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专利名称：校准标记及制造方法
技术领域：
本发明涉及一种校准标记与制造方法，且特别涉及一种在半导体元件的校准标记与制造方法。
背景技术：
在制造半导体元件，或是组装及制造显示器组件时，一般都必须在可容忍误差范围内配置各种不同的元件，其中校准标记(Alignment Mark)则是用来在集成电路 (Integrated Circuit, IC)粘贴或是固定到显示器组件的玻璃面板时，用以将集成电路元件定位到正确位置所使用的对准标记。请参照图1A，图IA为现有校准标记的俯视图。而图IB是校准标记在集成电路元件140上相对位置的示意图，例如包括校准标记Tl与T2，位于集成电路元件140两侧的位置。校准标记100包括一个标记主体130与其周边区域120。标记主体130为十字形，两侧可用以作为定位坐标轴，包括X轴与Y轴的方向。如图IB所示，集成电路(IC)元件140制造完成后，在两侧具有校准标记Tl与T2。集成电路元件140将会被配置在显示器组件的玻璃面板表面，而与玻璃面板内连线antercormection)或是形成与表面的线路构成电性连接，其中，为了精确地将集成电路元件140放置在玻璃面板对应且正确的位置，则在两侧的校准标记Tl与T2将是用以位置校准的依据。对准的方式通常利用光学对准的方法，以一入射光照射在集成电路(IC)元件140 上，进而读取校准标记Tl与T2的位置，包括对准标记主体130，用以作为位置调校与对准的依据。请参照图1C，图IC为一接合装置(Bonding Device)，用以将集成电路元件140配置接合在玻璃面板上的示意图。此接合装置包括一接合底座150，而显示器组件的玻璃面板160则是放置在接合底座150的表面，以及接合头(Bonding Head) 152则是位于接合底座150上方，可由机器或人工方式移动。当集成电路元件140欲配置在玻璃面板160的表面时，则可直接贴附其上，而贴附的方式可以利用异方性导电膜(Anisotropic Conductive Film，ACF) 156以及热电耦 (Thermo Couple) 154进行电性连接。为了将集成电路元件140配置在玻璃面板160正确的位置，通常需要经过校准的程序，而其校准的方式，就是利用集成电路元件140的校准标记。当入射光照射在集成电路元件140上时，校准标记的标记主体130可以有效地反射入射光，而其周边区域120反射的效果将比标记主体130的表面还差，因此，通过两区域之间对入射光所产生的对比，可以有效地取得标记主体130的位置与形状，而可据以进行位置对准与调校。然而，由于制程上均勻性的问题，造成校准标记的背景区域(也就是周边区域)有颜色差异太大问题，进而影响对准的辨识成功率。图2A与2B为面板厂实作时，校准标记的背景区域颜色差异太大情况的示意图。如图2A及2B所示，校准标记因为在生产时，由于制程上均勻性不易控制，局部区域材料无法做到厚度完全一致，因此，不同集成电路(IC)元件的校准标记，其背景区域产生不同的颜色上差异情况，在面板厂进行对准接合的时候，将造成无法定位校准标记的问题。对于此问题，美国专利第7821638号提出一种校准标记。在此专利中，图3A是美国专利第7821638号专利提出的一种校准标记的俯视图，如图3A所示，提出一种校准标记 300，包含一第一样式(Pattern) 320及其周边的第二样式302所组成。此第二样式302是由多个精细样式(Fine Pattern) 330所组成。第一样式320放置在较高的平面，因此与入射光垂直的第一样式320能反射入射光，用以校准标记之主体，可作为制造硅片时，利用光学量测取得顶点位置坐标的参考物。多个精细样式330沿着直角坐标系统χ轴与y轴方向依预先测量而得之节距长度(Pitch)依序置放在基底上，其中，这些精细样式330能对垂直的入射光以不规则的方向散射入射光。图;3B是美国专利第7821638号专利提出的另一种校准标记的俯视图。此校准标记300A为上述校准标记300的反向版本。图3C是美国专利第7821638号的校准记号的样式结构图，也即其校准标记剖面意图。