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专利名称：磁场传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种磁传感器和。具体地，本发明涉及一种MR(磁阻)传感器，例如各 向异性磁阻(AMR)传感器。
背景技术：
磁传感器在各种行业正变得越来越重要。具体地在汽车工业中，在现代交通领域 已经见到了诸如停车传感器、角度传感器、ABS(自动刹车系统)传感器和胎压传感器之类 的各种传感器的存在，用于改善舒适性和安全性。磁传感器在汽车应用方面尤为重要，因为 磁场容易穿透大多数材料。与例如光学传感器不同，磁传感器对于污垢非常不敏感。诸如基于霍尔效应或磁阻效应的传感器之类的几种不同磁传感器技术目前是可 用的。各向异性磁阻(AMR)和巨磁阻(GMR)传感器是基于磁阻效应的传感器类型的具体 示例。可以将霍尔效应传感器单片集成到集成电路中，从而使其便宜，但是也知晓霍尔效 应传感器也由于其低灵敏度和随之而来的不精确性。尽管AMR传感器与霍尔效应传感器相 比具有更高的灵敏度，AMR传感器要求更多的制造步骤，因为它们不容易被单片集成，从而 使得整个传感器系统更加昂贵。通常可以通过在分立管芯上或者在单片结构的顶部上溅射 Ni8W^l来沉积AMR传感器。退火工艺(有时在磁场中)通常用于增加磁阻材料中的磁状 态的稳定性。GMR传感器典型地具有比AMR传感器更高的灵敏度。然而，GMR传感器包括各种薄 层和临界界面。制造这种传感器所要求的技术相当复杂和昂贵。另外，由于组成GMR传感 器的薄的多层，也限制了工作温度范围。因此，通常选择AMR传感器作为磁传感器应用中的 良好折衷。。图1左侧简略绘出了 AMR传感器10。向所述AMR传感器提供传感电流Isense,所述 传感电流可以例如从与电阻器R串联的参考电压Vref提取。在图1右侧示出了根据所施加 的(或者外部的)磁场Hext的典型AMR传递函数12，将其定义为AMR传感器电阻Rmk。所述 传递函数相对于y轴对称，并且因此具有在Hext的零交叉附近消失的灵敏度。这强烈地妨 碍了零场交叉的精确检测对于这种对称的传递曲线，电噪声和其他干扰电信号在Hrait = 0 处和周围具有较大影响。解决这种问题的一种已知方式是在AMR传感器的顶部上添加线圈20，参见图2左 侧。当通过所述线圈驱动DC电流(Ibias)时在AMR传感器中产生附加场Hbias。如图2右侧 所示，现在在AMR传递函数上将AMR传感器的偏置点从0 (点22)偏移至Hbias (点23)。AMR 现在在零Hrart处是灵敏的，并且其对于AMR传感器的正弦Hext的响应看起来和图2右侧所示 的一样。不幸地是，由于一般通过DC偏置获得的传递曲线不是完全非对称的，在正半周期 和负半周期中的差别是可见的。因此，外部场的零交叉不会与传感器电阻的平均值相符合。 因此，这种平均值不能用于检测零场交叉。此外，实际零场交叉相对于这种平均AMR电阻水 平的偏移依赖于外部场的幅度(并且也依赖于偏置场的大小、传递函数的形状等等)。这阻CN 102147452 A
说明书
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碍了根据单个AC AMR输出信号对零场交叉的鲁棒和可靠检测。因为所述传递曲线(关于点203)不是完全非对称的，出现偶次阶畸变分量。换句 话说，如果将正弦场Hrart施加至传感器，对AMR传感器输出电阻的光谱分析(FFT)不但示出 了来自完全非对称传递曲线的奇次谐波，而且示出了由传递曲线的(偏移)对称特性产生 的一些偶次谐波。用于解决这些问题的一种已知方法是在AMR传感器中使用理发柱(barber poles)。这些理发柱强迫传感器中的电流沿着特定方向流动。理发柱是与AMR元件成45° 角放置的非常导电的材料的线条。它们的目的是使得电流在理发柱之间的区域中按照45° 流动。