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专利名称：一种晶体材料检查装置及方法
技术领域：
本发明属于半导体技术领域，涉及半导体器件的设计及加工时的晶片生产加工， 具体地说更涉及一种晶体材料检查装置及方法。
背景技术：
在半导体设计及加工领域，晶片如蓝宝石的质量，对后续在其上生长的MgB2超导薄膜、第三代半导体材料GaN薄膜以及制备蓝光二极管的性能和成品率有很大影响，因此， 作为基础材料的蓝宝石衬底晶片的质量必须首先得到保证，并且现在的芯片要求也越来越高，微型化和高性能的趋势对基础材料的质量要求必然越来越高。为了满足日益严格的质量要求，则要生产高品质的蓝宝石晶片，其中，除了要改进蓝宝石晶片制备技术外，蓝宝石晶片本身质量的检测技术也是非常重要的一个环节。对蓝宝石晶片质量的检测包含对晶体材料内杂质的检测，而目前业内一般采用光学成像方法，即根据几何光学成像原理通过光电探测器来探测杂质的形貌及大�。溆诺闶强旖莘奖悖⒍员徊庋肺匏鹕耍庵址椒ú饬康姆直媛时冉系停饬肯孪薏还弧Ａ硗猓魑芯康氖笛槭叶嗖捎迷恿Ｏ晕⒕档确直媛式细叩囊瞧鳎庑┮瞧骷鄹癜汗螅页上穹段。贾虏僮髀榉常俣嚷沂芴酵返挠跋焯螅⒉皇屎嫌诠こ逃τ谩�

发明内容
本发明实施例的目的是为了克服目前晶体材料内杂质检查方法的单一以及测量仪器价格昂贵等不足，而提供一种价格相对低廉、检测准确度高、结构简单、工作可靠、测量范围宽的晶体材料检查装置及方法，从而改善现有晶片检测技术的不足。为了达到上述发明目的，本发明实施例提出的一种晶体材料检查装置是通过以下技术方案实现的一种晶体材料检查装置，所述装置包括光源�？椋美捶⑸淙肷涔獠⑹褂盟鋈肷涔舛员徊饩宀牧辖姓丈洌还獾缣讲饽？椋胨龉庠茨？榉庾霸谝黄穑美炊员徊饩宀牧夏谠又实暮笙蛏⑸涔庥肴肷涔庀喔缮婧蟮玫降男藕沤刑讲猓⒔鲂藕抛缧藕牛恍藕盘崛∧？椋美炊运龅缧藕沤刑崛〔⒆中藕牛恍藕糯砟？椋美炊运鍪中藕沤写恚玫剿霰徊饩宀牧夏谠又实奈⒛擅卓帕Ａ＞逗�/或其分布信息。进一步优选地，所述光源�？榘ḿす馄鳌⒓す馄髑缏�、空间滤波器、准直透镜、会聚透镜，其中，所述激光器由激光器驱动电路驱动发出入射光，所述入射光通过空间滤波器和准直透镜后形成一束平行光，所述会聚透镜对所述平行光进行会聚使其照射在被测晶体材料上。
进一步优选地，所述光电探测�？榘ü獾缣讲馄鳎美炊员徊饩宀牧夏谠又实暮笙蛏⑸涔庥肴肷涔庀喔缮婧蟮玫降男藕沤刑讲猓⒔鲂藕抛缌餍藕�。进一步优选地，所述光电探测�？榛拱ǹ缱璺糯笃鳎胨龉獾缣讲馄髁樱美炊运龅缌餍藕沤蟹糯蟛⒆缪剐藕拧＝徊接叛〉兀龉獾缣讲馄魑獾缍芑蛭⑿凸獾绫对龉堋Ｎ耸迪智笆龇⒚髂康模痉⒚魇凳├固峁┝艘恢志宀牧霞觳榉椒ǎ鼍宀牧霞觳榉椒ㄊ峭ü韵录际醴桨甘迪值囊恢志宀牧霞觳榉椒ǎ龇椒òǚ⑸淙肷涔獠⑹褂盟鋈肷涔舛员徊饩宀牧辖姓丈洌凰霰徊饩宀牧夏谠又示丈浜笮纬珊笙蛏⑸涔獠⒕饴贩祷兀欢运龊笙蛏⑸涔庥肴肷涔庀喔缮婧蟮玫降男藕沤刑讲猓⒔鲂藕抛缧藕牛欢运龅缧藕沤刑崛〔⒆中藕牛欢运鍪中藕沤写恚玫剿霰徊饩宀牧夏谠又实奈⒛擅卓帕Ａ＞逗�/ 或其分布信息。进一步优选地，所述发射入射光并使用所述入射光对被测晶体材料进行照射具体包括激光器由激光器驱动电路驱动发出入射光，所述入射光通过空间滤波器和准直透镜后形成一束平行光，所述会聚透镜对所述平行光进行会聚使其照射在被测晶体材料上。