专利名称：一种功率模块超声波检测装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及功率�？榧觳饬煊颍咛迳婕耙恢止β誓？槌觳庾爸�。
背景技术：
目前能源问题日益凸显，电力供需矛盾也日趋尖锐，大力发展新型电力电子器件已成为一项重要课题，绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)是目前发展最快的一种混合型电力电子器件，它既具有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高、开 关损耗小的优点，又具有双极功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点，因而是电力电子领域理想的开关器件。在实际应用中，为了减小体积，提高可靠性，通常会将一个或多个IGBT封灌成功率�？椋蛘咴俳徊郊汕约氨；さ缏罚夤喑芍悄芄β誓？�。现有的功率�？橥ǔ０ɑ�、边框、顶盖、半导体芯片、功率端子及信号端子，所述基板具有一承载面及一与承载面相对的底面，所述的边框、顶盖、半导体芯片、功率端子及信号端子均设置于承载面的一侧。在功率�？榈闹谱鞴讨校枰怨β誓？榈哪诓课锢砣毕萁屑觳猓钟械募觳庾爸萌缤糏所示，包括水槽2、超声波扫描装置(图中未示出)、超声波扫描探头I ;所述的功率�？榘ɑ�6、半导体芯片4、边框(图中未示出)、顶盖(图中未示出)、功率端子(图中未示出)及信号端子(图中未示出)，所述基板具有一承载面及一与承载面相对的底面，所述的半导体芯片设置于承载面上；检测时需要将水5加入所述的水槽中，并将功率�？橥üС挪�3整体置于水中，然后超声波扫描探头I伸入水中，对功率�？榻猩瑁挥捎诩觳馐惫β誓？樾枰宸湃胨校觳夤讨校β誓？榈幕�6和内部的半导体芯片4均不可避免地与水接触，后面还需进一步清洗，这样降低了生产效率。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题为现有的功率�？槌觳庾爸茫觳馐毙杞龉β誓？榉湃胍禾褰橹手校竺婊剐杞徊角逑矗庋档土松�。为解决现有技术中所存在的技术问题，本实用新型提供一种功率�？槌觳庾爸茫龅墓β誓？榘ɑ搴桶氲继逍酒龅幕寰哂杏靡猿性匕氲继逍酒某性孛嬉约坝胨龀性孛嫦喽缘牡谝坏酌妫凰龅募觳庾爸冒ň哂谐ㄉ杼酵返某ㄉ枳爸�、以及用以容纳超声波扫描液体介质的液体介质存储槽，所述的液体介质存储槽的底面开设有可被所述第一底面覆盖的孔，所述孔的周围设有在外部压力下可与所述第一底面密封连接的密封圈。进一步地，所述的液体介质存储槽的底面设有用以提供所述外部压力的压持部。进一步地，所述的压持部包括转轴、与所述转轴可旋转连接并于第一位置使所述第一底面和密封圈相互挤压且密封连接的压杆、以及用以将所述压杆固定于所述第一位置的固定部，所述转轴和固定部分别设于所述孔的相对两侧的底面上。[0009]进一步地，所述的压杆上还设有塑胶凸起。进一步地，所述液体介质存储槽还包括液体介质第一出口及液体介质第一出口阀门。进一步地，功率�？槌觳庾爸茫拱ǚ胖酶叨鹊陀谒鲆禾褰橹蚀娲⒉鄣囊禾褰橹氏麓娲⒉郏鲆禾褰橹氏麓娲⒉鄣目谟胨鲆禾褰橹实谝怀隹谙喽杂�。进一步地，功率�？槌觳庾爸茫拱ǚ胖酶叨雀哂谒鲆禾褰橹蚀娲⒉鄣囊禾褰橹噬洗娲⒉郏约坝靡越禾褰橹氏麓娲⒉壑械囊禾褰橹适渌偷揭禾褰橹噬洗娲⒉壑械谋煤偷脊埽龅囊禾褰橹噬洗娲⒉郯ㄒ禾褰橹实诙隹诩耙禾褰橹实诙隹诜牛鲆禾褰橹实诙隹谟胍禾褰橹蚀娲⒉鄣目谙喽杂�。