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半导体生产设备冷却管路的滴漏水监测装置的制作方法

时间:2025-03-31    作者: 管理员

专利名称:半导体生产设备冷却管路的滴漏水监测装置的制作方法
技术领域
本发明涉及半导体制造装备技术领域,尤其是一种生产设备冷却管路的滴漏水监测装置。
背景技术
在半导体制造领域,去离子水(deionized water)常用作各种生产设备的冷却水。参见附图I中去离子水的冷却管路示例,图中以实线表示正常的水流方向,去离子水由入水管路输送至生产设备顶部的冷却圆顶(I),再由若干外部管道(2)输送至水箱(3)。冷却管路在长期使用之后,不可避免的会产生滴漏的问题,例如外部管道的底部以及各类接头位置都是易发生腐蚀进而产生滴漏现象的位置。为了对滴漏水进行监测,现 有方法是在生产设备的下方布置盛漏盘(5),在生产设备的底部开设对准盛漏盘(5)的漏液口,并且在漏液口位置布置滴漏水传感器出)。参见附图I中的虚线,表示滴漏水的水流方向,当生产设备内部发生去离子水滴漏时,一方面盛漏盘能够收集滴漏的去离子水,另一方面传感器能够监测到滴漏,并发出报警信号。然而,此方法具有一定的局限性,因其只能监测到生产设备内部的滴漏,当生产设备以外的管路发生滴漏时,由于滴漏水不会流经传感器,因此不会触发报警信号,进而可能导致影响正常生产的不良因素不能被及时探知。

发明内容
本发明所要解决的技术问题是对半导体生产设备冷却管路的滴漏水做到全方位的监测。为实现上述目的,本发明提出一种半导体生产设备冷却管路的滴漏水监测装置,该冷却管路包括位于生产设备顶部的且与入水管路连接的冷却圆顶,与冷却圆顶连接的外部管道,与外部管道连接的水箱,位于生产设备下方的盛漏盘,以及开设在生产设备底部并对准盛漏盘的漏液口,尤其的,所述滴漏水监测装置包括设置在盛漏盘内的滴漏水传感器。本发明通过在盛漏盘内设置滴漏水传感器,能够全面监测各个位置的滴漏水,及时发出报警信号,避免危害的发生。


通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明,本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图,重点在于示出本发明的主旨。图I是现有技术中生产设备的冷却管路及滴漏水监测装置示意图;图2是本发明提出的冷却管路及滴漏水监测装置示意图。
具体实施例方式参见图2所示,本实施例提出一种半导体生产设备冷却管路的滴漏水监测装置。该冷却管路包括位于生产设备顶部的且与入水管路连接的冷却圆顶1,与冷却圆顶I连接的若干外部管道2,与外部管道2连接的水箱3,位于生产设备下方的盛漏盘5,以及开设在生产设备底部并对准盛漏盘5的漏液口 6’。在某些场合中,水箱3固定在地面,且水箱3的外围设置有外部盛漏箱4。尤其的,在所述盛漏盘5的内设置有滴漏水传感器7。当生产设备内部出现滴漏水时,滴漏水从漏液口 6’流入盛漏盘5 ;当生产设备外围的外部管2出现滴漏水时,滴漏水直接从流入盛漏盘5。无论水的来源如何,当盛漏盘5内出现积水时,滴漏水传感器7均能监测到,并且发出报警信号,必要时通知生产设备停机,因此能全方位的对任意位置的滴漏水进行监测。优选的滴漏水传感器7位于靠近漏液口 6’位置,因此能更快的对生产设备内部的漏液做出响应。另外,盛漏盘5通过管路8连接至盛漏箱4,能够及时将盛漏盘5内的积水引出,避免积水溢出污染周围环境。本发明虽然以较佳实施例公开如上,但其并不是用来限定权利要求,任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内,都可以做出可能的变动和修改,因此本发明的 保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。
权利要求
1.一种半导体生产设备冷却管路的滴漏水监测装置,该冷却管路包括位于生产设备顶部的且与入水管路连接的冷却圆顶,与冷却圆顶连接的外部管道,与外部管道连接的水箱,位于生产设备下方的盛漏盘,以及开设在生产设备底部并对准盛漏盘的漏液口,其特征在于所述滴漏水监测装置包括设置在盛漏盘内的滴漏水传感器。
2.如权利要求I所述的滴漏水监测装置,其特征在于所述水箱固定在地面,水箱的外围设置有外部盛漏箱。
3.如权利要求I所述的滴漏水监测装置,其特征在于所述滴漏水传感器位于靠近漏液口的位置。
4.如权利要求2所述的滴漏水监测装置,其特征在于所述盛漏盘通过管路连接至盛漏箱。
全文摘要
本发明属于半导体装备技术领域,尤其是一种生产设备冷却管路的滴漏水监测装置。该冷却管路包括位于生产设备顶部的且与入水管路连接的冷却圆顶,与冷却圆顶连接的外部管道,与外部管道连接的水箱,位于生产设备下方的盛漏盘,以及开设在生产设备底部并对准盛漏盘的漏液口,尤其的,所述滴漏水监测装置包括设置在盛漏盘内的滴漏水传感器。通过在盛漏盘内设置滴漏水传感器,能够全面监测各个位置的滴漏水,及时发出报警信号,避免危害的发生。
文档编号G01M3/02GK102879152SQ20121036617
公开日2013年1月16日 申请日期2012年9月27日 优先权日2012年9月27日
发明者代勇 申请人:上海宏力半导体制造有限公司

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