进一步优选地，所述对所述后向散射光与入射光相干涉后得到的信号进行探测， 并将所述信号转化为电信号具体包括对被测晶体材料内杂质的后向散射光与入射光相干涉后得到的信号进行探测，并将所述信号转化为电流信号。进一步优选地，所述方法还包括通过跨阻放大器对所述电流信号进行放大并转化为电压信号。本发明实施例通过提供一种新的晶体材料检查装置及方法，采用激光自混频技术，通过测量激光被杂质颗粒群散射的后向散射光与入射光相干涉信号(即自混频信号)， 直接给出杂质的粒径大小及分布，克服了原子力显微镜成像范围太小，操作麻烦，速度慢， 受探头的影响太大等缺点，具有结构简单、测量范围宽、准确度高的优点，同时测量工作可靠、迅速，且价格相对低廉，适合于工程实时监控等应用。


通过下面结合附图对其示例性实施例进行的描述，本发明上述特征和优点将会变得更加清楚和容易理解。图1为本发明实施例1 一种晶体材料检查装置组成示意图；图2为本发明实施例2光源模块组成示意图；图3为本发明实施例3光电探测�？樽槌墒疽馔迹煌�4为本发明实施例4 一种晶体材料检查装置实施示意图；图5为本发明实施例5 —种晶体材料检查方法流程图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明作进一步详细说明。如图1所示，为本发明实施例1 一种晶体材料检查装置，所述装置包括光源�？椋美捶⑸淙肷涔獠⑹褂盟鋈肷涔舛员徊饩宀牧辖姓丈洌还獾缣讲饽？椋胨龉庠茨？榉庾霸谝黄穑美炊员徊饩宀牧夏谠又实暮笙蛏⑸涔庥肴肷涔庀喔缮婧蟮玫降男藕沤刑讲猓⒔鲂藕抛缧藕牛恍藕盘崛∧？椋美炊运龅缧藕沤刑崛〔⒆中藕牛恍藕糯砟？椋美炊运鍪中藕沤写恚玫剿霰徊饩宀牧夏谠又实奈⒛擅卓帕Ａ＞逗�/或其分布信息。进一步优选地，如图2所示，所述光源�？榘ḿす馄�、激光器驱动电路、空间滤波器、准直透镜、会聚透镜，其中，所述激光器由激光器驱动电路驱动发出入射光，所述入射光通过空间滤波器和准直透镜后形成一束平行光，所述会聚透镜对所述平行光进行会聚使其照射在被测晶体材料上。进一步优选地，如图3所示，所述光电探测�？榘ü獾缣讲馄鳎美炊员徊饩宀牧夏谠又实暮笙蛏⑸涔庥肴肷涔庀喔缮婧蟮玫降男藕沤刑讲猓⒔鲂藕抛�
流信号。进一步优选地，所述光电探测�？榛拱ǹ缱璺糯笃鳎胨龉獾缣讲馄髁樱美炊运龅缌餍藕沤蟹糯蟛⒆缪剐藕�。进一步优选地，所述光电探测器为光电二极管或微型光电倍增管。具体实施条件下，如图4所示，为本发明实施例4的晶体材料检查装置的实施示意图，如实现对晶体材料洁净度的检测，采用激光自混频技术进行测量，即在激光的测量光束上依序排列有光电探测器、激光器、准直透镜、会聚透镜、被测晶体材料；激光器由激光器驱动电路驱动发光；光电探测器连接有跨阻放大器、混合信号示波器和计算机。因此，对于测量光路，本发明实施例采用半导体激光光源激光器在驱动电路的控制下发出激光，出射光通过空间滤波器和准直透镜后形成一束平行入射光，平行入射光经过会聚透镜照射在被测晶体材料上。晶体材料内杂质的后向散射光经原光路返回，与入射光相干涉后反馈回激光腔，信号被光电探测器探测并转化为微弱的电流信号，再通过跨阻放大器转化为适当的电压信号。