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一种测试igbt�？榻峁剐宰杩沟姆椒�
【专利摘要】本发明公开了一种测试IGBT�？榻峁剐宰杩沟姆椒ǎü诒蘸现绷鞯缏分邢嗤牡缌魈跫路直鸩饬空GBT�？椋GBT模块与特殊IGBT�？榇谋ズ脱菇抵担ü咧钣氲缌鞯谋戎导扑愕玫絀GBT�？榻峁剐宰杩梗渲校龅奶厥釯GBT�？槲コ薎GBT芯片的正常IGBT�？�。通过本发明的方法，能够高精度的测试出IGBT�？榈慕峁剐宰杩梗梅椒ḿ虻ヒ撞僮鳎岣吡诵虏凡问馐缘男�。
【专利说明】一种测试IGBT�？榻峁剐宰杩沟姆椒�
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体器件测试【技术领域】，尤其涉及一种测试IGBT�？榻峁剐宰杩沟姆椒�。
【背景技术】
[0002]绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor,全文简称 IGBT)具有高频率、高电压、大电流、尤其是容易开通和关断的性能特点，是国际上公认的电力电子技术第三次革命的最具代表性的产品，至今已经发展到第六代，商业化已发展到第五代。目前，IGBT已广泛应用于国民经济的各行各业中。
[0003]IGBT�？橹饕τ迷诒淦灯鞯闹骰芈纺姹淦骷耙磺心姹涞缏罚碊C/AC变换中。当今以IGBT�？槲淼男滦偷缌Φ缱悠骷歉咂档缌Φ缱酉呗泛涂刂葡低车暮诵目卦骷忠压惴河τ糜诘缌�、高压输变电、电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源等领域，市场前景非�：�。
[0004]IGBT�？楦鞲霾问淖既凡馐允歉鞲龀瘫匦胪瓿傻模杂诖蠊β蔍GBT�？槔此担琁GBT�？橛捎谀？樯讨斜匦氩捎眉舷�、功率电极等方法实现电气连接，这种连接方式会在功率回路中形成一个小的阻抗，这种IGBT�？榻峁剐宰杩够嵊跋斓接没低成杓浦械姆抡婕扑�、功率损耗、串联均压、并联均流等，所以提供准确的IGBT�？榻峁剐宰杩苟杂谟没欠浅Ｖ匾模鱅GBT厂商皆将IGBT模块结构性阻抗的测试方法作为技术秘密。

【发明内容】

[0005]有鉴于此，本发明的目的在于提供一种测试IGBT�？榻峁剐宰杩沟姆椒ǎ捎玫缏范蕴厥饨峁沟哪？榻胁馐裕梢宰既返牟馐猿鯥GBT�？榻峁剐宰杩沟拇笮。没�
供参考。
[0006]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0007]本发明的测试IGBT�？榻峁剐宰杩沟姆椒ǎ诒蘸现绷鞯缏分薪胁馐裕咛灏ㄏ率霾街�:
[0008](I)在闭合直流电路中接入正常IGBT�？閁1，电流I条件下进行饱和压降的测试，得到饱和压降值Vcesatl ；
[0009](2)在其他电路参数不变的条件下，串联接入特殊IGBT�？閁2，与正常IGBT�？閁l通过镀金母排相连接，与步骤(I)相同的电流条件下进行饱和压降的测试，得到饱和压降值 Vcesat2 ；
[0010](3)计算得到 IGBT �？榻峁剐宰杩怪� R，R= (Vcesat2-Vcesatl)/I ；
[0011]其中，所述的特殊IGBT�？閁2为去除了 IGBT芯片的正常IGBT模块，直接将键合线连接在陶瓷基板上的导电层上，其他部分结构不改变；所述的电流I值根据显示电压值3?15V与预估的IGBT�？榻峁剐宰杩筊值的比值预设。[0012]优选的，步骤(I)和步骤(2)中同步的对饱和压降进行多次测试，步骤(3)中对R值取平均值。
[0013]优选的，所述的电流I值根据显示电压值3?5V与预估的IGBT�？榻峁剐宰杩筊值的比值预设。
[0014]进一步的，所述的电流I值设定为3000A。
[0015]通过本发明的测试IGBT�？榻峁剐宰杩沟姆椒ǎ芄桓呔鹊牟馐猿鯥GBT�？榈慕峁剐宰杩梗梅椒ḿ虻ヒ撞僮鳎岣吡诵虏凡问馐缘男�。
【专利附图】