因为AMR效应依赖于电流方向和磁化方向之间的角度，所以理发柱使得传感器输出 在零磁场周围是线性化的(因此非常灵敏)。为了制造AMR传感器，典型地使用两个管芯。一个IC管芯包含ASIC，一个管芯包 含传感器的磁阻部分。这种双管芯方案的原因是磁元件可能会沾污IC超净室，以及磁元件 可能在加工期间或者产品寿命期间扩散到有源硅中。这必然会抑制IC的正确功能。已知需要将磁传感器集成到有源硅(即IC)的顶部上，以减小封装成本、减小键合 焊盘的个数并且使得磁/电元件的匹配更加容易和更加精确。这在传感器使用一个或多个 惠斯通桥装置的情况下尤为重要，惠斯通桥装置是实现传感器电路的一种常规方式。这应 当可以通过使用适当的扩散壁垒来实现。传感器中至AMR元件的连接典型地设置在AMR元件的顶部上。所要求的处理可能 会损坏AMR元件被用作传感器的区域中的AMR元件。对于AMR元件和放置到AMR元件顶部 上的理发柱装置之间的互连也是如此。因此需要简化的处理方法，以减小对于IC的可能损坏(由于等离子处理步骤)以 及对于AMR元件本身的可能损坏。美国专利2009/004M75公开了一种传感芯片，所述传感器芯片在衬底一侧上包 括信号处理电路、在另一侧上包括磁传感器元件，并具有在信号处理电路和磁传感器元件 之间的连接层和通孔。W02005/003801和W02008/120118都公开了一种其中半导体电路和 磁阻传感器形成到单一封装中的装置。

发明内容
根据本发明，提出了一种磁阻(MR)传感器装置，包括在相同半导体晶片上形成的 MR传感器和集成电路，其中所述装置包括金属层，被图案化以限定至少第一和第二接触区；第一金属连接插头，从所述金属层的第一和第二接触区向下延伸，用于实现与集 成电路的端子的接触；磁阻材料层，位于所述金属层上面并且通过电介质层而分离，所述磁阻材料层限 定了包括至少一个AMR元件的MR元件装置；第二金属连接插头，从所述金属层的第一和第二接触区向上延伸至所述MR元件 装置的末端。本发明提出了将IC和MR传感器集成到单个晶片上。在沉积和图案化MR传感器 材料之间，将与MR传感器元件的连接定义为金属插头。
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因此，通过使用金属插头和金属层，在IC的顶部层中设置了结构，并且在后端处 理阶段执行这种设置(即，在完成了集成电路的部件之后)。通过在AMR元件的下面而不是 在其顶部上设置连接结构，因为不需要在磁元件上执行处理，减少了用于接触MR元件的处 理步骤的数目，因此减小了由于等离子处理步骤对于IC的可能损坏以及对于MR元件本身 的可能损坏。这使得能够增加成品率。所述结构可以具有在多个MR元件之间的互连，和/或在MR元件上的理发柱。所有 这些连接首先通过金属插头(例如W或Cu)以及CMOS后端工艺中的IC的金属层来提供。因此，首先，MR元件装置包括至少两个MR传感器元件，然后金属层还包括至少一 个互连区，用于连接MR传感器元件，其中第二插头也从金属层的至少一个互连区向上延伸 至要连接的AMR元件的末端。因此，第二插头中的一些提供与AMR传感器装置的末端连接， 第二插头中的其他插头提供MR传感器元件之间的内部互连。其次，也可以对所述金属层进行图案化以限定理发柱导线，并且第二金属连接插 头还包括从理发柱导线向上延伸至MR元件装置的插头。优选地，集成电路包括CMOS电路，并且所述金属层包括CMOS顶部金属层。第一和 第二插头可以包括钨或者铜，并且使用这种插头作为CMOS结构中导电层之间的通孔互连 是众所周知的商用技术。例如，插头可以具有100至500nm的直径，并且被配置为具有小于直径两倍的间距 的阵列。线圈也形成于金属层中，并且这可以用于提供外部场，用于影响所述传感器装置 的特性。