对于光电转换，光电探测器采用高灵敏度的光电二极管或微型光电倍增管，由于光电探测器与激光器封装在同一个盒子里，后向散射光较弱，探测区域很�。虼怂捎玫墓獾缍芑蛭⑿凸獾绫对龉懿唤鲆寤。谧爸梦⑿突夜獾缍茏捎酶叩嫉缏屎透叩即挪牧希⑹蛊浣拥亓己茫饩陀行У叵送饨绲牡绱鸥扇牛佣蟠笙吮尘霸肷岣吡斯獾缣讲馄鞯牧槊舳�。对于信号提取模块，采用泰克MS04034混合信号示波器，其外接测量光电转换机构送来的电压信号通过数字示波器观察频谱特性和提取数字信号，输入进信号处理�？�。对于信号处理�？椋淇梢圆捎靡坏缱蛹扑慊扑慊凶坝杏胩┛薓S04034混合信号示波器相关的数字处理LABVIEW软件，从而进行数字信号的数据处理，最终获得晶体材料内杂质微纳米颗粒粒径及其分布信息。本发明实施例通过提供一种新的晶体材料检查装置，采用激光自混频技术，通过测量激光被杂质颗粒群散射的后向散射光与入射光相干涉信号(即自混频信号)，直接给出杂质的粒径大小及分布，克服了原子力显微镜成像范围太小，操作麻烦，速度慢，受探头的影响太大等缺点，具有结构简单、测量范围宽、准确度高的优点，同时测量工作可靠、迅速，且价格相对低廉，适合于工程实时监控等应用。另外，如图5所示，本发明实施例5还提供了一种新的晶体材料检查方法，所述方法是通过以下技术方案实现的一种晶体材料检查方法，所述方法包括以下步骤发射入射光并使用所述入射光对被测晶体材料进行照射；所述被测晶体材料内杂质经照射后形成后向散射光并经原光路返回；对所述后向散射光与入射光相干涉后得到的信号进行探测，并将所述信号转化为电信号；对所述电信号进行提取并转化为数字信号；对所述数字信号进行处理，得到所述被测晶体材料内杂质的微纳米颗粒粒径和/ 或其分布信息。进一步优选地，所述发射入射光并使用所述入射光对被测晶体材料进行照射具体包括激光器由激光器驱动电路驱动发出入射光，所述入射光通过空间滤波器和准直透镜后形成一束平行光，所述会聚透镜对所述平行光进行会聚使其照射在被测晶体材料上。进一步优选地，所述对所述后向散射光与入射光相干涉后得到的信号进行探测， 并将所述信号转化为电信号具体包括对被测晶体材料内杂质的后向散射光与入射光相干涉后得到的信号进行探测，并将所述信号转化为电流信号。进一步优选地，所述方法还包括通过跨阻放大器对所述电流信号进行放大并转化为电压信号。具体实施条件下，本发明实施例采用前述的检查装置，通过激光自混频技术进行测量，即在激光的测量光束上依序排列有光电探测器、激光器、准直透镜、会聚透镜、被测晶体材料；激光器由激光器驱动电路驱动发光；光电探测器连接有跨阻放大器、混合信号示波器和数字处理�？�。对于数据处理，假定颗粒是单分散系，基于Lang-Kobayashi速率方程，可得到微纳米颗粒自混频信号的时间相关函数表达式
权利要求
1.一种晶体材料检查装置，其特征在于，所述装置包括光源�？椋美捶⑸淙肷涔獠⑹褂盟鋈肷涔舛员徊饩宀牧辖姓丈洌还獾缣讲饽？椋胨龉庠茨？榉庾霸谝黄穑美炊员徊饩宀牧夏谠又实暮笙蛏⑸涔庥肴肷涔庀喔缮婧蟮玫降男藕沤刑讲猓⒔鲂藕抛缧藕牛恍藕盘崛∧？椋美炊运龅缧藕沤刑崛〔⒆中藕牛恍藕糯砟？椋美炊运鍪中藕沤写恚玫剿霰徊饩宀牧夏谠又实奈⒛擅卓帕Ａ＞逗�/或其分布信息。
