反向偏压下测量短路电流衰减计算陷阱参数的装置和方法
【专利摘要】本发明公开了一种反向偏压下测量短路电流衰减计算陷阱参数的装置和方法，包括内设有实验平台的真空箱，实验平台上从下至上依次设置有下电极、屏蔽层、待测试样和上电极，上电极通过开关与直流充电�？榱樱系缂拖碌缂浠沽臃聪蚱瓜露搪返缌鞑饬肯低常聪蚱瓜露搪返缌鞑饬肯低嘲ㄓ裳≡窨乜刂频脑褚坏纪ǖ亩搪沸狗抛杂傻绾傻缏泛屯严莸缌鞑饬康缏罚严莸缌鞑饬康缏钒ù耐严莘聪蚱玫缪乖春臀⒌缌骷疲⒌缌骷频男藕攀涑龆肆蛹扑慊扑慊刂屏友≡窨�。本发明能够通过等温电流衰减理论计算得出试样不同能级分布的陷阱密度，实验结果更为准确。
【专利说明】反向偏压下测量短路电流衰减计算陷阱参数的装置和方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电介质材料陷阱特性测量【技术领域】，尤其涉及一种基于等温电流衰减理论的反向偏压下测量短路电流衰减计算陷阱参数的装置和方法。
【背景技术】
[0002]聚合物绝缘材料具有诸如直流电阻高、介质损耗低等良好的介电性能，良好的热稳定性以及优良的机械加工性能，因而在电气绝缘领域得到广泛的应用。但随着电力系统电压等级的提高以及直流输电技术的发展，聚合物绝缘的空间电荷效应问题日渐突出，由此导致聚合物材料内部电场畸变，引发局部放电及电树枝发展，从而造成聚合物材料老化问题，如何抑制和消除聚合物绝缘中的空间电荷已经成为国内外电气绝缘领域的研究热点。
[0003]目前关于聚合物老化机理的研究很多，其中比较有代表性的是加拿大的高观志(Kwan-Chi Kao)和国内西安交通大学的屠德民等人提出的热电子引发聚合物降解理论。在高电场作用下，电子/空穴通过肖特基效应(Schottky effect)或福勒-诺德海姆效应(Fowler-Nordheim effect)从电极注入到聚合物中，由于材料禁带能隙内存在大量的陷讲态，电子/空穴的平均自由路径短，因此很快被陷阱俘获而形成空间电荷。在空间电荷的入陷/复合过程中，当电荷由高能态迁移到低能态时，多余的能量通过非辐射形式转移给另一个电子，使后者变成热电子。具有足够能量的热电子将导致分子降解而形成大量的大分子自由基，将进一步引发自由基链式反应，导致聚合物的进一步降解。热电子的产生和热电子的能量决定于陷阱的密度和深度，改变聚合物的陷阱深度或密度，就能改变热电子的形成几率和能量。因此空间电荷的注入、迁移、入陷/脱陷、复合等过程与材料内部陷阱特性密切相关，因此测量和分析材料的陷阱特性如能级、密度等，对于材料的空间电荷形成和抑制机理以及聚合物材料的老化状态表征和评估具有十分重要的意义。
[0004]基于上述分析，陷阱特性十分显著地影响固体电介质材料的介电和放电特性，并可能成为一种更为本征的固体电介质材料性能表征参数，因此测量和分析固体绝缘材料的陷阱参数具有十分重要的意义。
[0005]加拿大的西蒙斯(J.G.Simmons)等人在上世纪70年代提出，可以通过受激励材料在等温条件下的电流衰减特性得到其任意能量水平的陷阱参数。此理论基于绝缘材料受激励后被陷阱俘获的载流子在恒温条件下的热脱陷过程，认为介质中处于浅陷阱的陷阱载流子先释放，而处于深陷阱的后释放；在恒温下热释放电流随时间而变化，这个电流反映了陷阱能级的分布规律。其优点在于不需要任何陷阱分布先验假设，测量的等温衰减电流随时间的变化关系能直接反映材料的陷阱分布。