本发明还提出了一种形成磁阻(MR)传感器装置的方法，所述磁阻传感器装置包 括在相同的半导体晶片上形成的MR传感器和集成电路，其中所述方法包括在制造所述集成电路期间，对金属层进行图案化，以限定至少第一和第二接触区；形成第一金属连接插头，从所述金属层的第一和第二接触区向下延伸，用于实现 与集成电路的端子的接触；形成第二金属连接插头，从所述金属层的第一和第二接触区向上延伸；以及形成在所述金属层上面并且通过电介质层而分离的磁阻材料层，对所述层进行图 案化以限定包括至少一个AMR元件的AMR元件装置，其中所述AMR元件装置与第二金属插 头连接。这种方法在沉积磁阻层之前提供了所有接触的图案化，从而使得能够将传感器形 成作为后端制造工艺的一部分。优选地，在形成所述磁阻材料层之前，执行CMP (化学机械平面化)步骤，以在第二 插头的表面提供平面顶部接触。


现在将参考附图描述本发明的示例，其中图1示出了已知AMR传感器和典型的AMR传递函数；图2示出了在顶部上添加了线圈的图1的传感器和修改的AMR传递函数；
图3A和;3B示出了制造AMR传感器的已知方法；图4示出了本发明的制造方法的示例以及本发明所得到的器件；以及图5A和5B用于解释本发明对于理发柱功能的效果。
具体实施例方式本发明提出了一种与IC集成的磁阻传感器装置。所述传感器用于感测外部磁场 的强度和/或方向。例如，这种外部磁场可以针对对象而旋转，其中针对所述对象，要感测 角度取向。对IC结构(例如CMOS)的金属层图案化，以限定至少第一和第二接触区。将金属 连接插头设置在金属层的第一和第二接触区下面，用于实现与集成电路的端子的接触。磁 阻材料层位于金属层上面，并且通过电介质层而分离。第二金属连接插头从金属层向上延 伸至磁阻材料层(传感器层)。因此，在IC结构的层的顶部上形成传感器层。本发明通常 可应用于磁阻传感器，但是对于各向异性MR传感器是尤为有意义的。在详细描述本发明之前，首先参考图3A和;3B描述已知的处理方法。图3A和;3B示出了对于在两个AMR元件之间包含理发柱和互连的传感器的处理。 通常在磁学方面更加有利地将磁阻元件划分为几个更小的元件，并且将它们彼此电连接。 这些元件需要彼此电连接起来。图3A和;3B没有按比例绘制，并只示出了每个AMR元件两个理发柱。步骤A示出了晶片顶部上具有电介质32(例如SiO2)的晶片30。步骤B示出了沉积的磁材料层34 (通常是坡莫合金Ni8t^eJ。步骤C示出了所涂覆的光致抗蚀剂36。步骤D示出了已被结构化的光致抗蚀剂。在步骤E中，蚀刻坡莫合金34，然后在步 骤F中剥离光致抗蚀剂。 然后如步骤G所示，沉积理发柱和互连材料38 (例如，下面具有TiW之类的扩散壁 垒的Al)。在步骤H中，涂覆光致抗蚀剂40，并且如步骤I对光致抗蚀剂40进行结构化。这 形成了所示的用于理发柱的具有所需形状和45 °取向的开口。然后如步骤J所示蚀刻理发柱和互连材料38，并且如步骤K所示剥离光致抗蚀剂 40。如步骤L中所示沉积钝化层42，涂覆光致抗蚀剂44 (步骤M)并且进行结构化(步 骤N)以形成接触开口。然后如步骤0所示的蚀刻所述钝化层42，以释放至传感器的接触。最后剥离光致 抗蚀剂。在步骤P中示出了所得到的结构。对于通过互连50互连的两个AMR元件48，接触 示出为是46，并且每一个AMR元件具有理发柱52。在这种处理程序中，磁层可能会在步骤J中受到蚀刻剂的攻击。另外，步骤B、G和J是等离子步骤(可能会损坏下面的IC)。步骤E和0可能是 等离子蚀刻步骤或者湿法蚀刻步骤。已经建议了用于避免对磁层损坏的方法。在US6850057和US6048739中示出了示 例，但是这些方法显著地增加了工艺的复杂度和/或不会消除工艺期间损坏的风险。
