专利名称：用于等离子体刻蚀结构的光学探测方法及计算机辅助系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于等离子体刻蚀结构的光学探测方法及计算机辅助系统。
背景技术：
目前，对于等离子体刻蚀的原位实时数据的获�。到绻惴菏褂玫氖且恢置� IEPdnterferometry End Point)，即光学干涉终点设定的技术，又称为光学干涉技术，其原理为利用一光束在薄膜上下界面的反射而形成的两束同源光束之间的相干现象，来测定薄膜厚度。由其原理可知，IEP被仅仅局限于透光薄膜的厚度的原位实时测量，而无法获取更多刻蚀结构的相关数据。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供一种用于等离子体刻蚀结构的光学探测方法，能够针对复杂的半导体结构(如周期排列的沟槽或者通孔阵列)的特点，原位实时地获取其关键尺寸和刻蚀深度等重要参数。为实现上述目的，本发明提供一种用于等离子体刻蚀结构的光学探测方法，包括下述步骤S1 将来自光源的入射光处理成平行偏振光，并通过加装在刻蚀机台上电极的保偏光纤传输，垂直入射到待测量结构上；S2 经由所述保偏光纤将所述待测量结构上的反射光引出，并采集所述反射光的光谱；S3 将所采集的光谱发送给计算机辅助系统进行处理，以获得与所述待测量结构有关的实际参数。根据本发明的一实施例，所述将来自光源的入射光经由光源偏振光路的处理步骤 Sl具体包括将来自光源的平行光经由偏振滤镜处理成为平行偏振光；所述平行偏振光通过所述保偏光纤传输后，通过物镜的聚焦垂直入射到所述待测量结构上。根据本发明的一实施例，在采集所述反射光的光谱时，还包括不断旋转所述保偏光纤来调整入射光的TE模偏振方向，使得所采集的反射光的光谱的特征Q因子最大，其中Q 因子为所述反射光的光谱的谐振中心频率与谐振频率带宽之比。根据本发明的一实施例， 当所述待测量结构为沟槽时，通过使所述入射光的TE模偏振方向垂直于沟槽的延伸方向， 来获得最大化的特征Q因子。根据本发明的另一实施例，当所述待测量结构为通孔阵列时， 通过使所述入射光的TE模偏振方向平行于所述通孔阵列的对称轴方向，来获得最大化的特征Q因子。根据本发明的一实施例，所述计算机辅助系统对所述采集的反射光进行处理的步骤包括接收所述反射光的光谱；基于一预设值应用时域有限差分方法对所述反射光的光谱进行分析拟合，得到与所述待测量结构有关的实际参数的中间结果，其中所述预设值包括所述待测量结构的设计参数和规格；基于所述预设值对所述中间结果进行筛�。懦缓侠淼闹担曰竦糜胨龃饬拷峁褂泄氐氖导什问�。根据本发明的一实施例，所述与待测量结构有关的实际参数包括关键尺寸、刻蚀深度以及刻蚀坡度中的任一种或任意几种。根据本发明的一实施例，所述刻蚀机台为反应式离子蚀刻机、等离子体蚀刻机、变压器耦合式蚀刻机、以及电容耦合式蚀刻机中的任一种。本发明还提供一种计算机辅助系统，用于对待测量结构进行光谱分析以获得所述待测量结构的实际参数，所述系统包括初始化模块，用于读取用于简化拟合过程并用于筛选结果的预设值，其中该预设值包括待测量结构的设计参数和规格；信号采集�？椋糜诮邮找环瓷涔獾墓馄仔藕牛环治瞿夂夏？椋糜诨谠谒龀跏蓟？橹械脑ど柚刀运鲂藕挪杉？樗邮盏降墓馄仔藕沤蟹治瞿夂希曰竦糜氪饬拷峁褂泄氐氖导什问闹屑浣峁龇治瞿夂系姆椒ú捎玫氖鞘庇蛴邢薏罘址椒ǎ恍Ｑ槟？椋糜诨谠谒龀跏蓟？橹械脑ど柚刀栽谒龇治瞿夂夏？橹兴竦玫闹屑浣峁猩秆。懦缓侠淼闹担竦糜胨龃饬拷峁沟挠泄氐氖导什问皇涑瞿？椋糜谑涑鏊鍪导什问�。本发明通过上述步骤的光学探测方法，较目前业界普遍使用的IEP而言，具有对于复杂结构的原位实时数据的获取的明显优势，其可同时获取刻蚀机结构的各种参数数据；所获取的各种数据，可以被广泛应用于机台流程控制以及实时制程控制系统中，从而获得更好的刻蚀效果。
