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用于放大射频信号的装置和方法
【专利摘要】本发明提供了一种用于放大射频信号的装置和方法以及一种包括所述装置的MRI系统。本发明的一个方面提出了一种用于放大射频(RF)信号的装置，其包括：磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)，其用于将不平衡格式的所述RF信号转换成平衡信号；至少两组MOSFET，每组包括至少一个MOSFET(30、40)，所述至少两组MOSFET分别用于以推拉方式放大所述平衡信号；磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)，其用于将经放大的平衡信号转换成不平衡格式；磁不敏感输入匹配网络(20、20’)，其用于将所述至少两组MOSFET的输入阻抗与所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)的输出阻抗进行匹配；磁不敏感输出匹配网络(50、50’)，其用于将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的输入阻抗进行匹配；磁不敏感保护电路(70、70’)，其用于保护直流(DC)电源不受经放大的平衡信号的影响，所述直流(DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET。所提出的装置不仅具有高功率输出而且是磁不敏感的，使得其能够在诸如MRI扫描器室的强磁场的环境中操作。
【专利说明】用于放大射频信号的装置和方法

【技术领域】
[0001] 本公开总体上涉及磁共振成像（MRI)系统，并且更具体地涉及用于放大射频（RF) 信号的技术。

【背景技术】
[0002] MRI，作为一种医学成像技术，利用核磁共振（NMR)的性质以对身体内部的原子的 原子核成像。在MRI系统中，生成强磁场以将身体中的特定原子的原子核的磁化对齐，并且 可以引入射频场以系统地更改该磁化的对齐。这令原子核产生能由扫描器检测到的旋转磁 场，并且关于该旋转磁场的这种信息被记录以构造身体的被扫描区域的图像。
[0003] 如图1所示，在MRI系统中，生成强磁场的主磁体被设置在扫描器室（S卩，磁体 室）11中。在MRI系统中使用的大多数电子设备14,包括用于生成射频场的RF放大器，应 被放置在单独的室（即，技术室）12中，从而保护这些电子设备不受强磁环境的影响。磁体 室11应由RF笼13屏蔽以进一步地保护这些电子设备14不受强磁场的影响。由在技术室 12中的RF放大器生成的RF信号通常通过在磁体室11的墙壁中的孔15经由长线缆被传送 到主磁体，该长线缆可能造成巨大损耗，导致MRI的成本高。
[0004] 因此，现有技术需要在MRI系统中有效地提供RF信号的技术。


【发明内容】

[0005] 本文描述了用于在MRI系统中有效地提供RF信号的技术。在一个方面中，提供 了一种用于放大射频（RF)信号的装置，其包括：磁不敏感输入平衡-不平衡转换器（10)， 其用于将不平衡格式的所述RF信号转换成平衡信号；至少两组M0SFET，每组包括至少一 个M0SFET (30、40)，所述至少两组M0SFET分别用于以推拉方式放大平衡信号；磁不敏感输 出平衡-不平衡转换器出〇)，其用于将经放大的平衡信号转换成不平衡格式；磁不敏感输 入匹配网络（20、20'），其用于将所述至少两组M0SFET的输入阻抗与所述磁不敏感输入平 衡-不平衡转换器（10)的输出阻抗进行匹配；磁不敏感输出匹配网络（50、50'），其用于将 所述至少两组M0SFET的输出阻抗与所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器（60)的输入阻 抗进行匹配；以及磁不敏感保护电路（70、70'），其用于保护直流（DC)电源不受经放大的平 衡信号的影响，所述直流（DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组M0SFET。
[0006] 在一个设计中，磁不敏感输入平衡-不平衡转换器（10)和磁不敏感输出平衡-不 平衡转换器出〇)两者都不使用任何磁敏感材料，例如铁氧体；磁不敏感输入匹配网络（20、 20'）和磁不敏感输出匹配网络（50、50'）两者都不使用磁敏感部件，例如电感器、铁氧体变 压器以及RF扼流线圈。由于在MRI系统中没有包含磁敏感部件的事实，所以，所述装置可 以在诸如扫描器室的强磁场环境中操作。