校准标记300包含多种校准层304、306及308。一第一校准层304、一第二校准层306、一第三校准层308可依序以材料垂直的方向堆迭在基体 302上，其中，平行光入射至一第一样式320时，大部分的入射光都能反射，如反射光Ll所示。相反地，因为入射光入射至精细样式330之间隔时，产生不规则反射光L2。因此，从反射光信号检测校准标记时，能观察到反射光Ll与不规则反射光L2之间的对比，通过对比差异，用以方便校准的辨识。然而，由于不规则反射光L2的方向不规则，因此也会存在传统背景颜色差异太大的问题。另外，制程上也相对地复杂而增加成本。而上述的相关技术，若是运用在制造显示器元件，都需要进行一个玻璃覆晶基板 (Chip-On-Glass,COG)制程，用以移除校准标记上主体金属层的抗反射层。上述制程步骤， 除了增加额外制程的时间以及成本外，由于该制程在保护层(Passivation Layer)均勻性不佳时，会造成背景颜色上的差异，进而影响对准的辨识成功率。

发明内容
有鉴于此，本发明提供一种校准标记及其制造方法，能够增强背景与校准标记主体的对比，有效提升液晶显示器驱动IC与面板压合的对准辨识成功率。在一实施例中，提出一种校准标记，包括一背景样式，位于一第一介电层内，其中所述背景样式由金属铜层所组成，并且所述背景样式的表面覆盖一第二介电层；以及一标记主体样式，配置于所述第二介电层上，并位于所述背景样式涵盖区域的上方，其中，所述校准标记主体的材质为金属铝或铝铜合金所组成。在另一实施例中，提出一种校准标记，包括一标记主体样式，由金属铜层所组成且位于一第一介电层，并且所述标记主体样式的表面覆盖一第二介电层；以及一背景样式， 配置于所述第二介电层上，且位于所述标记主体样式的上方，其中所述背景样式为金属铝或铝铜合金所组成。在另一实施例中，提出一种校准标记制造方法，包括提供一基底，用以形成校准标记结构；在所述基底上形成一金属铜层以及环绕其四周的一第一介电层，并且所述金属铜层构成一背景样式；在所述第一介电层与该金属铜层上方形成一第二介电层；以及在所述第二介电层上方配置一标记主体样式，所述标记主体样式位于所述背景样式所涵盖区域的上方，其中，所述校准标记主体样式为金属铝或铝铜合金所组成。
在另一实施例中，提出一种校准标记制造方法，包括提供一基底，用以形成校准标记结构；在所述基底上形成一金属铜层以及环绕其四周的一第一介电层，并且所述金属铜层构成一标记主体样式；在所述第一介电层与所述金属铜层上方形成一第二介电层；以及在所述第二介电层上方配置一背景样式，所述背景样式位于所述标记主体样式的上方， 其中，所述背景样式为金属铝或铝铜合金所组成。基于本发明所提供的技术方案，在一个实施例中，若将整片金属铜层或方阵排列金属铜层运用在校准标记的背景，可固定背景的颜色，而不须考虑制程上均勻性的问题，并增强与校准标记主体样式的对比，在另一实施例中，也可将整片金属铜层或方阵排列金属铜层运用在校准标记的主体样式，若将本发明的技术方案运用在液晶显示器组件制造，则能够提升液晶显示器驱动集成电路(IC)与面板贴合的对准辨识成功率。


图IA为现有校准标记的俯视图。图IB是校准标记在集成电路元件140上相对位置的示意图。图IC为一接合装置，用以将集成电路元件140配置接合在玻璃面板上的示意图。图2A与2B为面板厂实作时，校准标记的背景区域颜色差异太大情况的示意图。图3A与;3B是美国专利第7821638号的校准标记的俯视图。图3C是是美国专利第7821638号的校准记号的剖面示意图。图4为现有集成电路上的校准标记结构的剖面示意图。图5A为本发明一实施例运用整片金属铜为校准标记背景，铝铜合金为标记主体样式的校准标记结构的俯视图。图5B为本发明一实施例运用整片金属铜为校准标记背景，铝铜合金为标记主体样式的校准标记结构剖面与光线入射/反射示意图。图6A为本发明另一实施例运用铝铜合金为校准标记背景，金属铜为标记主体样式的校准标记结构的俯视图。图6B为本发明另一实施例运用铝铜合金为校准标记背景，金属铜为标记主体样式的校准标记结构剖面与光线入射/反射示意图。图7为本发明一实施例中，运用整片金属铜为校准标记背景的校准标记制造方法流程图。图8A为本发明一实施例运用方阵排列金属铜为校准标记背景，铝铜合金为标记主体样式的校准标记结构的俯视图。图8B为本发明一实施例运用方阵排列金属铜为校准标记背景，铝铜合金为标记主体样式的校准标记结构剖面与光线入射/反射示意图。主要元件符号说明100:校准标记120 校准标记背景130 校准标记主体140:集成电路元件300、300A 校准标记