图1为根据本发明实施例的用于等离子体刻蚀结构的光学探测方法的流程图；图2A为根据本发明实施例的入射光和反射光光路的结构示意图；图2B为根据本发明实施例的在刻蚀机台上加装保偏光纤的示意图；图3为根据本发明实施例的反应式离子蚀刻机RIE的结构示意图；图4为根据本发明实施例的感应耦合式等离子体刻蚀机ICP的结构示意图；图5为根据本发明实施例的变压器耦合式刻蚀机TCP的结构示意图；图6为根据本发明实施例的电容耦合式刻蚀机CCP的结构示意图；图7为根据本发明实施例的入射光偏振方向与沟槽的关系的示意图；图8为根据本发明实施例的入射光偏振方向与通孔阵列的关系的示意图；图9为根据本发明实施例的计算机辅助系统的结构框图.上述附图中的附图标记说明如下21 光纤光源；22 偏振滤镜；23 遮光光圈；24 中继光路；25 分光镜； 26 物镜；27 待测量结构；28 伯特兰物镜；29 接收器；31 上电极；32 下电极； 41 石英管；42 天线；43 线圈；44 晶圆；45 永磁体；51 陶瓷盖；52 腔体；53 变压器线圈；61 上电极；62 下电极；101 上电极；102 等离子体；103 保偏光纤； 105 待测量结构；104 下电极；106 光路。
具体实施例方式将参照附图对本技术的优选实施例进行阐释。本发明通过应用改进的光学探测方案，对于半导体制造干法刻蚀过程中的复杂结构(如周期排列沟槽或者通孔阵列结构)通过保偏光纤引入入射光并通过对反射光谱进行原位实时的采集；而后通过计算机辅助系统对其进行分析拟合，从而得到其关键尺寸和刻蚀深度和坡度等重要数据，用以指导刻蚀过程，以获得最佳的刻蚀结果。因此，根据本发明的一个实施例，如图1所示，本发明的用于等离子体刻蚀结构的光学探测方法包括下述步骤第一步骤Si，将来自光源的入射光处理成为平行偏振光，并通过加装在刻蚀机台上电极的保偏光纤进行传输，垂直入射到待测量结构上。上述第一步骤涉及两个技术要点，首先，需将来自光源的入射光经由特殊的光路进行处理成为平行偏振光，特殊光路的示意图参见图2A，来自光纤光源21的平行光经过偏振滤镜22成为平行偏振光，然后将处理之后的平行偏振光经过遮光光圈23、中继光路M、 以及分光镜25等光路传输之后，经由加装在刻蚀机台上的保偏光纤103传输给待测量结构，由于保偏光纤一般较粗(为几个微米级别)，而待测量结构(如晶圆)，其尺寸一般在1 微米左右或在纳米级别内，因此，保偏光纤传输的入射光还需物镜镜头沈进行聚焦，以使入射光垂直入射到待测量结构上。其次，这里所述的保偏光纤可被加装在刻蚀机台的上电极上的任意位置，只要能够使从光路出来的入射平行偏振光垂直投射到晶圆上且以不影响等离子体生成和传输为宜，如图2B所示。保偏光纤的加装保证了入射的平行偏振光的线偏振方向不变，提高相干信噪比，以实现对物理量的高精度测量。例如，如图3-图6所示，所述刻蚀机台可以为反应式离子蚀刻机RIE、感应耦合式等离子体刻蚀机ICP、变压器耦合式刻蚀机TCP、电容耦合式刻蚀机CCP等。第二步骤S2，经由所述保偏光纤将所述待测量结构上的反射光引出，并采集所述反射光，获得所述反射光的光谱信号。入射到待测量结构上的平行偏振光被待测量结构反射出，这里所述的待测量结构例如为晶圆表面上的复杂结构图案，例如，晶圆表面上的周期排列的沟槽结构或者通孔阵列等。反射出的反射光一般为点光源，参考图2A的光路，反射光经由物镜沈成为平行光，再经由所述保偏光纤引出，从分光镜透射出之后，通过接收器四采集所述的反射光，以获得反射光谱，这里图2的光路中，还设置有伯兰特物镜28，由于反射光经过传输之后光强微弱，因此设置伯兰特物镜观用于将反射光聚焦以保证接收器四接收到的反射光足够强。 所述接收器四可为已知的光谱仪、分光计、或分光光度计。由于制造商的不同，接收器具有各种不同体积、不同精度以及不同量测范围的型号，因此，所述接收器可以独立刻蚀机台之夕卜，也可集成于刻蚀机台之上。