[0006]为了能利用上述理论分析，首先要求实验能单独获得电子电流或空穴电流。在进行偏压下测量短路电流衰减时，对带电介质试样所施加的偏压极性就不能是任意的了。当向开路端施加同向偏压时，正负电荷将向体内迁移，载流子经体内输运要发生耗散，这是不希望出现的。反之，如果对开路端施加异向偏压，正负电荷将分别向邻近电极移动，从而移出介质，这样电荷分布状态不会被破坏，向邻近电极的短距离输运可忽略耗散，而足够高的偏置电场也使忽略脱陷载流子的再陷阱化比较接近实际情况。因此，施加异向偏压是使理论分析能付诸实际应用的唯一选择。外施偏置电场大小的选择既要保证足够高以忽略再陷阱化，又要避免偏压太高引起电极注入影响实验分析。因此一般选为不大于107v/m。
【发明内容】
[0007]本发明的目的是提供一种反向偏压下测量短路电流衰减计算陷阱参数的装置和方法，既适用于无机绝缘材料，如氧化铝、可加工陶瓷等绝缘材料陷阱的测试，同时也适用于聚合物绝缘材料陷阱的测试，能够通过等温电流衰减理论计算得出试样不同能级分布的陷阱密度，实验结果更为准确。
[0008]本发明采用下述技术方案:
[0009]一种反向偏压下测量短路电流衰减计算陷阱参数的装置，包括设置有箱门的真空箱，真空箱内设置有实验平台，实验平台上从下至上依次设置有下电极、屏蔽层、待测试样和上电极，上电极通过开关与直流充电�？榱樱系缂拖碌缂浠沽臃聪蚱瓜露搪返缌鞑饬肯低常龅姆聪蚱瓜露搪返缌鞑饬肯低嘲ㄓ裳≡窨乜刂频脑褚坏纪ǖ亩搪沸狗抛杂傻绾傻缏泛屯严莸缌鞑饬康缏罚严莸缌鞑饬康缏钒ù耐严莘聪蚱玫缪乖春臀⒌缌骷疲⒌缌骷频男藕攀涑龆肆蛹扑慊扑慊刂屏友≡窨�。
[0010]所述的选择开关采用磁耦合直线驱动器，磁耦合直线驱动器的运动端与上电极通过导线连接，短路泄放自由电荷电路和脱陷电流测量电路的第一端分别连接与磁耦合直线驱动器运动端相配合的两个静触点，短路泄放自由电荷电路和脱陷电流测量电路的第二端均连接下电极。
[0011]所述的真空箱为真空恒温箱，真空箱内下电极下方设置有金属加热盒，金属加热盒内设置有热电偶。
[0012]所述的真空恒温箱内还设置有石英红外加热管和干燥剂。
[0013]所述的短路泄放自由电荷电路和脱陷电流测量电路中采用的线缆均为同轴屏蔽电缆。
[0014]一种利用权利要求1所述的反向偏压下测量短路电流衰减计算陷阱参数装置进行测量的方法，包括以下步骤:
[0015]A:打开真空恒温箱箱门，将待测试样放置在上电极和屏蔽层之间，保证待测试样与上电极的接触面洁净，然后关闭真空恒温箱门；
[0016]B:利用加热盒对待测试样进行预热，然后利用直流充电模块对上电极施加直流充电电压,对待测试样注入电荷；注入电荷完毕后,停止对上电极施加直流充电电压；
[0017]C:利用计算机控制选择开关，将短路泄放自由电荷电路导通，通过短路泄放自由电荷电路去除待测试样表面的自由电荷；
[0018]D:利用计算机控制选择开关，断开短路泄放自由电荷电路，将脱陷电流测量电路导通，使待测试样、微电流计和脱陷反向偏置电压源形成导通的串联电路，利用微电流计测量等温短路电流衰减并通过计算机进行采样和记录，然后利用测得的等温短路电流衰减，通过等温电流衰减理论计算得出试样不同能级分布的陷阱密度，计算方法为:假设热释放的载流子不再陷阱化，陷阱能级Et以及等温电流密度J与陷阱密度Nt的关系为:
【权利要求】
1.一种反向偏压下测量短路电流衰减计算陷阱参数的装置，其特征在于:包括设置有箱门的真空箱，真空箱内设置有实验平台，实验平台上从下至上依次设置有下电极、屏蔽层、待测试样和上电极，上电极通过开关与直流充电�？榱樱系缂拖碌缂浠沽臃聪蚱瓜露搪返缌鞑饬肯低常龅姆聪蚱瓜露搪返缌鞑饬肯低嘲ㄓ裳≡窨乜刂频脑褚坏纪ǖ亩搪沸狗抛杂傻绾傻缏泛屯严莸缌鞑饬康缏罚严莸缌鞑饬康缏钒ù耐严莘聪蚱玫缪乖春臀⒌缌骷疲⒌缌骷频男藕攀涑龆肆蛹扑慊扑慊刂屏友≡窨�。