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本发明提出了一种方法，能够以避免对IC和MR传感器的损坏的方式来实现MR元 件与IC的连接。该方法也可以用于形成理发柱(如果需要)以及多个MR元件之间的连接 (如果要求)。此外，可以利用相同的工艺在MR元件下面形成线圈。这些结构存在于所述 MR元件的下面而不是其顶部上。图4示出了对于AMR传感器装置的工艺流程的示例。步骤A中所示的起始点是CMOS晶片，该CMOS晶片包含具有适当位置处的许多金 属插头60的区域。在图中将这些区域示意性地表示为大的金属区域。实际上，这些区域包 括彼此靠近的许多小W-插头(例如250nm直径，具有相互间隔250nm)。在IC的顶部金属层64下面存在一个插头层62，以及在所述顶部金属层64的上面 存在一个插头层66。通过电介质层65形成插头。插头针对电阻性传感器元件形成与IC的 连接，并且形成电阻性元件(如果存在多个元件)之间的互连、以及理发柱(如果需要)。可 以在所述结构中使用多于一个金属层。插头和电介质处于相同的水平，以确保正确的接触 以及获得良好质量的AMR层。金属层64具有用于接触AMR传感器元件的部分64a、64b (即 接触区)以及用于将多个AMR传感器连接在一起的互连区80。根据以下的描述这将变得清 楚明白。步骤A中所示的结构是通过以下工艺步骤来形成的首先，在半导体器件的顶部上沉积电介质层，例如通过化学气相沉积(CVD)工艺。在所述电介质层中限定和蚀刻接触孔，以提供与半导体器件的底层金属层的接 触。在清洁之后，将溅射蚀刻工艺(例如Ar离子轰击)用于清洁接触底部中的金属。接下 来，在不破坏真空的情况下，在衬底上溅射沉积20nm的Ti层、随后是SOnm的TiN层。该步 骤之后是利用吐还原WF6而得到的W层的化学气相沉积(CVD)。这利用W填充接触。应用化学机械抛光(CMP)来去除平面区域上的W、TiN和Ti 层，在接触中留下W用于形成W插头。在实质上相同的工艺中，对接触的填充可以使用Cu来执行。在这种情况下，在溅 射蚀刻工艺之后，在衬底上溅射沉积Ta(N)层和Cu层。接下来，执行来自专用CuSO4溶液的 Cu的电化学沉积(ECD)，来执行用Cu填充所述接触。应用化学机械抛光(CMP)来去除平面 区域上的Cu和Ta(N)层，在接触中留下了 Cu来形成Cu插头。在下一步骤中，溅射沉积顶部金属层。通常所述金属层是Ti/TiN/Al层。该层典 型地通过干法蚀刻来图案化。在该顶部金属层的顶部上，再次沉积电介质层，沉积新的接触 孔，并且重复插头工艺。CMOS工艺内形成插头的工艺是传统的，并不形成本发明的一部分。实际上，可以使 用形成插头和顶部金属层的其他方法，并且仍然可以应用根据本发明的连接AMR传感器层 的方法。也示出了对于步骤A的结构的平面图，以便示出45°取向的理发柱，所述理发柱 形成为顶部金属层中的金属带。这些带之间的间隙露出了传感器区域。 在步骤B中，沉积AMR层70。 在步骤C中沉积抗蚀剂层72，并且在步骤D中对抗蚀剂层72进行图案化。也示出 了该平面图，并且抗蚀剂层在形状上与单独的AMR元件73相对应。然后如步骤E所示，蚀 刻AMR材料。
在步骤F中剥离光致抗蚀剂层，并且在步骤G中沉积钝化层74。所得到的结构具有与IC的底部接触76、理发柱78和两个AMR传感器之间的互连 80。通过使许多金属插头并联(在传统的(先进)BiCM0S工艺中每一个W-插头典型 地具有5欧姆的电阻，具有250nm的直径，并且可以按照彼此相隔250nm的方式来放置)，可 以使得IC和AMR元件之间的接触具有足够低的电阻。这也适用于两个AMR元件的互连可 以在元件的两端并联地放置许多金属插头。插头使得晶片后端的顶部金属层具有非常低的 电阻(在BiCOMS工艺中典型地是30-40毫欧姆/平方)。对于理发柱，许多插头将再次并联放置，全部通过BiCMOS结构的顶部金属层彼此 相连。然而，这些插头周围的等电势线将是同心的，如图5A所示。这意味着非常靠近插头外部行的电流将不会相对于AMR元件是45°，如同在正常 理发柱处理程序(图5B)那样的情况。这种效果随着远离插头的外部行而逐渐消失。在 等于插头之间的间距的距离处，这种效果几乎是可忽略的(在BiCMOS的情况下，典型地是 250nm)。这远小于理发柱之间的典型距离G微米左右)，并且因此显著地限制了对于传感 器输出的影响。本发明的处理方法具有其他效果。