302、320、302A、;340 样式330 精细样式304、306 及 308:校准层310 保护层410、412:介电层414:铝铜层416 压力释放介电层(SRO)418 氮化硅(Si3N4)500、600、800 校准标记510,610,810 校准标记主体520、620、820 校准标记背景602、604、802、804 介电层⑶6、8O6 压力释放介电层(SRO)
具体实施例方式为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例，对本发明所述方案作进一步地详细说明。本发明提供一种将整片金属铜或方阵排列金属铜层运用在校准标记中的方法，并可适用于现有的铜制程。在一实施例中，若将整片金属铜层或方阵排列金属铜层运用在校准标记的背景， 可固定背景的颜色，而不须考虑制程上均勻性的问题，并增强与校准标记主体样式的对比。 若运用在液晶显示器组件制造，则具有提升液晶显示器驱动集成电路(IC)与面板贴合的对准辨识成功率。在另一实施例中，也可将整片金属铜层或方阵排列金属铜层运用在校准标记的主体样式。本发明在一实施例中，提出一种集成电路，其包括一种包括整片金属铜或方阵排列金属铜层作为校准标记的结构。在一实施例中，是采用整片金属铜或方阵排列金属铜层作为校准标记的背景区域，在另一实施例中，是运用整片金属铜运用或方阵排列金属铜层作为校准标记的主体。请参照图4，图4为现有集成电路上的校准标记结构的剖面示意图。如图4所示， 对于校准标记结构，一般包括基底层，例如介电层410，其上形成介电层412与校准标记的标记主体样式(Pattern)414。而后，其上形成压力释放介电层(Stress Relief Oxide, SR0)416 与氮化硅(Si3N4)层 418。上述的校准标记结构，可使用高密度电浆(High Density Plasma)进行制程，对硅片进行蚀刻程序，接着使用化学机械抛光方法(Chemical Mechanical Polishing，CMP)，将硅片上的金属氧化物磨平，磨平后的金属氧化物作为介电层410，在介电层410上形成铝铜 (AlCu)层，形成的铝铜(AlCu)层作为后续形成的标记主体样式414，并接着完成标记主体样式414，如同液晶显示器中将逻辑电路直接制作于介电层410上的方法一般。在标记主体样式414外围形成介电层412。在校准标记主体414与介电层412之上覆盖一层压力释放介电层(Stress 1^1丨6 ^丨(^，31 0)416，在压力释放介电层416上覆盖一层氮化硅(Si3N4)层418。压力释放介电层416与氮化硅层418用以作为校准标记的保护层(Passivation layer)0上述的制程中，由于氮化硅(Si3N4)层418在制造过程厚度并无法均勻，因此在不同的厚度下会产生不同颜色的色散现象。上述的变化，根据一般的量测，从380埃 (Angstrom, A) >530 埃(A)、750 埃(A)、900 埃(A)、1130 埃(A)、1280 埃(A)到 1500 埃(A), 所呈现的颜色变化从黄褐色、褐色、深紫到紫红色、略带红色的深蓝色、淡蓝到金属蓝色、金属色到浅淡黄绿色。而例如从2330埃(人)、2930埃(人)、3530埃(人)、3680埃(人)、3900埃 (A), 4500埃(A)、6000埃(Λο、8900埃到10600埃(人)，所呈现的颜色变化从蓝色、黄