2.根据权利要求1所述的反向偏压下测量短路电流衰减计算陷阱参数的装置，其特征在于:所述的选择开关采用磁耦合直线驱动器，磁耦合直线驱动器的运动端与上电极通过导线连接，短路泄放自由电荷电路和脱陷电流测量电路的第一端分别连接与磁耦合直线驱动器运动端相配合的两个静触点，短路泄放自由电荷电路和脱陷电流测量电路的第二端均连接下电极。
3.根据权利要求2所述的反向偏压下测量短路电流衰减计算陷阱参数的装置，其特征在于:所述的真空箱为真空恒温箱，真空箱内下电极下方设置有金属加热盒，金属加热盒内设置有热电偶。
4.根据权利要求3所述的反向偏压下测量短路电流衰减计算陷阱参数的装置，其特征在于:所述的真空恒温箱内还设置有石英红外加热管和干燥剂。
5.根据权利要求4所述的反向偏压下测量短路电流衰减计算陷阱参数的装置，其特征在于:所述的短路泄放自由电荷电路和脱陷电流测量电路中采用的线缆均为同轴屏蔽电缆。
6.一种利用权利要求1所述的反向偏压下测量短路电流衰减计算陷阱参数装置进行测量的方法，其特征在于，包括以下步骤: A:打开真空恒温箱箱门，将待测试样放置在上电极和屏蔽层之间，保证待测试样与上电极的接触面洁净，然后关闭真空恒温箱门； B:利用加热盒对待测试样进行预热，然后利用直流充电�？槎陨系缂┘又绷鞒涞绲缪梗源馐匝⑷氲绾桑蛔⑷氲绾赏瓯虾螅Ｖ苟陨系缂┘又绷鞒涞绲缪梗� C:利用计算机控制选择开关，将短路泄放自由电荷电路导通，通过短路泄放自由电荷电路去除待测试样表面的自由电荷； D:利用计算机控制选择开关，断开短路泄放自由电荷电路，将脱陷电流测量电路导通，使待测试样、微电流计和脱陷反向偏置电压源形成导通的串联电路，利用微电流计测量等温短路电流衰减并通过计算机进行采样和记录，然后利用测得的等温短路电流衰减，通过等温电流衰减理论计算得出试样不同能级分布的陷阱密度，计算方法为:假设热释放的载流子不再陷阱化，陷阱能级Et以及等温电流密度J与陷阱密度Nt的关系为:
其中Et为陷阱能级，k为Boltzmann常数，T为绝对温度，Y为电子振动频率，t为时间为等温电流密度，q为电子电量，d为试样的厚度，f0(E)为陷阱初始占有率，Nt(Et)为陷阱能量分布函数；电子陷阱的能量以导带底为零点计算，空穴陷阱的能量以价带顶为零点计算。
7.根据权利要求6所述的利用反向偏压下测量短路电流衰减计算陷阱参数装置进行测量的方法，其特征在于:所述的步骤B中，利用加热盒对待测试样在50°C _60°C的温度下预热 20min-30min。
8.根据权利要求7所述的利用反向偏压下测量短路电流衰减计算陷阱参数装置进行测量的方法，其特征在于:所述的步骤B中，在对待测试样注入电荷时，注入场强为40kV/mm,注入时间30min,注入温度50°C。
【文档编号】G01N27/60GK104198570SQ201410458113
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年9月10日 优先权日:2014年9月10日
【发明者】张伟政, 李智敏, 穆海宝, 季国剑, 赵林, 李元, 申文伟, 张冠军 申请人:国家电网公司, 国网河南省电力公司郑州供电公司, 西安交通大学
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