[0007] 在另一方面中，提供了一种包括根据本发明的以上方面所述的装置的磁共振成像 (MRI)系统。
[0008] 在另一方面中，提供了一种放大射频（RF)信号的方法，其包括：由磁不敏感输入 平衡-不平衡转换器（10)将不平衡格式的所述RF信号转换成平衡信号；由磁不敏感输入 匹配网络（20、20'）将至少两组MOSFET的输入阻抗与所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换 器（10)的输出阻抗进行匹配；由所述至少两组MOSFET以推拉方式放大所述平衡信号，所述 至少两组MOSFET的每组包括至少一个M0SFET(30、40);由磁不敏感输出匹配网络（50、50，） 将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与磁不敏感输出平衡-不平衡转换器（60)的输入阻抗 进行匹配；由所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器￠0)将经放大的平衡信号转换成不平 衡格式；其中，可以由磁不敏感保护电路（70、70'）从直流（DC)电源阻挡经放大的平衡信 号，所述直流（DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET。
[0009] 下文将进一步详细地描述本公开的各方面和特征。并且，参考结合附图进行的描 述，本发明的其他目的和优点将变得更加显而易见并将容易理解。

【专利附图】

【附图说明】
[0010] 将结合实施例并参考附图，在下文中更详细地描述和解释本公开，其中：
[0011] 图1是医院中MRI系统的布局图；
[0012] 图2示出了 RF放大器的结构；
[0013] 图3是放大射频信号的方法的流程图；
[0014] 图4示出了 RF放大器的另一结构；并且
[0015] 图5示出了 RF放大器的另一结构。
[0016] 在各图中的相同附图标记指示类似或对应的特征和/或功能。

【具体实施方式】
[0017] 将相对于具体实施例并参考特定附图描述本发明，但本发明不限于此，而仅由权 利要求限制。描述的附图仅是示意性的而非限制性的。在附图中，元件中的一些的尺寸可 能被夸大并出于说明性目的不是按比例绘制的。
[0018] 图2示出了用于放大射频信号的装置的结构，例如RF放大器100的结构。RF放大 器100包括磁不敏感输入平衡-不平衡转换器10、磁不敏感输入匹配网络、两组MOSFET、磁 不敏感输出匹配网络、磁不敏感输出平衡-不平衡转换器60以及磁不敏感保护电路。
[0019] 磁不敏感输入平衡-不平衡转换器10被提供以用于将不平衡格式的RF信号转换 成平衡信号，并且磁不敏感输出平衡-不平衡转换器60被提供以用于将平衡信号转换成不 平衡格式。磁不敏感输入平衡-不平衡转换器10和磁不敏感输出平衡-不平衡转换器60 两者都不使用任何磁敏感材料，例如铁氧体。代替包括磁敏感材料的同轴传输线变压器，磁 不敏感输入平衡-不平衡转换器10和磁不敏感输出平衡-不平衡转换器60中的每个可以 是平面磁不敏感平衡-不平衡转换器。在一个范例设计中，其具有平面结构，该平面结构具 有由印刷电路板（PCB)技术形成的空心传输线。
[0020] 在一个设计中，平面结构包括分别形成在PCB基底的顶层上和底层上的两个线 圈。在顶层上的线圈具有两个平行条带作为平衡端口，其中，所述两个平行条带被相对于线 圈的主体对称地设置并由狭缝分开。在顶层上的线圈的中心有一个孔口，并且在顶层上的 线圈足够大以覆盖在底层上的线圈。可以操作顶层的线圈和底层的线圈以在特定工作频率 处共振。
[0021] 在另一设计中，代替在顶层上的线圈的中心的孔口，在平面结构的顶层上的线圈 的主体具有在这两个平行条带之间的狭缝的扩展部分。该类型的平面平衡-不平衡转换器 的更加详细的描述例如公开于由皇家飞利浦有限公司于2010年12月24日提交的、名称为 "A planar balun"的专利（中国专利序列号201020689207.1)中，通过引用将该专利的公 开内容并入本文。具有这种平面结构的平衡-不平衡转换器由于插入损耗/返回损耗的优 点可以有效地操作并可以更适于在强磁场环境中操作。