本实用新型提供的一种功率�？槌觳庾爸茫龅墓β誓？榘ɑ搴桶� 导体芯片，所述的基板具有用以承载半导体芯片的承载面以及与所述承载面相对的第一底面；所述的检测装置包括具有超声波扫描探头的超声波扫描装置、以及用以容纳超声波扫描液体介质的液体介质存储槽，所述的液体介质存储槽的底面开设有可被所述第一底面覆盖的孔，所述孔的周围设有在外部压力下可与所述第一底面密封连接的密封圈。与现有技术相比，可避免功率模块的半导体芯片与超声波扫描液体介质接触，从而避免了后续的清洗工序，提高了生产效率。
图I是本实用新型现有技术的一种功率�？槌觳庾爸媒峁雇迹煌�2是本实用新型实施例的一种功率�？槌觳庾爸媒峁雇迹煌�3是本实用新型实施例的另一种功率�？槌觳庾爸媒峁雇�。
具体实施方式
为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。如图2所示的一种功率�？槌觳庾爸茫龅墓β誓？榘ɑ�6和半导体芯片4，所述的基板具有用以承载半导体芯片的承载面以及与所述承载面相对的第一底面；所述的检测装置包括具有超声波扫描探头I的超声波扫描装置(图中未示出)、以及用以容纳超声波扫描液体介质7的液体介质存储槽2，所述的液体介质存储槽2的底面开设有可被所述第一底面覆盖的孔21，所述孔的周围设有在外部压力下可与所述第一底面密封连接的密封圈20。具体地，在某些实施例中，所述的超声波扫描液体介质为水，但不限于水，也可以是其它可以用来作为超声波扫描液体介质的液体；具体地，所述的孔21的形状与功率半导体器件基板的第一底面形状相适应。作为上述技术方案的进一步改进，所述的液体介质存储槽的底面设有用以提供所述外部压力的压持部。作为上述技术方案的进一步细化，所述的压持部包括转轴19、与所述转轴可旋转连接并于第一位置使所述第一底面和密封圈相互挤压且密封连接的压杆16、以及用以将所述压杆固定于所述第一位置的固定部15，具体地，所述的第一位置指压杆16所处在的某一个位置时，足以使得第一底面和密封圈相互挤压且形成密封连接，在实际应用中，可根据密封圈的材质、厚度、在不同的外力下与第一底面的结合程度等因素来确定该第一位置；在本实施例中，如图3所示，固定部15为“L”型固定杆，当压杆到达第一位置时，通过“L”型固定杆横臂，卡设于第一位置；所述转轴和固定部分别设于所述孔的相对两侧的底面上，使得压杆16可以于功率半导体器件的边缘施加压力，在本实施例中，所述的转轴、压杆、固定部均设有两组，分别对功率器件的两个相对的边缘施加压力，以使得功率半导体器件与密封圈密封连接。作为上述技术方案的进一步改进，所述的压杆上还设有塑胶凸起17，以使得功率半导体器件与密封圈更好地密封连接。如图3所示的另一种功率�？槌觳庾爸茫魑鲜黾际醴桨傅慕徊礁慕鲆禾褰橹蚀娲⒉刍拱ㄒ禾褰橹实谝怀隹� 8及液体介质第一出口阀门9，以在完成对功率半导体器件的检测后，将液体介质排出。作为上述技术方案的进一步改进，所述的功率�？槌觳庾爸茫拱ǚ胖酶叨鹊陀谒鲆禾褰橹蚀娲⒉鄣囊禾褰橹氏麓娲⒉�10，所述液体介质下存储槽的开口与所述液体介质第一出口相对应，以对排出的液体介质进行回收。作为上述技术方案的进一步改进，所述的功率模块超声波检测装置还包括放置高度高于所述液体介质存储槽的液体介质上存储槽13，以及用以将液体介质下存储槽中的液体介质输送到液体介质上存储槽中的泵11和导管12，所述的液体介质上存储槽包括液体介质第二出口 18及液体介质第二出口阀门14，所述液体介质第二出口与液体介质存储槽的开口相对应，以对回收的液体介质进行再利用。