色、紫色、蓝色、绿色、粉红色、橘色、蓝色到紫色。上述的详细资料，可参照附表1热生长氮化硅(Si3N4)膜颜色表。从以上的实验数据可以了解，对不同厚度所呈现的颜色，是以循环方式呈现，且无法精确地掌握其呈现的颜色，也即不同颜色将造成不同对比颜色的差异，这将造成以光学方式量测对准的困难。在上述从小范围到大范围的Si3N4膜厚度变化，有这么多的色偏情况，集成电路元件会呈现很多种不同的颜色，严重影响集成电路元件的辨识或对准作业，而呈现对准失败废片退货的情况。有鉴于此，本发明提供一种可适用于现有铜制程的校准标记结构制程，可加强校准标记的颜色对比，并且可以改善保护层在制程上不一致时，所产生光学对准的色偏情况， 并且能改善光学量测对准的准确率。在多个实施例其中之一，可在将整片金属铜或方阵排列金属铜层运用在校准标记的结构中，不论是作为标记主体样式，或是标记主体样式的背景。在其中一个实施例，可将整片金属铜运用在校准标记的背景，可固定背景的颜色，可以避免制程上均勻性的问题，并增强与标记主体样式的对比。若运用在液晶显示器，则具有提升液晶显示器驱动集成电路 (IC)与面板压合的对准辨识成功率。图5Α为本发明一实施例运用整片金属铜为校准标记背景，铝铜合金为标记主体样式的校准标记结构的俯视图。请参照图5Α，在本实施例所提出的校准标记结构500，包括标记主体样式510以及背景样式520。标记主体样式510，在一实施例中，可以根据设计上的需求而采用不同的造型样式，以方便对准程序的进行，例如以十字外型的样式呈现，但并非以此结构为限。此标记主体样式510的材质为铝铜合金(AlCu)材料，而呈现的颜色一般而言为银白色。而背景样式520部分，则是铺设整片式的金属铜层。此整片式的金属铜层所呈现的颜色为深红色，以作为本实施例的背景。从上述实施例中可以了解，呈现银白色的校准标记主体510，以及背景为整片式金属铜层的背景样式520所呈现的深红色，将呈现高对比的颜色差异，以突显出主体的形状，并提高位置对准的准确性。图5Β为本发明一实施例运用整片金属铜为校准标记背景，铝铜合金为标记主体样式的校准标记结构剖面与光线入射/反射示意图。请参照图5Β，在基底上包括一第一介电层502，而其内包括一背景样式520。此背景样式520可以由一整片式金属铜层所组成的， 以作为校准标记的背景层。此整片式金属铜层所组成的背景样式520形成方法，可配合半导体上的铜制程步骤。在一实施例中，可以在第一介电层502挖出一凹槽区域，并且经由铜晶种(Copper Metal Seed)植入后经电镀与化学机械研磨(CMP)等制程形成此整片金属铜层的背景样式520。而后，在第一介电层502上形成一第二介电层504，并覆盖或包覆上述的背景样式 520。而后在第二介电层504上方形成作为校准标记结构主体的标记主体样式510。并接着在标记主体样式510上方形成保护层，用以包覆并保护此标记主体样式510。例如，在一实施例中，在第二介电层504上方形成第三介电层506，其中此第三介电层506在一实施例中可以是压力释放介电层(Stress Relief Oxide, SR0)o在第三介电层506上覆盖一层氮化硅(Si3N4)层508。第三介电层506与氮化硅(Si3N4)层508可用以作为校准标记的保护层 (Passivation layer)0在此实施例中，上述校准标记结构500的背景样式520，是采用整片式的金属铜层。对于背景样式520，在一实施例中，可采用同一层次或是不同层次的小面积金属铜(Cu) 以矩形方式排列而呈现，其目的在于可配合现有的铜制程。而标记主体样式510是采用铝铜合金(AlCu)材料。如上所述，铝铜合金(AlCu)材料呈现的颜色为银白色，而作为背景的是铺设整片式或方阵排列的金属铜层，呈现的颜色为为深红色，将呈现高对比的颜色差异， 用以突显出主体的形状，进而提高位置对准的准确性。例如，入射光线在标记主体样式510 有比较充分的反射效果，如标号501所示，但入射光线若是落在背景样式520上，则反射的强度比不上入射到标记主体样式510的效果，如标号503所示。在此实施例中，如图所示，标记主体样式510的形状可以根据设计上的需要而为不同的造型，在一实施例中，可以是十字形状，用以定义包括X轴与Y轴方向的坐标轴，而其上下左右延伸的区域也可增加对比的信息。但并非以此形状为限，只要任何可用以作为校准标记的形状皆可适用于本实施例，例如T字型、I字型或其他形状皆可。