[0022] 如图2所示，两组M0SFET中的每组包括一个M0SFET，即M0SFET30和M0SFET40。磁 不敏感输入匹配网络，在一个设计中，包括分别对应于M0SFET30和M0SFET40的两个输入匹 配电路20和20'。两个输入匹配电路20和20'可以具有类似的或不同的结构。在一个设 计中，输入匹配网络20包括微条带线A并且输入匹配网络20'包括微条带线B。微条带线 A和B能够通过PCB技术形成。微条带线A的尺寸和微条带线B的尺寸两者都可以被确定 尺寸以使得这两个M0SFET30和40的输入阻抗能够与磁不敏感输入平衡-不平衡转换器10 的输出阻抗相匹配。
[0023] 或者，在另一设计中，磁不敏感输入匹配网络可以包括一个输入匹配电路，一个输 入匹配电路例如是包括一组微条带线的封装电路，以用于将两组M0SFET的输入阻抗与磁 不敏感输入平衡-不平衡转换器10的输出阻抗进行匹配。
[0024] 类似地，磁不敏感输出匹配网络可以包括分别对应于M0SFET30和M0SFET40的两 个输出匹配电路50和50'。输出匹配网络50包括微条带线C并且输出匹配网络50'包括 微条带线D。微条带线C和D也能够通过PCB技术形成。微条带线C的尺寸或微条带线D 的尺寸的任意都可以被确定尺寸以使得两个M0SFET30和40的输出阻抗能够与磁不敏感输 出平衡-不平衡转换器60的输入阻抗相匹配。
[0025] 或者，在另一设计中，磁不敏感输出匹配网络可以包括一个输出匹配电路，一个输 出匹配电路例如是包括一组微条带线的封装电路，以用于将两组M0SFET的输出阻抗与磁 不敏感输出平衡-不平衡转换器60的输入阻抗进行匹配。
[0026] 如图2所示，磁不敏感输入匹配网络和磁不敏感输出匹配网络两者都不使用磁敏 感部件，例如电感器、铁氧体变压器以及RF扼流线圈。所以，在RF放大器100中有线性匹 配网络。线性匹配网络中的损耗可以是低的并且可以改进RF放大器100的性能。
[0027] 磁不敏感保护电路被提供以用于保护直流（DC)电源不受由两组M0SFET输出的平 衡信号的影响。DC电源用于驱动两组M0SFET中的M0SFET。在一个设计中，磁不敏感保护 电路可以包括分别对应于两组M0SFET (即M0SFET30和M0SFET40)的两个子电路70和70 '。 两个子电路70和70'可以具有类似的或不同的结构。
[0028] 在一个设计中，子电路70可以包括条带线E和电容器C1，并且子电路70'可以包 括条带线F和电容器C2。条带线E (例如，尺寸）、电容器C1 (例如，电容）以及微条带线 C (例如，尺寸）可以被确定尺寸以形成RF接地，这样由M0SFET30输出的平衡信号不会被馈 送至DC电源。条带线F(例如，尺寸）、电容器C2(例如，电容）以及微条带线D(例如，尺 寸）可以被确定尺寸以形成RF接地，这样由M0SFET40输出的平衡信号不会被馈送至DC电 源。
[0029] 或者，在另一设计中，磁不敏感保护电路可以包括一个保护电路，保护电路例如 是包括分别对应于两组M0SFET的两组条带线和两组电容器的封装电路。对应于相同组 MOSFET的条带线、电容器以及微条带线可以被确定尺寸以形成RF接地以使得由对应组的 M0SFET输出的平衡信号能够被馈送至RF接地，这样可以相应地保护DC电源不受平衡信号 的影响。
[0030] 在另一设计中，子电路70和70'中的任何一个还可以包括用于改进RF阻挡性能 的线缆。例如，被放置在DC电源与电容器C1之间的线缆L可以与条带线E、电容器C1以及 微条带线C 一起操作以用于从DC电源阻挡由M0SFET30输出的平衡信号。在一个设计中， 该线缆可以是特定长度的双绞线缆。
[0031] 与现有技术中平衡信号中的RF能量由作为开放电路的RF扼流圈（或铁氧体扼流 圈）阻挡相比，磁不敏感保护电路不使用任何磁敏感材料。也就是说，提供了如在以上设计 中描述的与磁不敏感保护电路相关联的紧凑的RF接地技术。RF放大器100中的RF接地技 术和分布式感应电源线与现有技术中的RF扼流圈发挥相同作用。因为大的磁敏感RF扼流 圈不再使用，所以RF放大器的体积是小的并且可以实现紧凑的MRI系统。
[0032] 图3示出了由用于放大射频（RF)信号的RF放大器（例如，在图2中示出的RF放 大器100)执行的方法的流程图。