以下根据图2、图3对本实用新型的使用方法进行详细地说明，首先将液体介质存储槽2底面朝上，然后将功率半导体器件第一底面朝下覆盖于孔21上，围绕转轴19旋转压杆16，通过压杆对所述第一底面施加压力，到达第一位置时，压杆16卡设于固定部15上，然后将液体介质存储槽2开口朝上，向液体介质存储槽2内注入超声波扫描液体介质，然后通过超声波探头I对半导体功率器件进行检测，检测完毕后将超声波扫描液体介质排出，再将固定于液体介质存储槽2底面的半导体功率器件取下，并清除所述第一底面上的残留介质。因此本实用新型提供的一种功率模块超声波检测装置，与现有技术相比，可避免功率模块的半导体芯片与超声波扫描液体介质接触，从而避免了后续的清洗工序，提高了生产效率。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种功率�？槌觳庾爸茫龅墓β誓？榘ɑ搴桶氲继逍酒龅幕寰哂杏靡猿性匕氲继逍酒某性孛嬉约坝胨龀性孛嫦喽缘牡谝坏酌妫凰龅募觳庾爸冒ň哂谐ㄉ杼酵返某ㄉ枳爸�、以及用以容纳超声波扫描液体介质的液体介质存储槽，其特征在于，所述的液体介质存储槽的底面开设有可被所述第一底面覆盖的孔，所述孔的周围设有在外部压力下可与所述第一底面密封连接的密封圈。
2.根据权利要求I所述的功率�？槌觳庾爸茫涮卣髟谟冢龅囊禾褰橹蚀娲⒉鄣牡酌嫔栌杏靡蕴峁┧鐾獠垦沽Φ难钩植�。
3.根据权利要求2所述的功率�？槌觳庾爸茫涮卣髟谟冢龅难钩植堪ㄗ�、与所述转轴可旋转连接并于第一位置使所述第一底面和密封圈相互挤压且密封连接的压杆、以及用以将所述压杆固定于所述第一位置的固定部，所述转轴和固定部分别设于所述孔的相对两侧的底面上。
4.根据权利要求3所述的功率�？槌觳庾爸茫涮卣髟谟冢龅难垢松匣股栌兴芙和蛊�。
5.根据权利要求I至4任一项所述的功率�？槌觳庾爸茫涮卣髟谟冢鲆禾褰橹蚀娲⒉刍拱ㄒ禾褰橹实谝怀隹诩耙禾褰橹实谝怀隹诜�。
6.根据权利要求5所述的功率�？槌觳庾爸茫涮卣髟谟冢拱ǚ胖酶叨鹊陀谒鲆禾褰橹蚀娲⒉鄣囊禾褰橹氏麓娲⒉郏鲆禾褰橹氏麓娲⒉鄣目谟胨鲆禾褰橹实谝怀隹谙喽杂�。
7.根据权利要求6所述的功率�？槌觳庾爸茫涮卣髟谟冢拱ǚ胖酶叨雀哂谒鲆禾褰橹蚀娲⒉鄣囊禾褰橹噬洗娲⒉郏约坝靡越禾褰橹氏麓娲⒉壑械囊禾褰橹适渌偷揭禾褰橹噬洗娲⒉壑械谋煤偷脊埽龅囊禾褰橹噬洗娲⒉郯ㄒ禾褰橹实诙隹诩耙禾褰橹实诙隹诜牛鲆禾褰橹实诙隹谟胍禾褰橹蚀娲⒉鄣目谙喽杂�。
专利摘要本实用新型提供一种功率�？槌觳庾爸茫龅墓β誓？榘ɑ搴桶氲继逍酒龅幕寰哂杏靡猿性匕氲继逍酒某性孛嬉约坝胨龀性孛嫦喽缘牡谝坏酌妫凰龅募觳庾爸冒ň哂谐ㄉ杼酵返某ㄉ枳爸谩⒁约坝靡匀菽沙ㄉ枰禾褰橹实囊禾褰橹蚀娲⒉郏龅囊禾褰橹蚀娲⒉鄣牡酌婵栌锌杀凰龅谝坏酌娓哺堑目祝隹椎闹芪栌性谕獠垦沽ο驴捎胨龅谝坏酌婷芊饬拥拿芊馊�。与现有技术相比，可避免检测时功率�？榈陌氲继逍酒氤ㄉ枰禾褰橹式哟ィ佣苊饬撕笮那逑垂ば颍岣吡松�。
文档编号G01N29/04GK202442995SQ20122002134
公开日2012年9月19日 申请日期2012年1月16日 优先权日2012年1月16日
发明者武艳霞 申请人:深圳市立德电控科技有限公司
专业数控铣床产品供应商
20年生产经验，实力工厂，精工品质，质量有保障