【附图说明】
[0016]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的有关本发明的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本发明的测试IGBT模块结构性阻抗的方法中步骤(I)的电气连接示意图；
[0018]图2是本发明的测试IGBT�？榻峁剐宰杩沟姆椒ㄖ胁街�(2)的电气连接示意图。
【具体实施方式】
[0019]本发明公开了一种测试IGBT�？榻峁剐宰杩沟姆椒ǎ咛灏ㄏ率霾街�:
[0020](I)在闭合直流电路中接入正常IGBT�？閁1，电流I条件下进行饱和压降的测试，得到饱和压降值Vcesatl ；
[0021](2)在其他电路参数不变的条件下，串联接入特殊IGBT�？閁2，与正常IGBT�？閁l通过镀金母排相连接，与步骤(I)相同的电流条件下进行饱和压降的测试，得到饱和压降值 Vcesat2 ；
[0022](3)计算得到 IGBT �？榻峁剐宰杩怪� R，R= (Vcesat2-Vcesatl)/I ；
[0023]其中，所述的特殊IGBT�？閁2为去除了 IGBT芯片的正常IGBT�？椋苯咏舷吡釉谔沾苫迳系牡嫉绮闵希渌糠纸峁共桓谋洌凰龅牡缌鱅值根据显示电压值3?15V与预估的IGBT�？榻峁剐宰杩筊值的比值预设。
[0024]优选的，步骤(I)和步骤(2)中同步的对饱和压降进行多次测试，步骤(3)中对R值取平均值。
[0025]优选的，所述的电流I值根据显示电压值3?5V与预估的IGBT�？榻峁剐宰杩筊值的比值预设。
[0026]进一步的，所述的电流I值设定为3000A。
[0027]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0028]一般IGBT�？榈慕峁拱说装�、陶瓷层、焊层、环氧层、硅胶、IGBT芯片、PCB、外壳、功率电极、辅助电极和键合线等，其中键合线、功率电极等实现了 IGBT�？榈牡缙樱庵至臃绞交嵩诠β驶芈分行纬梢桓鲂〉淖杩梗次狪GBT�？榈慕峁剐宰杩�。为了测试出IGBT�？榻峁剐宰杩沟拇笮。⒚魅松杓浦圃斐鲆桓鎏厥饨峁沟腎GBT�？椋锰厥釯GBT�？榻话鉏GBT�？榻峁怪械腎GBT芯片去除，直接将键合线连接在陶瓷基板上的导电层上，其他部分结构不改变。
[0029]完成上述特殊结构的IGBT�？楹螅凑胀�1?图2所示的电气结构示意图进行测试，测试方法如下:
[0030]如图1所示，在闭合直流电路中仅接入正常IGBT�？閁1，并不接入特殊结构的IGBT�？閁2，对正常IGBT�？閁l在3000A的电流条件下进行饱和压降的测试，得到饱和压降 Vcesatl ；
[0031]此处的电流值根据电压值与预估的IGBT�？榻峁剐宰杩怪档谋戎翟ど瑁琁GBT模块的结构性阻抗通常为几个毫欧，显示的电压值一般为3?15V，更常见的为3?5V，据此推算出预设的测试电流值在几千安培，3000A是一个根据经验获得的常用值，具体测试过程中要根据IGBT�？榈氖导是榭黾右匝≡竦髡�。
[0032]如图2所示，在其他电路参数不变的条件下，将特殊结构的IGBT�？閁2串联接入图1所示的测试电路中，由于IGBT�？榈慕峁剐宰杩雇ǔＮ僚芳叮馐缘缏返哪谧杩赡芑嵊跋斓讲饬拷峁木范龋虼四谧枰】赡艿男。灾驴梢院雎云涠圆馐越峁挠跋欤舜α诱GBT�？閁l与特殊结构的IGBT�？閁2的母排采用镀金母排B，减小了母排对测试结果的影响，然后再次对正常IGBT�？樵�3000A的电流条件下进行饱和压降的测试，得到饱和压降Vcesat2 ；
[0033]此处选择3000A的电流条件，是为了保持一致，便于后续的公式对结果的计算处理，其他电路参数保持不变也是同样的出于最大限度的降低对测试环节的干扰的目的。
[0034]通过公式R=U/I= (Vcesat2-Vcesatl)/3000A,计算得到IGBT�？榻峁剐宰杩怪礡0
[0035]考虑到测试结果的人为过错以及误差，对饱和压降Vcesatl和饱和压降Vcesat2进行多次测量，并将测量结果中明显可疑的数值加以剔除，再对多次测试的结果取平均值，以期最大程度排除人为的因素，确保结果的准确性。
[0036]通过以上3个步骤就可以测试出准确度较高的IGBT�？榻峁剐宰杩�。
[0037]综上所述，通过本发明的测试IGBT�？榻峁剐宰杩沟姆椒ǎ芄桓呔鹊牟馐猿鯥GBT�？榈慕峁剐宰杩梗梅椒ḿ虻ヒ撞僮鳎岣吡诵虏凡问馐缘男�。
[0038]对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
[0039]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【权利要求】
1.一种测试IGBT�？榻峁剐宰杩沟姆椒ǎ梅椒ㄔ诒蘸现绷鞯缏分薪胁馐裕涮卣髟谟冢ㄏ率霾街�: (1)在闭合直流电路中接入正常IGBT�？閁1，电流I条件下进行饱和压降的测试，得到饱和压降值Vcesatl ； (2)在其他电路参数不变的条件下，串联接入特殊IGBT�？閁2，与正常IGBT模块Ul通过镀金母排相连接，与步骤(1)相同的电流条件下进行饱和压降的测试，得到饱和压降值Vcesat2 ； (3)计算得到IGBT模块结构性阻抗值R，R=(Vcesat2-Vcesatl) /I ； 其中，所述的特殊IGBT�？閁2为去除了 IGBT芯片的正常IGBT模块，直接将键合线连接在陶瓷基板上的导电层上，其他部分结构不改变；所述的电流I值根据显示电压值3~15V与预估的IGBT�？榻峁剐宰杩筊值的比值预设。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:步骤(1)和步骤(2)中同步的对饱和压降进行多次测试，步骤(3 )中对R值取平均值。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:所述的电流I值根据显示电压值3~5V与预估的IGBT�？榻峁剐宰杩筊值的比值预设。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于:所述的电流I值设定为3000A。
【文档编号】G01R27/14GK103604999SQ201310603333
【公开日】2014年2月26日 申请日期:2013年11月21日 优先权日:2013年11月21日
【发明者】张强 申请人:西安永电电气有限责任公司