[0033] RF信号被施加到磁不敏感输入平衡-不平衡转换器10的不平衡端口。磁不敏感 输入平衡-不平衡转换器10将RF信号（S卩，单端的）转换成平衡信号（S卩，差分信号） (框10)。平衡信号被供应到磁不敏感输入匹配网络。在一个设计中，输入匹配电路20和 20'被提供在磁不敏感输入匹配网络中，以用于将两组MOSFET的输入阻抗分别与磁不敏感 输入平衡-不平衡转换器10的输出阻抗进行匹配（框20)。在一个设计中，每组MOSFET包 括一个M0SFET，例如如图2所示的M0SFET30和40。M0SFET30和40可以以推拉方式放大该 平衡信号（框30)。因为该平衡信号是差分信号，所以M0SFET30和40可以选择相同类型的 MOSFET〇
[0034] 由M0SFET30和40输出的经放大的平衡信号被供应到磁不敏感输出匹配网络。 在一个设计中，输出匹配电路50和50'被提供在磁不敏感输出匹配网络中，以用于将 M0SFET30和40的输出阻抗分别与磁不敏感输出平衡-不平衡转换器60的输入阻抗进行匹 配（框40)。磁不敏感输出平衡-不平衡转换器60将经放大的平衡信号转换成不平衡格式 (框 50)。
[0035] 除了被供应到磁不敏感输出匹配网络之外，由M0SFET30和40输出的经放大的平 衡信号可以由磁不敏感保护电路（例如，图2中示出的子电路70和70'）从DC电源（在图 3中未示出）阻挡。
[0036] 图4示出了用于放大RF信号的装置（例如，RF放大器200)的另一结构。在该 设计中，两组MOSFET中的每组包括两个MOSFET。具体而言，第一组MOSFET可以包括两个 M0SFET35,并且第二组MOSFET可以包括两个M0SFET45。对应地，输入匹配电路20包括两个 微条带线A，并且输入匹配电路20'包括两个微条带线B。RF放大器200还包括两个分裂器 32、42。在该范例设计中，分裂器32和42中的每个可以是功率分裂器。由磁不敏感输入平 衡-不平衡转换器10输出的平衡信号由分裂器32、42分割并被分别供应到输入匹配电路 20和输入匹配电路20'。在该设计中，由分裂器32分割的平衡信号可以通过两个微条带线 A与两个M0SFET35的对应输入阻抗相匹配，并且由分裂器42分割的平衡信号可以通过两个 微条带线B与两个M0SFET45的对应输入阻抗相匹配。
[0037] 在另一设计中，两组M0SFET中的每组可以包括超过两个M0SFET。两个分裂器32 和42中的每个应根据每组M0SFET中的M0SFET的数量将由磁不敏感输入平衡-不平衡转 换器10输出的平衡信号分割，从而将所分割的平衡信号分布到两组M0SFET中的每组。对 应于两组M0SFET中的每组中的M0SFET的数量，输入匹配电路20应包括一组微条带线A，并 且输入匹配电路20'应包括一组微条带线B。微条带线A和B中的每个被提供以使得所分 割的平衡信号中的每个能够与两组M0SFET中的对应M0SFET的输入阻抗相匹配。
[0038] 由图4中示出的RF放大器200执行的方法类似于由图2中的RF放大器100执行 的方法。RF放大器200的方法还包括由两个分裂器32、42分割平衡信号的步骤以及将所分 割的平衡信号供应到输入匹配电路20和20'以使得所分割的平衡信号的每个能够与两组 M0SFET中的对应M0SFET的输入阻抗相匹配的步骤。
[0039] 图5示出了用于放大RF信号的装置（例如，RF放大器300)的另一结构。在该 设计中，两组M0SFET中的每组包括两个M0SFET。具体而言，第一组M0SFET可以包括两个 M0SFET35,其中，两个M0SFET35的栅极、漏极是并联连接的，并且第二组M0SFET可以包括 两个M0SFET45,其中，两个M0SFET45的栅极、漏极也是并联连接的。相应地，输入匹配电路 20可以包括一个微条带线A，并且输入匹配电路20'可以包括一个微条带线B，以使得两组 M0SFET的输入阻抗分别能够与磁不敏感输入平衡-不平衡转换器10的输出阻抗相匹配。
[0040] 通过利用图5中示出的并联栅极结构，即两个M0SFET35和45的栅极和漏极分别 并联连接，由90°混合或功率分裂器引入的潜在的信号不平衡可以被去除并且因此磁不敏 感输入匹配网络的调试变得容易。此外，在图5中示出的并联栅极结构中，微条带线A和/ 或微条带线B的宽度可以被加倍，并且特性阻抗可以被相应地减小。另外，微条带线A的长 度和/或微条带线B的长度可以被确定尺寸，从而作为具有低Q因子的电感器而操作，以避 免输入匹配网络中的振荡。在一个范例设计中，在磁不敏感输入平衡-不平衡转换器10是 4:1平衡-不平衡转换器的情况下，容易将并联M0SFET的输入阻抗与该4:1平衡-不平衡 转换器的输出阻抗相匹配。
