的条件下，采用环境温度70°C，偏置条件为漏电压Vd=25V,漏电流 Id = 200mA。
9.根据权利要求I所述的对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，其特征在于，所述被测GaN基器件的各特性参数包括器件的漏端电流、阈值电压、跨导、肖特基开启电压和反向漏电流的大小。
10.根据权利要求I所述的对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，其特征在于，所述由该被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线确定器件各特性参数趋于稳定的阈值时间，是由该被测GaN基器件的各个特性参数随时间的变化曲线确定被测GaN基器件特性参数趋于稳定的时间，并确定该趋于稳定的时间为被测GaN基器件参数稳定进入稳态老化工作区的阈值时间。
11.根据权利要求I所述的对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，其特征在于，所述对多个被测GaN基器件进行老化筛选时，该多个被测GaN基器件是同一批次的GaN基器件。
全文摘要
本发明公开了一种对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，包括对被测GaN基器件进行封装测试，确定被测GaN基器件的直流稳态功率；采用显微红外热像仪测量器件的结温，并对测量得到的结温进行数学拟和得到被测GaN基器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系，确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件；对被测GaN基器件进行直流稳态功率老化，获得被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线；由该被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线确定器件各特性参数趋于稳定的阈值时间，确定器件进行直流稳态老化的时间；对多个被测GaN基器件进行老化筛选，剔除在该阈值时间内器件特性参数难以稳定的器件，实现对GaN基器件的直流稳态功率老化的预筛选。
文档编号G01J5/00GK102955112SQ20111023659
公开日2013年3月6日 申请日期2011年8月17日 优先权日2011年8月17日
发明者赵妙, 刘新宇, 郑英奎, 彭铭曾, 魏珂, 欧阳思华 申请人:中国科学院微电子研究所
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