在其中理发柱直接位于AMR元件顶部上的传统 “专用管芯(dedicated-die) ”AMR结构中，由于理发柱与AMR材料相比电阻低(电阻小1000 倍)，所以电流将立即流过理发柱。而对于其中IC的顶部金属层经由插头与AMR元件相连 的结构，这并不如此。已经基于彼此相邻放置的13个W插头(与每250nm —个W-插头的4微米宽的理 发柱相对应)进行了分析，插头的电阻取每个插头5欧姆。AMR材料的薄层电阻取20欧姆 /平方，以及金属层的薄层电阻取30毫欧姆/平方(mOhm/square)。分析结果示出了在第一 W插头之后，85%的电流已经在理发柱的金属层中流过。 在第二插头之后，流过的电流已经是98%。在结构的中部，与理发柱直接位于AMR结构顶部 上的“经典情况”一样，达到了相同因子1000。因此，理发柱将正确地操作(使得在所述理发柱之间的间隙中，电流将与所述理 发柱垂直)。然而，与传统情况相比，电流将在高欧姆磁层中保持较长时间。因此，总电阻将 略微增加。如果电流在磁层中保持较长时间，则对于AMR效应将具有有利的影响，因为电流 不会如此迅速地被导电理发柱材料短路。对于许多MR传感器，有利地是具有在与传感器相同的芯片上存在的线圈。这种线 圈可以用于调制磁场(例如参见W02009/04069;3)或者用于向MR传感器给出复位脉冲(例 如参见US7449882)。这种线圈通常存在于MR传感器的顶部上。然而，在本发明的方法中，也可以直接在MR传感器的下面制造IC顶部金属层中的 线圈。可以遵循类似的处理程序，但是在这种情况下，在沉积MR层之前，将与线圈的接 触直接提供给IC，并且在IC晶片的表面上不存在额外的插头。在上述处理程序中，在已经建立连接之后沉积磁层，从而避免了用于制造这些连 接的额外处理步骤。因为在BiCMOS处理结束时已经建立了所有接触，因此在磁材料顶部上不需要蚀刻处理步骤，从而保护磁材料不受到蚀刻损坏。这种处理程序具有以下优点可以制造与IC的接触、理发柱以及MR元件之间的互 连，并且在传感器下面可以存在线圈。这种处理程序需要更少的处理步骤，减小了成本。对 于IC和MR元件本身(成品率)，具有更少个数的潜在危险的处理步骤。限制了对于传感器 性能的影响只在非常靠近理发柱边缘的区域中存在电流方向的小偏移。这里没有给出单独MR(AMR或者其他)传感器元件的详细组成，因为这些内容完全 是常规的。AMR传感器元件是一种基于材料属性而工作的器件，在所述材料中观察到电阻 对电流方向和磁场取向之间角度的依赖性。这种效果归结于导电电子沿磁化方向的s-d散 射(s-d scattering)的较大概率。净效应是当电流方向与磁化方向平行时电阻具有最大 值。在一些铁磁铀化合物(ferromagnetic uranium compound)中已经观察到了高达50% 的AMR效应。没有描述用于形成传感器的MR元件的电连接，并且这种电连接不形成本发明的 一部分。典型地将MR传感器形成为四个磁阻元件的惠斯通桥电路。这四个电阻器应该(在 零磁场时)完美匹配；然而由于工艺的原因存在较小的偏移。对于这种偏移可以进行激光 微调，但是激光微调是一种昂贵的方案。利用在IC顶部上集成的传感器，通过IC本身可以 在更大的电阻偏移范围内进行更加精确的匹配。这里没有示出或者描述IC部件，因为它们完全是常规的。接触76和所需IC部件 之间的连接位于CMOS结构内，并且按照常规方式来实现。各种修改对于本领域普通技术人员而言是显而易见的。
权利要求
1.一种磁阻MR传感器装置，包括在相同半导体晶片上形成的MR传感器和集成电路，其 中所述装置包括金属层(64)，所述金属层被图案化，以限定至少第一和第二接触区(6 ，64b)；第一金属连接插头(62)，从所述金属层的第一和第二接触区(6 ，64b)向下延伸，用 于实现与集成电路的端子的接触；磁阻材料层(70)，位于所述金属层上面并且通过电介质层被分离，所述磁阻材料层限 定了包括至少一个MR元件(73)的MR元件装置；第二金属连接插头(66)，从所述金属层的第一和第二接触区(6 ，64b)向上延伸至所 述MR元件装置的末端。