在通过接收器采集反射光时，观察接收器中的反射光谱，来调整入射光的偏振方向。这里所述的反射光谱为经由例如上述光谱仪、分光计、或分光光度计采集后生成的数字信号，该数字信号会显示在例如光谱仪的显示屏上。调整入射光的方式为例如不断地旋转光纤以调整入射平行偏振光束的偏振方向，使得所述入射的平行偏振光的TE模与待测量结构处于正交状态。该正交状态反映在反射光谱上，为反射光谱的吸收峰最窄的状态(主要观察发生谐振现象的波长处，即反射光谱上随光纤旋转而有明显变化的吸收峰)，在该状态下，待测量结构的反射光谱的特征Q因子最大，这里所述的Q因子为光电子学基本概念， 被定义为光谱的谐振中心频率与谐振频率带宽之比，Q值越大，则谐振谱线的峰或谷越窄越尖锐。一般而言，Q因子与待测量结构的结构本身有关，例如，当待测量结构为周期排列的沟槽结构时，需使得入射偏振光的TE模方向与沟槽的方向相垂直，当待测量结构为通孔阵列时，需使得入射偏振光的TE模方向平行于通孔阵列的对称轴。图7和图8为入射光偏振方向与待测量结构的关系的示意图，如图7所示，偏振方向水平轴P为TE模，偏振方向垂直轴S为TM模，在待测量结构为沟槽时，应使TE模垂直于沟槽方向，即P垂直于沟槽的延伸方向，在待测量结构为通孔阵列时，P平行于通孔阵列的对称轴，这里需要说明的是，由于通孔的阵列不同，会存在不同方向的对称轴，依据结构需求，来选择合适的对称轴方向。这种由于待测量结构的不同而对入射偏振光的偏振方向的不同需求，会在如上所述的光谱的谐振谱线上体现出来。换言之，当入射偏振光的偏振方向与待测量结构的相适配时，会使光谱的谐振谱线的峰或谷越窄，即特征Q因子最大。第三步骤S3，将所述获得的反射光谱信号发送给计算机辅助系统进行处理，以获得与所述待测量结构有关的实际参数。在该第三步骤中，通过计算机辅助系统来对反射光谱信号进行处理，来获得与待测量结构有关的实际参数。如图9所示，这里的计算机辅助系统包括初始化模块、信号采集�？�、分析拟合�？�、校验�？椤⒁约笆涑瞿？椤３跏蓟？�811，用于读取用于简化拟合过程并用于筛选结果的预设值，其中该预设值包括待测量结构的设计参数和规格，例如刻蚀深度和坡度等。根据本发明的一个实施例，该预设值可预存在计算机中，也可在使用时根据需要通过输入装置实时输入，例如通过键盘手动输入所需的预设值。信号采集�？�812，用于接收来自接收器的反射光的光谱信号。分析拟合�？�813，用于基于在初始化�？橹械脑ど柚刀孕藕挪杉？樗邮盏降墓馄仔藕沤蟹治瞿夂希曰竦糜氪饬拷峁褂泄氐氖导什问闹屑浣峁饫锓治瞿夂系姆椒ú捎玫氖鞘庇蛴邢薏罘址椒�(FDTD)。其中在进行分析拟合时，可基于预存在计算机中的预设值进行拟合，如果拟合过程中难以收敛，则可选择手动输入其它的预设值，以获得收敛解，从而获得正确的待测量结构的实际参数。校验�？�814，用于基于在初始化模块中的预设值对在分析拟合�？橹兴竦弥屑浣峁猩秆。懦缓侠淼闹担竦糜氪饬拷峁褂泄氐氖导什问募扑憬峁绲玫剿饬拷峁沟奶卣鞒叽�(如关键尺寸)、刻蚀深度和坡度等数据。输出�？�815，用于输出所述计算结果。本发明通过上述步骤的用于干法刻蚀的复杂结构的光学探测方案，较目前业界普遍使用的IEPanterferometry End Point，光学干涉探测技术)而言，具有对于复杂结构的原位实时数据的进行无损获取的明显优势；所获取的各种数据，可以被广泛应用于机台流程控制以及实时制程控制系统中，从而获得更好的刻蚀效果。虽然已参照几个典型实施例描述了本发明，但应当理解，所用的术语是说明和示例性、而非限制性的术语。由于本发明能够以多种形式具体实施而不脱离发明的精神或实质，所以应当理解，上述实施例不限于任何前述的细节，而应在随附权利要求所限定的精神和范围内广泛地解释，因此落入权利要求或其等效范围内的全部变化和改型都应为随附权利要求所涵盖。