标记主体样式 510也可采用金属铝材料。图6A为本发明另一实施例运用铝铜合金为校准标记背景，金属铜为标记主体样式的校准标记结构的俯视图。在本实施例所提出的校准标记结构600，包括标记主体样式 610以及背景区域620。标记主体样式610，在一实施例中，可以根据设计上的需求而采用不同的造型样式，以方便对准程序的进行，例如以十字外型的样式呈现，但并非以此结构为限。此标记主体样式610的材质为铺设整片式的金属铜层或方阵排列金属铜层，此整片式的金属铜层或方阵排列金属铜层所呈现的颜色为深红色，以作为本实施例的标记主体样式。而背景区域620部分，则是铝铜合金(AlCu)材料，而呈现的颜色一般而言为银白色。 从上述实施例中可以了解，呈现深红色的校准标记主体610，以及呈现银白色的背景区域 620，将呈现高对比的颜色差异，以突显出主体的形状，并提高位置对准的准确性。背景区域 620也可采用金属铝材料。图6B为本发明另一实施例运用铝铜合金为校准标记背景，金属铜为标记主体样式的校准标记结构剖面与光线入射/反射示意图。在此依照图6B说明校准标记结构与其制造的流程。首先，基底上包括一第一介电层602，而其内包括一标记主体样式610。此标记主体样式610可以由一整片式金属铜层或方阵排列金属铜层所组成的，以作为校准标记的主体。此整片式金属铜层或方阵排列金属铜层所组成的标记主体样式610形成方法，可配合半导体上的铜制程步骤。在一实施例中，可以在第一介电层602挖出一凹槽区域，并且经由铜晶种(Copper Metal Seed)植入后形成此整片金属铜层或方阵排列金属铜层的标记主体样式610。而后，在第一介电层602上形成一第二介电层604，并覆盖或包覆上述的标记主体样式610。而后，在第二介电层604上方形成作为校准标记结构的背景样式620。此背景样式620具有孔洞622，位于所述标记主体样式610的上方，并对应此标记主体样式610的形状。并接着在背景样式620上方形成保护层，以包覆并保护此背景样式620。例如，在一实施例中，在第二介电层604上方形成第三介电层606，其中此第三介电层606在一实施例中可以是压力释放介电层(Stress Relief Oxide, SR0)o在第三介电层606上覆盖一层氮化硅(Si3N4)层608。第三介电层606与氮化硅(Si3N4)层608可用以作为校准标记的保 tPM (Passivation layer)。在此实施例中，上述校准标记结构600的标记主体样式610，是采用整片式的金属铜层或方阵排列金属铜层。对于标记主体样式610，在一实施例中，可采用同一层次或是不同层次的小面积金属铜(Cu)以矩形方式排列而呈现，其目的在于可配合现有的铜制程。而背景样式620是采用铝铜合金(AlCu)材料。如上所述，铝铜合金(AlCu)材料呈现的颜色为银白色，而作为标记主体样式是铺设整片式或方阵排列的金属铜层，呈现的颜色为深红色， 将呈现高对比的颜色差异，用以突显出主体的形状，进而提高位置对准的准确性。例如，入射光线在标记主体样式610得到的反射效果，如标号601所示，其反射的强度比不上入射到背景样式620的效果，如标号603所示。在此实施例中，如图所示，标记主体样式610的形状可以根据设计上的需要而为不同的造型，在一实施例中，可以是十字形状，用以定义包括X轴与Y轴方向的坐标轴，而其上下左右延伸的区域也可增加对比的信息。但并非以此形状为限，只要任何可用以作为校准标记的形状皆可适用于本实施例。背景样式620也可采用金属铝材料。上述运用整片式的金属铜层或方阵排列金属铜层作为校准标记结构的背景样式， 其制程流程示意图，则如图7所示。首先，在步骤S710，提供一基底，用以形成此校准标记结构。步骤S720，在基底上形成整片金属铜层以及环绕其四周的第一介电层，或在基底上形成方阵排列金属铜层以及环绕其四周的第一介电层。在一实施例中，为达到表面的均勻，已维持固定的反射率，此包括整片金属铜层或方阵排列金属铜层的第一介电层，可进行一磨平的制程，以平坦化此表面，以利后续校准标记结构的形成。步骤S730中，在上述第一介电层与金属铜层上方形成第二介电层，此第二介电层用以覆盖背景层。