2.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述MR元件装置包括至少两个MR传感器 元件(73)，并且所述金属层(64)还包括至少一个互连区(80)，用于连接MR传感器元件，并 且其中第二金属连接插头(66)也从所述金属层的所述至少一个互连区(80)向上延伸至要 连接的MR元件的末端。
3.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中所述金属层(64)还被图案化以限定理 发柱导线，并且所述第二金属连接插头还包括从所述理发柱导线向上延伸至MR元件装置 的插头。
4.根据任一前述权利要求所述的传感器装置，其中所述集成电路包括CMOS电路。
5.根据权利要求4所述的传感器装置，其中所述金属层(64)包括CMOS顶部金属层。
6.根据任一前述权利要求所述的传感器装置，其中所述第一和第二插头(62，66)包括 钨或者铜。
7.根据任一前述权利要求所述的传感器装置，其中所述插头(62，66)具有100至 500nm的直径，并且被配置为间距小于所述直径的两倍的阵列。
8.根据任一前述权利要求所述的传感器装置，还包括在所述金属层中形成的线圈。
9.一种形成磁阻MR传感器装置的方法，所述磁阻传感器装置包括在相同的半导体晶 片上形成的MR传感器和集成电路，其中所述方法包括在制造所述集成电路期间，对金属层(64)进行图案化，以限定至少第一和第二接触区(6 ，64b)；形成第一金属连接插头(62)，从所述金属层的第一和第二接触区(6 ，64b)向下延 伸，用于实现与集成电路的端子的接触；以及形成第二金属连接插头(66)，从所述金属层的第一和第二接触区向上延伸；以及形成在所述金属层上面并且通过电介质层(65)而被分离的磁阻材料层(70)，对所述 磁阻材料层层进行图案化，以限定包括至少一个MR元件(73)的MR元件装置，其中所述MR 元件装置与第二金属连接插头(66)连接。
10.根据权利要求9所述的方法，其中对所述磁阻材料层进行图案化以形成所述MR元 件装置包括形成至少两个MR传感器元件(73)，其中对所述金属层进行图案化包括形成用于连接所述MR传感器元件的至少一个互 连区(80)，其中第二金属连接插头(66)形成为从所述金属层的至少一个互连区(80)向上延伸至 要连接的MR元件(7 的末端。
11.根据权利要求9或10所述的方法，其中对所述金属层(64)进行图案化也限定了理 发柱导线，并且其中所述第二金属连接插头(66)还包括从所述理发柱导线向上延伸至所 述MR元件装置的插头。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其中用CMOS工艺形成所述集成电路。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的方法，其中第一和第二插头(62，66)包括钨 或者铜。
14.根据权利要求9至13中任一项所述的方法，还包括在所述金属层中形成线圈。
15.根据权利要求9至14中任一项所述的方法，还包括在形成所述磁阻材料层之前 的化学机械平面化步骤，用于在第二插头的表面处提供平面顶部接触。
全文摘要
MR传感器装置与IC集成。对IC装置(例如CMOS)的金属层进行图案化以限定至少第一和第二接触区。将金属连接插头设置在第一和第二接触区域下面，用于实现与集成电路端子的接触。磁阻材料层位于所述金属层上面并且通过电介质层而分离。第二金属连接插头从金属层向上延伸至MR传感器层。因此，传感器层形成于IC结构层的顶部上。
文档编号G01R33/09GK102147452SQ20111003508
公开日2011年8月10日 申请日期2011年1月30日 优先权日2010年2月4日
发明者安德烈亚斯·伯纳德斯·玛丽亚·扬斯曼, 弗德里克·威廉·毛里提斯·范赫蒙特, 罗伯特斯·亚德里恩斯·玛丽亚·沃特斯, 马克·艾斯勒 申请人:Nxp股份有限公司