权利要求
1.一种用于等离子体刻蚀结构的光学探测方法，其特征在于，包括下述步骤Sl 将来自光源的入射光处理成平行偏振光，并通过加装在刻蚀机台上电极的保偏光纤传输，垂直入射到待测量结构上；S2:经由所述保偏光纤将所述待测量结构上的反射光引出，并采集所述反射光的光谱；S3 将所采集的光谱发送给计算机辅助系统进行处理，以获得与所述待测量结构有关的实际参数。
2.根据权利要求1所述的光学探测方法，其特征在于，所述步骤Sl具体包括将来自光源的平行光经由偏振滤镜处理成为平行偏振光；所述平行偏振光通过所述保偏光纤传输后，通过物镜的聚焦垂直入射到所述待测量结构上。
3.根据权利要求1所述的光学探测方法，其特征在于，在采集所述反射光的光谱时，还包括不断旋转所述保偏光纤来调整入射光的TE模偏振方向，使得所采集的反射光的光谱的特征Q因子最大，其中Q因子为所述反射光的光谱的谐振中心频率与谐振频率带宽之比。
4.根据权利要求3所述的光学探测方法，其特征在于，当所述待测量结构为沟槽时，通过使所述入射光的TE模偏振方向垂直于沟槽的延伸方向，来获得最大化的特征Q因子。
5.根据权利要求3所述的光学探测方法，其特征在于，当所述待测量结构为通孔阵列时，通过使所述入射光的TE模偏振方向的平行于所述通孔阵列的对称轴方向，来获得最大化的特征Q因子。
6.根据权利要求1-5任一项所述的光学探测方法，其特征在于，所述计算机辅助系统对所述采集的反射光进行处理的步骤包括接收所述反射光的光谱；基于一预设值应用时域有限差分方法对所述反射光的光谱进行分析拟合，得到与所述待测量结构有关的实际参数的中间结果，其中所述预设值包括所述待测量结构的设计参数和规格；基于所述预设值对所述中间结果进行筛�。懦缓侠淼闹担曰竦糜胨龃饬拷峁褂泄氐氖导什问�
7.根据权利要求1-6任一项所述的光学探测方法，其特征在于，所述与待测量结构有关的实际参数包括关键尺寸、刻蚀深度以及刻蚀坡度中的任一种或任意几种。
8.根据权利要求1-6任一项所述的光学探测方法，其特征在于，所述刻蚀机台为反应式离子蚀刻机、等离子体蚀刻机、变压器耦合式蚀刻机、以及电容耦合式蚀刻机中的任一种。
9.一种计算机辅助系统，用于对待测量结构进行光谱分析以获得所述待测量结构的实际参数，其特征在于，所述系统包括初始化�？椋糜诙寥∮糜诩蚧夂瞎滩⒂糜谏秆〗峁脑ど柚担渲懈迷ど柚蛋ù饬拷峁沟纳杓撇问凸娓瘢恍藕挪杉？椋糜诮邮找环瓷涔獾墓馄仔藕拧７治瞿夂夏？椋糜诨谠谒龀跏蓟？橹械脑ど柚刀运鲂藕挪杉？樗邮盏降墓馄仔藕沤蟹治瞿夂希曰竦糜氪饬拷峁褂泄氐氖导什问闹屑浣峁龇治瞿夂系姆椒ú捎玫氖鞘庇蛴邢薏罘址椒ǎ恍Ｑ槟？椋糜诨谠谒龀跏蓟？橹械脑ど柚刀栽谒龇治瞿夂夏？橹兴竦玫闹屑浣峁猩秆。懦缓侠淼闹担竦糜胨龃饬拷峁沟挠泄氐氖导什问� 输出模块，用于输出所述实际参数。
10.根据权利要求9所述的计算机辅助系统，其特征在于，所述与待测量结构有关的实际参数包括关键尺寸、刻蚀深度以及刻蚀坡度中的任一种或任意几种。
全文摘要
本发明涉及一种用于等离子体刻蚀结构的光学探测方法及计算机辅助系统。所述光学探测方法包括步骤S1将来自光源的入射光处理成平行偏振光，并通过加装在刻蚀机台上电极的保偏光纤传输，垂直入射到待测量结构上；S2经由所述保偏光纤将所述待测量结构上的反射光引出，并采集所述反射光的光谱；S3将所述采集的光谱发送给计算机辅助系统进行处理，以获得与所述待测量结构有关的实际参数。本发明能够获取更多刻蚀结构的相关数据。
文档编号G01B11/22GK102519364SQ201110391728
公开日2012年6月27日 申请日期2011年11月30日 优先权日2011年11月30日
发明者张瑜, 李程, 杨渝书 申请人:上海华力微电子有限公司
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