而后，如步骤S740，在上述第二介电层上方配置十字型铝铜合金层，作为校准标记主体。在此实施例中，校准标记主体的形状为十字形状，可用以定义坐标轴，包括X 轴与Y轴的方向。上下左右延伸的区域也可增加对比的信息。但并非以此形状为限，只要任何可用以作为校准标记的形状皆可适用于本发明，例如T字型、I字型或其他形状皆可。而后步骤S750，在上述第二介电层与十字型铝铜合金层上方依序形成第三介电层与其上方的氮化硅层，以作为校准标记的保护层(Passivation Layer)。此第三介电层例如是压力释放介电层(Stress Relief Oxide，SRO)。图8A为本发明一实施例运用方阵排列金属铜为校准标记背景，铝铜合金为标记主体样式的校准标记结构的俯视图。图8B为本发明一实施例运用方阵排列金属铜为校准标记背景，铝铜合金为标记主体样式的校准标记结构剖面与光线入射/反射示意图。
10
请参照图8A，在本实施例所提出的校准标记结构800，包括标记主体样式810以及背景区域820。标记主体样式810，在一实施例中，可以根据设计上的需求而采用不同的造型样式，以方便对准程序的进行，例如以十字外型的样式呈现，但并非以此结构为限。此标记主体样式810的材质为铝铜合金(AlCu)材料，而呈现的颜色一般而言为银白色。标记主体样式810也可采用金属铝材料。而背景区域820部分，则是铺设方阵排列金属铜层。此方阵排列金属铜层所呈现的颜色为深红色，以作为本实施例的背景。从上述实施例中可以了解，呈现银白色的校准标记主体810，以及背景为方阵排列金属铜层的背景区域820所呈现的深红色，将呈现高对比的颜色差异，以突显出主体的形状，并提高位置对准的准确性。请参照图8B，在基底上包括一第一介电层802，而其内包括一背景样式820。此背景样式820可以由方阵排列金属铜层所组成的，以作为校准标记的背景层。每个方阵排列金属铜层之间的间隔距离可根据需要而设计。此方阵排列金属铜层所组成的背景样式820 形成方法，可配合半导体上的铜制程步骤。在一实施例中，可以在第一介电层802挖出一凹槽区域，并且经由铜晶种(Copper Metal Seed)植入后形成此方阵排列金属铜层的背景样式 820。而后，在第一介电层802上形成一第二介电层804，并覆盖或包覆上述的背景样式 820。而后在第二介电层804上方形成作为校准标记结构主体的标记主体样式810。并接着在标记主体样式810上方形成保护层，以包覆并保护此标记主体样式810。例如，在一实施例中，在第二介电层804上方形成第三介电层806，其中此第三介电层806在一实施例中可以是压力释放介电层(Stress Relief Oxide, SR0)o在第三介电层806上覆盖一层氮化硅(Si3N4)层508。第三介电层806与氮化硅(Si3N4)层808可用以作为校准标记的保护层 (Passivation layer)0在此实施例中，上述校准标记结构800的背景样式820，是采用方阵排列金属铜层。对于背景样式820，在一实施例中，可采用同一层次或是不同层次的小面积金属铜(Cu) 以矩形方式排列而呈现，其目的在于可配合现有的铜制程。而标记主体样式810是采用铝铜合金(AlCu)材料。标记主体样式810也可采用金属铝材料。如上所述，铝铜合金(AlCu) 材料呈现的颜色为银白色，而作为背景的是铺设整片式或方阵排列的金属铜层，呈现的颜色为为深红色，将呈现高对比的颜色差异，以突显出主体的形状，并提高位置对准的准确性。例如，入射光线在标记主体样式810有比较充分的反射效果，如标号801所示，但入射光线若是落在背景样式820上，则反射的强度比不上入射到标记主体样式810的效果，如标号803所示。基于本发明所提供的技术方案，在一个实施例中，若将整片金属铜层或方阵排列金属铜层运用在校准标记的背景，可固定背景的颜色，而不须考虑制程上均勻性的问题，并增强与校准标记主体样式的对比，在另一实施例中，也可将整片金属铜层或方阵排列金属铜层运用在校准标记的主体样式，若将本发明的技术方案运用在液晶显示器组件制造，则能够提升液晶显示器驱动集成电路(IC)与面板贴合的对准辨识成功率。以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种校准标记，适用于集成电路制造的铜制程，其特征在于，包括一背景样式，位于一第一介电层内，其中所述背景样式由金属铜层所组成，并且所述背景样式的表面覆盖一第二介电层；以及一标记主体样式，配置于所述第二介电层上，并位于所述背景样式涵盖区域的上方，其中，所述校准标记主体的材质为金属铝或铝铜合金所组成。