2.如权利要求1所述的晶体材料检查装置，其特征在于，所述光源�？榘ḿす馄�、激光器驱动电路、空间滤波器、准直透镜、会聚透镜，其中，所述激光器由激光器驱动电路驱动发出入射光，所述入射光通过空间滤波器和准直透镜后形成一束平行光，所述会聚透镜对所述平行光进行会聚使其照射在被测晶体材料上。
3.如权利要求1或2所述的晶体材料检查装置，其特征在于，所述光电探测�？榘ü獾缣讲馄鳎美炊员徊饩宀牧夏谠又实暮笙蛏⑸涔庥肴肷涔庀喔缮婧蟮玫降男藕沤刑讲猓⒔鲂藕抛缌餍藕�。
4.如权利要求3所述的晶体材料检查装置，其特征在于，所述光电探测�？榛拱ǹ缱璺糯笃鳎胨龉獾缣讲馄髁樱美炊运龅缌餍藕沤蟹糯蟛⒆缪剐藕�。
5.如权利要求4所述的晶体材料检查装置，其特征在于，所述光电探测器为光电二极管或微型光电倍增管。
6.一种晶体材料检查方法，其特征在于，所述方法包括发射入射光并使用所述入射光对被测晶体材料进行照射；所述被测晶体材料内杂质经照射后形成后向散射光并经原光路返回；对所述后向散射光与入射光相干涉后得到的信号进行探测，并将所述信号转化为电信号；对所述电信号进行提取并转化为数字信号；对所述数字信号进行处理，得到所述被测晶体材料内杂质的微纳米颗粒粒径和/或其分布信息。
7.如权利要求6所述的晶体材料检查方法，其特征在于，所述发射入射光并使用所述入射光对被测晶体材料进行照射具体包括激光器由激光器驱动电路驱动发出入射光，所述入射光通过空间滤波器和准直透镜后形成一束平行光，所述会聚透镜对所述平行光进行会聚使其照射在被测晶体材料上。
8.如权利要求6或7所述的晶体材料检查方法，其特征在于，所述对所述后向散射光与入射光相干涉后得到的信号进行探测，并将所述信号转化为电信号具体包括对被测晶体材料内杂质的后向散射光与入射光相干涉后得到的信号进行探测，并将所述信号转化为电流信号。
9.如权利要求8所述的晶体材料检查方法，其特征在于，所述方法还包括通过跨阻放大器对所述电流信号进行放大并转化为电压信号。
10.如权利要求1或9所述的晶体材料检查方法，其特征在于，所述对所述数字信号进行处理，得到所述被测晶体材料内杂质的微纳米颗粒粒径和/或其分布信息具体包括对自混频数字信号进行分析得到时间自相关函数，并对所述时间自相关函数进行傅立叶变换得到功率谱函数，并根据颗粒粒径与衰减速率Dq2存在的对应关系，得到所述被测晶体材料内杂质的微纳米颗粒粒径和/或其分布信息，其中，Dq2对应所述时间相关函数的衰减速率。
全文摘要
本发明实施例公开了一种晶体材料检查装置及方法，用于半导体技术领域，包括光源�？椋美捶⑸淙肷涔獠⑹褂盟鋈肷涔舛员徊饩宀牧辖姓丈洌还獾缣讲饽？椋胨龉庠茨？榉庾霸谝黄穑美炊员徊饩宀牧夏谠又实暮笙蛏⑸涔庥肴肷涔庀喔缮婧蟮玫降男藕沤刑讲猓⒔鲂藕抛缧藕牛恍藕盘崛∧？椋美炊运龅缧藕沤刑崛〔⒆中藕牛恍藕糯砟？椋美炊运鍪中藕沤写恚玫剿霰徊饩宀牧夏谠又实奈⒛擅卓帕Ａ＞逗�/或其分布信息。因此，具有结构简单、测量范围宽而准确度高等优点，且价格相对低廉，适合于工程实时监控等应用。
文档编号G01N21/88GK102411006SQ20111038008
公开日2012年4月11日 申请日期2011年11月25日 优先权日2011年10月14日
发明者刘献伟, 曹凤凯, 邹宇琦, 陈先庆 申请人:上海施科特光电材料有限公司