[0041] 由图5中示出的RF放大器300执行的方法类似于由图2中的RF放大器执行的方 法，并因此被省略。
[0042] 用于放大RF信号的装置的结构不应限于以上提到的RF放大器的结构。对于本领 域的技术人员显而易见的是，所主张的本发明的各方面可以被实践在脱离这些具体细节的 其他范例中。
[0043] 在范例设计中，可以提供超过两组M0SFET以用于放大平衡信号。可以需要一个或 多个分裂器以用于将平衡信号分布到每组M0SFET，并且相应地可以调整磁不敏感输入匹配 网络（例如，一个或多个微条带线）。在范例设计中，微条带线（例如，微条带线A、B、C和 D)和条带线（例如，条带线E和F)被形成为铜箔并由PCB技术制造。
[0044] 由于诸如用于输入/输出平衡-不平衡转换器的磁敏感材料、包含于输入/输出 匹配网络中的电感器或铁氧体变压器以及RF扼流线圈的所有磁敏感部件被从RF放大器中 去除，因此包括RF放大器的MRI系统可以与强磁场兼容。通过利用线性输入/输出匹配网 络可以减少损耗。包括输入/输出平衡-不平衡转换器的平面结构、由PCB技术形成的微 条带线（例如，微条带线A、B、C和D)和条带线（例如，条带线E和F)的完全平面结构允许 RF放大器的示意性布局被简化。这样，RF放大器可以更加紧凑并且能够容易地被再生产。 RF放大器的成本相应低。
[0045] 应注意的是，上述提到的实施例说明但不限制本发明，并且本领域的技术人员将 能够在不脱离权利要求书的范围的情况下设计备选实施例。在权利要求中，被放置在括号 内的任何附图标记不得被解释为对权利要求的限制。词语"包括"不排除未在权利要求或说 明书中列出的元件或步骤的存在。在元件前的词语"一"或"一个"不排除多个这样的元件 的存在。在列举若干单元的系统权利要求中，这些单元中的若干能够由同一项软件和/或 硬件实现。词语第一、第二和第三等的使用不指示任何顺序。这些词语应被解读为名称。
【权利要求】
1. 一种用于放大射频（RF)信号的装置，包括： 磁不敏感输入平衡-不平衡转换器（10)，其用于将不平衡格式的所述RF信号转换成平 衡信号； 至少两组MOSFET，每组包括至少一个MOSFET (30、40)，所述至少两组MOSFET分别用于 以推拉方式放大所述平衡信号； 磁不敏感输出平衡-不平衡转换器￠0)，其用于将经放大的平衡信号转换成不平衡格 式； 磁不敏感输入匹配网络（20、20'），其用于将所述至少两组MOSFET的输入阻抗与所述 磁不敏感输入平衡-不平衡转换器（10)的输出阻抗进行匹配； 磁不敏感输出匹配网络（50、50'），其用于将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与所述 磁不敏感输出平衡-不平衡转换器（60)的输入阻抗进行匹配；以及 磁不敏感保护电路（70、70'），其用于保护直流（DC)电源不受经放大的平衡信号的影 响，所述直流（DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET。
2. 如权利要求1所述的装置，其中，每组MOSFET包括两个或更多个MOSFET (35、45)，并 且所述装置还包括： 至少两个分裂器（32、42)，其用于分割所述平衡信号并将所分割的平衡信号供应到所 述磁不敏感输入匹配网络（20、20'）以使得所分割的平衡信号中的每个能够与所述两组 MOSFET中的对应MOSFET (35、45)的所述输入阻抗相匹配。
3. 如权利要求1所述的装置，其中，每组MOSFET包括两个或更多个M0SFET(35、45);并 且所述两个或更多个M0SFET(35、45)的栅极、漏极分别是并联连接的。
4. 如权利要求1所述的装置，其中，所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器（10)和所 述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器￠0)中的任何一个是平面磁不敏感平衡-不平衡转 换器
5. 如权利要求4所述的装置，其中，所述平面磁不敏感平衡-不平衡转换器的顶层上的 线圈的主体具有处于所述顶层上的所述线圈的两个条带之间的狭缝的扩展部分。