2.如权利要求1所述的校准标记，其特征在于，所述背景样式为第一介电层中挖出的一凹槽区域，将铜晶种植入后经由电镀与化学机械研磨所形成。
3.如权利要求1所述的校准标记，其特征在于，所述标记主体样式为十字形状、工字型或T字型。
4.如权利要求1所述的校准标记，其特征在于，所述金属铜层为整片式所组成，或所述金属铜层以矩形方式形成的方阵排列所组成。
5.一种校准标记，适用于集成电路制造的铜制程，其特征在于，包括一标记主体样式，由金属铜层所组成且位于一第一介电层，并且所述标记主体样式的表面覆盖一第二介电层；以及一背景样式，配置于所述第二介电层上，且位于所述标记主体样式的上方，其中所述背景样式为金属铝或铝铜合金所组成。
6.如权利要求5所述的校准标记，其特征在于，所述背景样式具有一孔洞，位于所述标记主体样式所涵盖区域的上方。
7.如权利要求5所述的校准标记，其特征在于，所述标记主体样式的形状为十字形状、 工字型或T字型。
8.如权利要求5所述的校准标记，其特征在于，所述金属铜层为整片式或者以矩形形成的方阵排列。
9.如权利要求5所述的校准标记，其特征在于，所述主体样式为第一介电层中挖出的一凹槽区域，用以将铜晶种植入后所形成。
10.一种校准标记制造方法，适用于集成电路制造的铜制程，其特征在于，包括提供一基底，用以形成校准标记结构；在所述基底上形成一金属铜层以及环绕其四周的一第一介电层，并且所述金属铜层构成一背景样式；在所述第一介电层与该金属铜层上方形成一第二介电层；以及在所述第二介电层上方配置一标记主体样式，所述标记主体样式位于所述背景样式所涵盖区域的上方，其中，所述校准标记主体样式为金属铝或铝铜合金所组成。
11.如权利要求10所述的校准标记制造方法，其特征在于，所述金属铜层为所述第一介电层中挖出一凹槽区域，将铜晶种植入后经由电镀与化学机械研磨所形成。
12.如权利要求10所述的校准标记制造方法，其特征在于，所述标记主体样式的形状为十字形状、工字型或T字型。
13.如权利要求10所述的校准标记制造方法，其特征在于，所述金属铜层为整片式所组成，或所述金属铜层以矩形方式形成的方阵排列所组成。
14.一种校准标记制造方法，适用于集成电路制造的铜制程，其特征在于，包括提供一基底，用以形成校准标记结构；在所述基底上形成一金属铜层以及环绕其四周的一第一介电层，并且所述金属铜层构成一标记主体样式；在所述第一介电层与所述金属铜层上方形成一第二介电层；以及在所述第二介电层上方配置一背景样式，所述背景样式位于所述标记主体样式的上方，其中，所述背景样式为金属铝或铝铜合金所组成。
15.如权利要求14所述的校准标记制造方法，其特征在于，所述背景样式具有一孔洞， 且位于所述标记主体样式所涵盖区域的上方。
16.如权利要求14所述的校准标记制造方法，其特征在于，所述标记主体样式的形状为十字形状、工字型或T字型。
17.如权利要求14所述的校准标记制造方法，其特征在于，所述金属铜层为整片式或者以矩形形成的方阵排列。
18.如权利要求14所述的校准标记制造方法，其特征在于，所述主体样式为第一介电层中挖出的一凹槽区域，用以将铜晶种植入后所形成。
全文摘要
本发明公开了一种校准标记，可将整片金属铜层或方阵排列金属铜层运用在校准标记的背景，也可将整片金属铜层或方阵排列金属铜层运用在校准标记的主体样式。同时，本发明还公开了一种校准标记制造方法，采用本发明公开的校准标记与制造方法能够有效提升液晶显示器驱动IC与面板压合的对准辨识成功率。
文档编号G01C15/02GK102280437SQ201110204590
公开日2011年12月14日 申请日期2011年7月13日 优先权日2011年7月13日
发明者尤宏升, 彭家纶, 王泰和 申请人:旭曜科技股份有限公司