6. 如权利要求1所述的装置，其中，所述磁不敏感输入匹配网络（20、20'）包括至少 两组微带线（A、B)，每组对应于所述至少两组MOSFET中的一组，以用于将所述至少两组 MOSFET的所述输入阻抗分别与所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器（10)的所述输出阻 抗进行匹配。
7. 如权利要求1所述的装置，其中，所述磁不敏感输出匹配网络（50、50'）包括至少 两组微条带线（C、D)，每组对应于所述至少两组MOSFET中的一组，以用于将所述至少两组 MOSFET的所述输出阻抗分别与所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器￠0)的所述输入阻 抗进行匹配。
8. 如权利要求7所述的装置，其中，所述磁不敏感保护电路（70、70'）包括分别对应于 所述至少两组MOSFET的至少两个条带线（E、F)和至少两组电容器（C1、C2);对应于相同组 MOSFET的所述条带线（E或F)、所述电容器（C1或C2)以及所述微条带线（C或D)被确定 尺寸以形成RF接地，从而使得经放大的平衡信号能够被馈送至所述RF接地。
9. 如权利要求8所述的装置，其中，所述磁不敏感保护电路（70、70'）还包括分别连接 所述至少两组电容器（Cl、C2)和所述DC电源的至少两个线缆，每个线缆与所述条带线（E 或F)、所述电容器（Cl或C2)以及所述微条带线（C或D) -起操作以用于从所述DC电源阻 挡经放大的平衡信号。
10. 如权利要求6、7和8中的任一项所述的装置，其中，所述微条带线（A、B、C、D)和/ 或所述条带线（E、F)能够通过印刷电路板（PCB)技术形成。
11. 一种磁共振成像（MRI)系统，包括根据权利要求1至10中的任一项所述的用于放 大射频（RF)信号的装置。
12. -种放大射频（RF)信号的方法，包括： 由磁不敏感输入平衡-不平衡转换器（10)将不平衡格式的所述RF信号转换成平衡信 号； 由磁不敏感输入匹配网络（20、20'）将至少两组MOSFET的输入阻抗与所述磁不敏感输 入平衡-不平衡转换器（10)的输出阻抗进行匹配； 由所述至少两组MOSFET以推拉方式放大所述平衡信号，所述至少两组MOSFET的每组 包括至少一个MOSFET (30、40); 由磁不敏感输出匹配网络（50、50'）将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与磁不敏感输 出平衡-不平衡转换器（60)的输入阻抗进行匹配； 由所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器￠0)将经放大的平衡信号转换成不平衡格 式；并且 其中，由磁不敏感保护电路（70、70'）从直流（DC)电源阻挡经放大的平衡信号，所述直 流（DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET。
13. 如权利要求12所述的方法，其中，每组MOSFET包括两个或更多个MOSFET (35、45)， 并且所述方法还包括： 由至少两个分裂器（32、42)分割所述平衡信号；并且 将所分割的平衡信号供应到所述磁不敏感输入匹配网络（20、20'）以使得所分割的平 衡信号中的每个能够与所述两组MOSFET中的对应M0SFET(35、45)的所述输入阻抗相匹配。
14. 如权利要求12所述的方法，其中，每组MOSFET包括两个或更多个MOSFET (35、45); 并且所述两个或多个MOSFET (35、45)的栅极、漏极分别是并联连接的。
15. 如权利要求12所述的方法，其中，所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器（10)、所 述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器（60)、磁不敏感输入匹配网络（20、20'）、磁不敏感输 出匹配网络（50、50'）以及磁不敏感保护电路（70、70'）中的任何一个能够通过PCB技术 形成。
【文档编号】G01R33/36GK104145191SQ201380012275
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2013年2月20日 优先权日:2012年3月2日
【发明者】曾克秋, Y·刘, T·王 申请人:皇家飞利浦有限公司